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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体存储器装置-CN202111534109.X在审
  • 林根元;高秉贤;权容真;申重植 - 三星电子株式会社
  • 2021-12-15 - 2022-06-17 - H01L27/11582
  • 公开了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置可以包括：模制结构，包括交替地堆叠在第一基底上的模制绝缘膜和栅电极；沟道结构，穿透模制结构并且与栅电极相交；块分离区域，沿与第一基底的上表面平行的第一方向延伸并且切割模制结构；第一坝区域和第二坝区域，彼此间隔开，在平面图中均具有闭合环并且均切割模制结构；垫绝缘膜，位于第一坝区域和第二坝区域中，与模制绝缘膜交替地堆叠，并且包括与模制绝缘膜的材料不同的材料；以及贯穿过孔，穿过第一基底、模制绝缘膜和垫绝缘膜，位于位于第一坝区域中但是不位于第二坝区域中。
  • 半导体存储器装置
  • [发明专利]半导体器件和包括其的电子系统-CN202111203462.X在审
  • 林根元;朴真佑;崔一珪 - 三星电子株式会社
  • 2021-10-15 - 2022-05-06 - H01L27/11524
  • 提供了一种半导体器件和包括其的电子系统。所述半导体器件可以包括：外围电路结构，包括电路；衬底，位于所述外围电路结构上；成对的字线切割结构，在所述衬底上在第一方向上延伸；以及存储单元块，位于所述成对的字线切割结构之间并且位于所述衬底上。所述存储单元块可以包括：存储堆叠结构，包括在垂直方向上彼此交叠的栅极线；层间绝缘层，位于每条所述栅极线的边缘部分上；堤坝结构，延伸穿过所述栅极线和所述层间绝缘层；相交方向切割结构，在所述垂直方向上延伸穿过所述存储堆叠结构和所述层间绝缘层并且与所述堤坝结构间隔开；以及虚设沟道结构，位于所述相交方向切割结构与所述堤坝结构之间。
  • 半导体器件包括电子系统
  • [发明专利]非易失性存储器件-CN202110833744.1在审
  • 林根元 - 三星电子株式会社
  • 2021-07-22 - 2022-04-22 - H01L27/11582
  • 一种非易失性存储器件可以包括：衬底；衬底上的第一堆叠结构；第一堆叠结构上的第二堆叠结构；沟道结构，包括穿过第一堆叠结构的第一部分和穿过第二堆叠结构的第二部分；以及填充结构，包括穿过第一堆叠结构并在第一水平方向上延伸的第一部分和穿过第二堆叠结构并在第一水平方向上延伸的第二部分。填充结构的第一部分的上端可以与沟道结构的第一部分的上端处于相同高度。
  • 非易失性存储器
  • [发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统-CN202111199535.2在审
  • 金江旻;申载勋;殷东锡;林根元 - 三星电子株式会社
  • 2021-10-14 - 2022-04-19 - H01L27/11521
  • 提供了一种半导体器件和一种数据存储系统。所述半导体器件包括：第一基板；器件，位于第一基板上；第二基板，位于器件上；栅电极，堆叠在第二基板上并在第一方向上彼此间隔开；沟道结构，穿透栅电极、在第一方向上延伸并且包括沟道层；隔离区域，穿透栅电极并在第二方向上延伸；贯通接触插塞，穿透第二基板、在第一方向上延伸并将栅电极电连接至器件；阻挡结构，与贯通接触插塞间隔开并围绕贯通接触插塞；以及支撑结构，位于栅电极上并包括支撑图案，其中，支撑结构具有在隔离区域上在第二方向彼此间隔开的第一贯通区域和与阻挡结构的上表面接触的第二贯通区域。
  • 半导体器件包括数据存储系统
  • [实用新型]竖直存储器装置-CN202120714645.7有效
  • 申载勋;金江旻;朴庆晋;宋承砇;申重植;林根元 - 三星电子株式会社
  • 2021-04-08 - 2021-10-29 - H01L23/538
  • 一种竖直存储器装置包括栅电极结构、沟道、绝缘图案结构、蚀刻停止结构和穿通孔。栅电极结构包括在基本垂直于衬底的上表面的第一方向上在衬底上彼此间隔开的栅电极，所述栅电极中的每一个在基本平行于衬底的上表面的第二方向上延伸。沟道在第一方向上延伸穿过栅电极结构。绝缘图案结构延伸穿过栅电极结构。蚀刻停止结构延伸穿过栅电极结构，并且包围绝缘图案结构的至少一部分侧壁，并且蚀刻停止结构包括填充图案和填充图案的侧壁上的蚀刻停止图案。穿通孔在第一方向上延伸穿过绝缘图案结构。
  • 竖直存储器装置
  • [发明专利]竖直存储器装置-CN202110378061.1在审
  • 申载勋;金江旻;朴庆晋;宋承砇;申重植;林根元 - 三星电子株式会社
  • 2021-04-08 - 2021-10-12 - H01L23/538
  • 一种竖直存储器装置包括栅电极结构、沟道、绝缘图案结构、蚀刻停止结构和贯通件。栅电极结构包括在基本垂直于衬底的上表面的第一方向上在衬底上彼此间隔开的栅电极，所述栅电极中的每一个在基本平行于衬底的上表面的第二方向上延伸。沟道在第一方向上延伸穿过栅电极结构。绝缘图案结构延伸穿过栅电极结构。蚀刻停止结构延伸穿过栅电极结构，并且包围绝缘图案结构的至少一部分侧壁，并且蚀刻停止结构包括填充图案和填充图案的侧壁上的蚀刻停止图案。贯通件在第一方向上延伸穿过绝缘图案结构。
  • 竖直存储器装置
  • [发明专利]非易失性存储器装置和制造非易失性存储器装置的方法-CN202110163677.7在审
  • 林根元 - 三星电子株式会社
  • 2021-02-05 - 2021-09-07 - H01L27/11563
  • 公开了一种非易失性存储器装置和一种制造非易失性存储器装置的方法，所述装置包括：基底；第一模制结构，位于基底上，第一模制结构包括交替地堆叠的多个第一模制绝缘膜和多个第一栅电极；沟道结构，穿透第一模制结构并与所述多个第一栅电极相交；以及至少一个绝缘填充件，与所述多个第一模制绝缘膜和所述多个第一栅电极相交，其中，第一模制结构通过在第一方向上延伸的字线切割区域电分离，使得第一模制结构包括第一块区域和第二块区域，并且所述至少一个绝缘填充件位于字线切割区域中并且连接第一块区域和第二块区域。
  • 非易失性存储器装置制造方法
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202011584455.4在审
  • 金俊亨;权永振;林根元 - 三星电子株式会社
  • 2020-12-28 - 2021-07-09 - H01L27/11582
  • 公开了一种半导体器件，其中单元阵列区域和扩展区域沿第一方向布置，并且其中接触区域和贯通区域沿第一方向交替地布置在扩展区域中，包括：模制结构，包括交替地堆叠在第一衬底上的多个第一绝缘图案和多个栅电极；沟道结构，穿透单元阵列区域中的模制结构以与多个栅电极相交；相应的栅极触点，在接触区域中的模制结构上，并连接到栅电极中的每一个；以及多个第二绝缘图案，第二绝缘图案与第一绝缘图案交替地堆叠在贯通区域中的模制结构中，多个第二绝缘图案包括与多个第一绝缘图案不同的材料。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]垂直存储器件-CN202011180615.9在审
  • 宋承砇;金江旻;申重植;林根元 - 三星电子株式会社
  • 2020-10-29 - 2021-05-04 - H01L27/11582
  • 一种垂直存储器件包括栅电极结构、沟道、第一至第三分割图案以及第一支撑层。栅电极结构包括在第一方向上堆叠的栅电极，并且在第二方向上延伸。栅电极结构在第三方向上彼此间隔开。第一分割图案在栅电极结构之间在第二方向上延伸。第二分割图案和第三分割图案在栅电极结构之间在第二方向上交替地设置。第一支撑层在栅电极结构上在与第一分割图案的上部部分和第二分割图案的上部部分基本上相同的高度处，并且接触第一分割图案的上部部分和第二分割图案的上部部分。在平面图中，第一分割图案的上部部分和第二分割图案的上部部分在第二方向上以Z字形图案布置。
  • 垂直存储器件
  • [发明专利]非易失性存储器装置-CN202010805205.2在审
  • 金江旻;宋昇珉;申载勋;申重植;林根元 - 三星电子株式会社
  • 2020-08-12 - 2021-04-13 - H01L27/1157
  • 提供了一种非易失性存储器装置。所述非易失性存储器装置包括：基底；第一模制结构，设置在基底上并且包括多个第一栅电极；第二模制结构，设置在第一模制结构上并且包括多个第二栅电极；以及多个沟道结构，通过穿透第一模制结构和第二模制结构而与所述多个第一栅电极和所述多个第二栅电极交叉，其中，第一模制结构包括彼此间隔开的第一堆叠件和第二堆叠件，并且第二模制结构包括堆叠在第一堆叠件上的第三堆叠件、堆叠在第二堆叠件上的第四堆叠件以及连接第三堆叠件和第四堆叠件的第一连接部。
  • 非易失性存储器装置
  • [发明专利]垂直存储器件-CN202010673043.1在审
  • 林根元;孙仑焕;崔峻荣 - 三星电子株式会社
  • 2020-07-14 - 2021-02-02 - H01L27/11524
  • 公开了垂直存储器件和制造垂直存储器件的方法。该垂直存储器件包括：衬底，具有单元块区域、块分离区域和边界区域；多个堆叠结构，布置在单元块区域和边界区域中使得绝缘中间层图案与电极图案交替地堆叠在衬底上。堆叠结构通过块分离区域在第三方向上间隔开。多个沟道结构在单元块区域中在第一方向上穿过堆叠结构延伸到衬底，并连接到衬底。多个虚设沟道结构在边界区域中延伸穿过每个堆叠结构的上部部分，并连接到与衬底间隔开的虚设底部电极图案。因此，基本上防止了在衬底附近的桥接缺陷。
  • 垂直存储器件
  • [发明专利]包括具有栅极区域和绝缘区域的堆叠结构的半导体器件-CN202010671139.4在审
  • 林根元;白石千 - 三星电子株式会社
  • 2020-07-13 - 2021-01-19 - H01L27/11517
  • 提供了一种包括具有栅极区域和绝缘区域的堆叠结构的半导体器件。所述半导体器件包括下部结构和在下部结构上延伸到连接区域中的堆叠结构，其中，堆叠结构包括栅极焊盘和模制焊盘。模制焊盘包括中间模制焊盘，中间模制焊盘包括第一中间模制焊盘和位于成对的第一中间模制焊盘之间的第二中间模制焊盘，每个第一中间模制焊盘具有在第一方向上的第一长度，第二中间模制焊盘具有在第一方向上的大于第一长度的第二长度，一个中间模制焊盘包括模制焊盘部分和位于模制焊盘部分上的绝缘突起部分，一个第一中间模制焊盘包括模制焊盘部分和绝缘突起部分，并且第二中间模制焊盘的中心区域不包括绝缘突起部分。
  • 包括具有栅极区域绝缘堆叠结构半导体器件
  • [发明专利]三维半导体存储器装置-CN202010337804.6在审
  • 金俊亨;林根元;金万中 - 三星电子株式会社
  • 2020-04-26 - 2021-01-15 - H01L27/11517
  • 提供了一种三维半导体存储器装置，所述三维半导体存储器装置包括：基底，包括第一方向上的第一连接区和第二连接区以及位于第一连接区与第二连接区之间的单元阵列区；以及第一块结构，位于基底上。第一块结构在单元阵列区上具有第一宽度，第一块结构在第一连接区上具有第二宽度，并且第一块结构在第二连接区上具有第三宽度。第一宽度、第二宽度和第三宽度平行于与第一方向交叉的第二方向，并且第一宽度小于第二宽度且大于第三宽度。
  • 三维半导体存储器装置
  • [发明专利]具有堆叠结构的半导体装置-CN202010391986.5在审
  • 林根元 - 三星电子株式会社
  • 2020-05-11 - 2020-12-22 - H01L27/11521
  • 提供了一种具有堆叠结构的半导体装置。所述半导体装置包括：基底，具有单元阵列区和垫区；堆叠结构，包括交替地堆叠在基底上并且在垫区中具有阶梯形状的栅电极和成型绝缘层；第一分离区，在垫区中穿透堆叠结构，在第一方向上延伸，并且包括第一虚设绝缘层和第二虚设绝缘层，第一虚设绝缘层覆盖第一分离区的侧壁并且包括覆盖栅电极的部分的水平部分，并且第二虚设绝缘层设置在第一虚设绝缘层之间；延伸部分，在垂直于第一方向的第二方向上从第一虚设绝缘层朝向成型绝缘层延伸；第二分离区，划分堆叠结构并且在第一方向上延伸；以及单元接触插塞，穿透水平部分并且连接到栅电极。
  • 具有堆叠结构半导体装置
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