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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法-CN201310345291.3有效
发明人：朴常镐;姜秀馨;沈栋*;姜闰浩;柳世桓;李玟贞;李镕守 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2013-08-09 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管基板，包括：基底基板；有源图案，设置在基底基板上；栅绝缘图案，设置在有源图案上；栅电极，设置在栅绝缘图案上并交叠沟道；和光阻挡图案，设置在基底基板与有源图案之间并具有大于有源图案的尺寸。有源图案包括源电极、漏电极、和在源电极与漏电极之间的沟道。
源图案基底基板薄膜晶体管基板栅绝缘图案漏电极源电极沟道光阻挡栅电极交叠图案制造

[发明专利]半导体器件-CN202010971697.2在审
发明人：朴钟昊;宋在烈;金完敦;李炳训;M.哈桑 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-09-16 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：半导体器件包括：第一和第二有源图案，分别在衬底的第一和第二有源区上；一对第一源极/漏极图案和在其间的第一沟道图案，其中所述一对第一源极/漏极图案在第一有源图案的上部中；一对第二源极/漏极图案和在其间的第二沟道图案，其中所述一对第二源极/漏极图案在第二有源图案的上部中；以及第一和第二栅电极，分别与第一和第二沟道图案交叉。第一和第二栅电极中的每个包括与第一和第二沟道图案中的对应一个相邻的第一金属图案。第一和第二沟道图案包括SiGe。第二沟道图案的Ge浓度高于第一沟道图案的Ge浓度。第二栅电极的第一金属图案的厚度大于第一栅电极的第一金属图案的厚度。
半导体器件

[发明专利]显示装置及制造该显示装置的方法-CN201010205314.7有效
发明人：崔永柱;李禹根;柳慧英;金己园 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-06-13 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：所述制造显示装置的方法包括：在底基板上形成栅极图案，所述栅极图案包括栅极线和栅电极；通过图案化数据金属层和氧化物半导体层两者来形成半导体图案和源极图案，其中，所述数据金属层和所述氧化物半导体层形成在具有所述栅极图案的所述底基板上，所述数据金属层包括第一铜合金层，并且所述氧化物半导体层包括氧化物半导体，其中，所述源极图案包括数据线、源电极和漏电极；并且在具有所述源极图案的底基板上形成电连接至所述漏电极的像素电极。
显示装置制造方法

[发明专利]薄膜晶体管和显示装置及其制造方法-CN201210152817.1在审
发明人：孙榕德;李基龙;徐晋旭;郑珉在;李卓泳 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2012-05-16 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：该薄膜晶体管包括：位于基板上并且通过由金属催化剂的作用引起的晶体生长而结晶的有源层；有源层的一部分上的栅极绝缘层图案；栅极绝缘层图案的一部分上的栅电极；形成在栅极绝缘层图案上以覆盖栅电极的抗刻蚀层图案，抗刻蚀层图案与栅极绝缘层图案共边界；有源层和抗刻蚀层图案上的源电极和漏电极；以及位于有源层与源电极和漏电极之间以及抗刻蚀层图案与源电极和漏电极之间的吸杂层图案，以除去为有源层的结晶而使用的金属催化剂，吸杂层图案与源电极和漏电极共边界
薄膜晶体管显示装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201810601974.3有效
发明人：简廷峰;叶柏良;吴振中;张家铭;张君安 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2018-06-12 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：薄膜晶体包括栅极、半导体图案、第一绝缘层、源极以及漏极。第一绝缘层设置于栅极与半导体图案之间。源极与漏极彼此分离且各自与半导体图案对应设置。源极与漏极的至少一者具有第一铜图案层与第一氮氧化铜图案层。第一氮氧化铜图案层覆盖第一铜图案层。第一铜图案层设置于第一氮氧化铜图案层与第一基板之间。本发明的半导体装置中，外界水气不易入侵源极与漏极的至少一者的铜图案层，因此本发明的半导体装置的信赖性佳。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管、像素结构及其制造方法-CN200710128223.6有效
发明人：罗韦翔;李豪捷 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2007-07-05 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法包括下列步骤：首先，于基板上形成一源极。接着，形成一第一绝缘图案层，以覆盖部分源极与基板。第一绝缘图案层具有一暴露出部分源极的开口。然后，于第一绝缘图案层上形成一栅极图案层。之后，于栅极图案层上形成一第二绝缘图案层，栅极图案层与第二绝缘图案层围绕开口。接着，于开口内的栅极图案层侧缘上形成一第二侧护壁。然后，于开口内形成一通道层，覆盖第二侧护壁与源极。之后，于通道层与第二绝缘图案层上形成一具有接触窗开口的保护层，以暴露出部分通道层。接着，于暴露出的通道层上形成一漏极。
薄膜晶体管像素结构及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管基板和制造薄膜晶体管基板的方法-CN200810168941.0有效
发明人：郭相基;孔香植;金善日 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-09-27 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管(TFT)基板，所述TFT基板包括半导体图案、导电图案、第一布线图案、绝缘图案和第二布线图案。半导体图案形成于基板上。导电图案形成为与基板上的半导体图案相一致的层。第一布线图案形成于半导体图案上。第一布线图案包括源极和与源极间隔开的漏极。绝缘图案形成于具有第一布线图案的基板上以覆盖第一布线图案。第二布线图案形成于绝缘图案上。第二布线图案包括形成于源极和漏极上的栅极。因此，使用两个或三个掩膜制造TFT基板，以使得可以降低制造成本。
薄膜晶体管制造方法

[发明专利]包括鳍式场效应晶体管的半导体器件及其形成方法-CN201710403081.3有效
发明人：李东颖;叶致锴;李宗霖;杨育佳;萧孟轩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-06-01 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：在形成包括鳍式场效应晶体管(FinFET)的半导体器件的方法中，在FinFET结构的源极/漏极结构和隔离绝缘层上方形成牺牲层。在牺牲层上方形成掩模图案。通过使用掩模图案作为蚀刻掩模图案化牺牲层和源极/漏极结构，从而形成邻近于图案化的牺牲层和图案化的源极/漏极结构的开口。在开口中形成介电层。在形成介电层之后，去除图案化的牺牲层以在图案化的源极/漏极结构上方形成接触开口。在接触开口中形成导电层。本发明的实施例还涉及包括鳍式场效应晶体管(FinFET)的半导体器件。
包括场效应晶体管半导体器件及其形成方法

[发明专利]包括支撑结构的半导体器件、制造该半导体器件的方法以及包括该半导体器件的电子系统-CN202210131359.7在审
发明人：李升珉;姜淇允;金江旻;金东星;金俊亨;俞炳瓘 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-02-11 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：本公开的半导体器件包括：外围电路结构，包括外围晶体管；半导体层，在外围电路结构上；源极结构，在半导体层上；栅极堆叠结构，设置在源极结构上，并包括交替堆叠的绝缘图案和导电图案；存储沟道结构，电连接到源极结构，并穿透栅极堆叠结构；支撑结构，穿透栅极堆叠结构和源极结构；以及绝缘层，覆盖栅极堆叠结构、存储沟道结构和支撑结构。支撑结构包括接触绝缘图案的侧壁和导电图案的侧壁的外支撑层、以及接触外支撑层的内侧壁的支撑图案和内支撑层。
包括支撑结构半导体器件制造方法以及电子系统

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法-CN200610079094.1无效
发明人：蔡基成;许宰硕 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社
申请日： 2006-04-29 - 公布日： 2007-06-20 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：该薄膜晶体管阵列基板包括基板；位于基板上由栅极以及与栅极相连的栅线构成的栅图案；由有机材料形成且用于覆盖所述栅图案的主栅绝缘膜；与栅极重叠使得主栅绝缘膜位于半导体图案和栅线之间的半导体图案；半导体图案上的源/漏图案。该源/漏图案包括与栅线交叉其间具有主栅绝缘膜的数据线、源极和漏极。这里源极、漏极和半导体图案限定了设置在栅线和数据线交叉部分的薄膜晶体管。该薄膜晶体管阵列基板还包括限定在漏极部分的接触孔的保护膜；通过所述接触孔与漏极接触的像素电极；以及位于栅图案和主栅绝缘膜之间与所述栅图案重叠的子栅绝缘图案，所述子栅绝缘图案包括铁电材料。
薄膜晶体管阵列及其制造方法

[发明专利]三维半导体存储器件-CN202010533632.X在审
发明人：沈在龙;安钟善;韩智勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-06-12 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L27/11519 文献下载
摘要：半导体存储器件包括设置在外围电路结构上并且在第一方向上彼此间隔开的水平图案。存储器结构设置在水平图案上。存储器结构包括源结构和电极结构。划分结构设置在第一方向上相邻的水平图案之间，并且被配置为将相邻的存储器结构的源结构彼此分开。蚀刻停止图案在低于源结构的高度的高度处设置在水平图案之间。蚀刻停止图案连接到划分结构的下部。
三维半导体存储器件

[发明专利]电力用半导体模块以及电力变换装置-CN201980099549.1在审
发明人：中岛纯一 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：电力用半导体模块(100)具备：半导体开关元件(1)；栅极控制图案(6)，连接半导体开关元件的栅电极；源极控制图案(7)，连接半导体开关元件(1)的源电极；电容器(17)，用于形成低通滤波器；电容器配置用图案电容器(17)的另一端与源极控制图案(7)连接。导线(19)将电容器配置用图案(18)和栅极控制图案(6)电连接。
电力半导体模块以及变换装置

[发明专利]蒸镀设备与蒸镀方法-CN201310359451.X无效
发明人：陈建志;董福庆;赖丽惠;陈思豪;王怡珊 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2013-08-16 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：该蒸镀设备包括一加热器、一源材料载具以及多个源材料图案层。源材料载具具有沿着一第一方向并排排列的多个源材料配置区，且源材料配置区彼此间隔一距离。在蒸镀设备进行蒸镀时，沿着第一方向排列的源材料配置区依次地位移至基板与加热器之间。源材料图案层分别设置于源材料配置区中。相邻两个源材料配置区中的两个源材料图案层具有不同材质以及不同的尺寸。
设备方法

[发明专利]半导体器件-CN202211189232.7在审
发明人：朴钟撤;罗炫旭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：第一栅电极和第二栅电极，各自在衬底上并在第一方向上延伸；第一和第二源极/漏极图案，在与第一栅电极交叉的第二方向上与第一栅电极和第二栅电极间隔开的第一和第二源极/漏极图案；以及有源接触，与第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案的顶表面共同连接。有源接触包括在第一源极/漏极图案上的第一部分和在第二源极/漏极图案上的第二部分。该器件包括在第二方向上延伸以将第一栅电极与第二栅电极分隔开的绝缘分隔图案，有源接触包括第三部分，该第三部分延伸到绝缘分隔图案的底表面下方的区域以将有源接触的第一部分和第二部分彼此连接。
半导体器件

[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置-CN201810001897.8有效
发明人：班圣光;曹占锋 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-01-02 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：该薄膜晶体管，包括：遮光图案，第一绝缘层，有源层图案，第二绝缘层，栅极图案，层间绝缘层，与有源层图案分别连接的源极和漏极；源极和漏极还与遮光图案连接。根据本申请实施例的技术方案，通过源极和漏极与遮光图案连接，将遮光图案感生的电荷传导至外部电路，可以排除遮光图案感生电荷的影响，提升阈值电压的稳定性，改善薄膜晶体管的特征。
薄膜晶体管及其制备方法阵列显示装置

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