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[发明专利]一种深沟槽隔离结构及其制备方法-CN201410072259.7在审
发明人：王刚宁;王海强;陈宗高;俞谦荣;杨广立;蒲贤勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-02-28 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种深沟槽隔离结构及其制备方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有浅沟槽隔离结构；图案化所述浅沟槽隔离结构和所述半导体衬底，以在所述浅沟槽隔离结构和所述半导体衬底中形成深沟槽；在所述深沟槽的侧壁上形成氧化物保护层；选用半导体材料填充所述深沟槽，以形成深沟槽隔离结构。通过本发明所述方法制备得到的深沟槽隔离被所述浅沟槽隔离结构包围，增强了所述深沟槽隔离结构的隔离效果，工艺上对准要求降低，减少了工艺步骤，增加了工艺可实现度。
一种深沟隔离结构及其制备方法

[发明专利]深沟槽隔离的制造方法-CN201810947318.9在审
发明人：李娜 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-08-20 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种深沟槽隔离的制造方法，包括步骤：步骤一、在硅衬底表面形成衬垫氧化层和第一氮化层；步骤二、进行浅沟槽的光刻并进行刻蚀形成浅沟槽；步骤三、形成第二氧化层组成硬质掩膜层并将浅沟槽完全填充；步骤四、进行深沟槽的光刻并进行刻蚀形成深沟槽，在横向上深沟槽位于浅沟槽内部，在纵向上深沟槽的深度大于浅沟槽的深度；步骤五、在深沟槽中填充隔离介质层；步骤六、对隔离介质层进行回刻，采用化学机械研磨工艺进行平坦化，去除第一氮化层和所述衬垫氧化层，由填充于深沟槽中的隔离介质层组成深沟槽隔离结构。本发明能形成质量良好的深沟槽隔离并得到较深的深沟槽隔离，有利于缩小器件的尺寸。
深沟槽浅沟槽深沟槽隔离隔离介质层填充衬垫氧化层氮化层光刻刻蚀化学机械研磨工艺深沟槽隔离结构硅衬底表面硬质掩膜层平坦化氧化层回刻去除制造

[发明专利]背照式图像传感器及其形成方法-CN201810971165.1在审
发明人：高俊九;李志伟;黄仁德 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种背照式图像传感器，包括有源层，所述有源层设置有：光电二极管；深沟槽隔离结构，所述深沟槽隔离结构设置于所述光电二极管之间，该深沟槽隔离结构被配置为从所述有源层的背面起始，向所述有源层的正面延伸；所述深沟槽隔离结构包括第一深沟槽隔离结构和第二深沟槽隔离结构，所述第一深沟槽隔离结构的沟槽深度大于所述第二深沟槽隔离结构。本发明提供的背照式图像传感器能够减少或消除相邻光电二极管之间的电学信号串扰，同时规避沟槽深度的限制。
深沟槽隔离结构源层背照式图像传感器光电二极管电学信号串扰背面延伸配置

[发明专利]制造隔离电容器的方法及其结构-CN201180033949.6有效
发明人：权五正;李准东;P·C·帕里斯;D·J·谢皮斯 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2011-06-29 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：提供一种用于制造隔离电容器的方法和结构。该方法包括同时形成穿过SOI和掺杂多晶层而到达下覆绝缘体层的多个深沟槽和围绕多个深沟槽的群组或阵列的一个或更多个隔离沟槽。该方法还包括利用绝缘体材料对多个深沟槽和一个或更多个隔离沟槽进行加衬。该方法还包括利用在绝缘体材料上的传导材料填充多个深沟槽和一个或更多个隔离沟槽。深沟槽形成深沟槽电容器并且一个或更多个隔离沟槽形成一个或更多个隔离极板，该一个或更多个隔离极板将深沟槽电容器的至少一个群组或阵列与深沟槽电容器的另一个群组或阵列隔离。
制造隔离电容器方法及其结构

[发明专利]一种深沟槽隔离栅格结构的制造方法-CN202010745346.X在审
发明人：夏小峰;彭翔 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种CMOS图像传感器及其像素结构，以及像素结构中的深沟槽隔离栅格结构的制造方法。上述的深沟槽隔离栅格结构的制造方法具体包括：提供堆叠层，上述堆叠层的顶部为硅外延层；在上述硅外延层中形成栅格状的多个深沟槽；在各个深沟槽中的侧壁和底部依次沉积第一隔离层和第二隔离层；以及在上述第二隔离层的上表面沉积填满各个深沟槽的第三隔离层，以使多个深沟槽中的第一隔离层、第二隔离层和第三隔离层构成多重隔离栅格。根据本发明所提供的制造方法所形成的深沟槽隔离栅格结构，能够有效降低相邻栅格之间的电子串扰，从而能够有效改进包含上述深沟槽隔离栅格结构的CMOS图像传感器及其像素结构的器件性能。
一种深沟隔离栅格结构制造方法

[发明专利]影像感测器-CN202210792074.8在审
发明人：王俊元;涂宗儒;张育淇;吴翰林;蔡鸿仁 -专利权人：采钰科技股份有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种影像感测器，包括感测单元、设置于感测单元内的感测部、以及对应感测部的隔离结构。从上视图来看，隔离结构包括围绕感测单元的第一深沟槽隔离(deep trench isolation,DTI)结构、以及被第一深沟槽隔离结构横向地包封的第二深沟槽隔离结构。第二深沟槽隔离结构位在靠近通过第一深沟槽隔离结构所定义的感测单元的角落。第二深沟槽隔离结构相对于感测单元内的水平中线或垂直中线为非对称的(asymmetrical)。
影像感测器

[发明专利]BSI工艺深沟槽隔离制造方法-CN202010780590.X在审
发明人：赵春山;康柏;张武志;曹亚民;周维 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种BSI工艺深沟槽隔离制造方法，包括以下步骤：刻蚀形成深沟槽隔离后淀积第一预设厚度的金属，将深沟槽隔离填充满并在深沟槽隔离表面及两侧形成覆盖层；采用研磨去除第二预设厚度的部分覆盖层；采用晶圆面内刻蚀速率能调节刻蚀工艺，刻蚀去除剩余的覆盖层，仅保留深沟槽隔离中的金属填充。本发明可改善晶圆面内均匀性，解决晶圆边缘窗口不足的问题；采用两步移除深沟槽隔离表面金属还可以调节深沟槽隔离顶部金属尺寸，降低天线效应，降低RTS。
bsi 工艺深沟隔离制造方法

[发明专利]一种半导体器件的制造方法及半导体器件-CN202310458248.1在审
发明人：古立亮;罗清威 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的制造方法及半导体器件，制造方法包括：提供半导体基材，半导体基材具有相对的功能器件面和背面；从半导体基材的功能器件面向半导体基材开设第一深沟槽，并在第一深沟槽中形成第一隔离层以作为隔离区；其中，隔离区用于隔离所述半导体基材中的器件区；从半导体基材的背面向半导体基材开设第二深沟槽，并在第二深沟槽中填充第二隔离层以形成深沟槽隔离结构；其中，第二深沟槽处于第一深沟槽在半导体基材的背面上的投影区域中；即本申请能有效加深深沟槽隔离的深度，且降低暗计数，提高半导体器件的性能。
一种半导体器件制造方法

[实用新型]电荷存储单元-CN201720917902.0有效
发明人： L·斯塔克 -专利权人：意法半导体(R&D)有限公司
申请日： 2017-07-26 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种电荷存储单元，包括：半导体区，半导体区具有第一导电类型的电荷载流子；第一深沟槽隔离结构；电荷存储区，电荷存储区的位置邻近于第一深沟槽隔离结构，电荷存储区包括与第一导电类型不同的第二导电类型的电荷载流子并且基本上沿着整个第一深沟槽隔离结构延伸；以及第二深沟槽隔离结构，第二深沟槽隔离结构的位置邻近于电荷存储区并且与第一深沟槽隔离结构相对。
深沟槽隔离结构电荷存储区电荷存储单元第一导电类型电荷载流子半导体区位置邻近导电类型延伸

[发明专利]多深度的深沟槽隔离的制造方法-CN202210457939.5在审
发明人：侯新亚;齐瑞生;黄冠群 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明公开了一种多深度的深沟槽隔离的制造方法，包括：步骤一、在半导体衬底上形成和一种深度的深沟槽隔离对应的硬质掩膜层；步骤二、定义出一种深度的深沟槽隔离的形成区域，进行刻蚀使硬质掩膜层图形化；步骤三、根据深沟槽隔离的深度数量，重复步骤一和二得到各种深度的深沟槽隔离对应的硬质掩膜层的图形化结构；步骤四、同时定义出各种深度的深沟槽隔离的图形结构，对所定义区域的硬质掩膜层图形和半导体衬底进行刻蚀同时形成各种深度的深沟槽。本发明能一步刻蚀形成各种深度的深沟槽，从而能简化刻蚀工艺并提高刻蚀速率和产能；还能避免各种深度的深沟槽分别刻蚀时各种沟槽填充物如BARC无法完全去除的缺陷，从而能提高产品良率。
深度深沟隔离制造方法

[发明专利]一种用于衬底背面引出的深沟槽隔离及其制备方法-CN201911126991.7有效
发明人：曾绍海;李铭;刘谆骅 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开的一种用于衬底背面引出的深沟槽隔离，包括衬底和位于衬底中的深沟槽，其中，所述深沟槽位于所述衬底背面，所述深沟槽中依次形成有填充层Ⅰ和填充层Ⅱ，且所述填充层Ⅰ的消光系数大于填充层Ⅱ；所述衬底中的信号通过所述深沟槽周围的掺杂衬底进行引出本发明提供的一种用于衬底背面引出的深沟槽隔离及其制备方法，在深沟槽中依次沉积消光系数较大的填充层Ⅰ，和消光系数较小的填充层Ⅱ，在激光退火过程中，既能避免深沟槽隔离下面的器件或金属受到激光光强的影响，又能避免由于吸光造成的在深沟槽隔离两侧的
一种用于衬底背面引出深沟隔离及其制备方法

[发明专利]具有衬底连接的深沟槽隔离结构-CN202310271001.9在审
发明人：周俭波;翁向扬;文南七;廖宏昌;杨忠秀 -专利权人：格芯新加坡私人有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本公开涉及具有衬底连接的深沟槽隔离结构。包括深沟槽隔离结构的半导体结构和形成包括深沟槽隔离结构的半导体结构的方法。该半导体结构包括具有器件区的半导体衬底以及位于半导体衬底中的深沟槽隔离结构。深沟槽隔离结构还包括第一部分、与第一部分相邻的第二部分、以及位于第一部分和第二部分中的导体层。深沟槽隔离结构的第一部分中的导体层围绕器件区。深沟槽隔离结构的第二部分中的导体层限定到半导体衬底的电连接。
具有衬底连接深沟隔离结构

[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法-CN202310580470.9在审
发明人：孙卓;李晓玉;陈辉 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：该CMOS图像传感器，包括半导体衬底；至少一个像素单元；多个第一深沟槽隔离结构，用于形成像素单元的边框；多个第二深沟槽隔离结构，形成于像素单元中，通过多个第一深沟槽隔离结构和多个第二深沟槽隔离结构将像素单元分隔出至少三个分区以设置光电二极管，相邻两个光电二极管之间设置有至少一第二深沟槽隔离结构；多个遮蔽区，形成于相邻的两个第二深沟槽隔离结构之间，以间隔相邻的两个第二深沟槽隔离结构。通过将第二深沟槽隔离结构之间的区域设计成未被刻蚀打开的结构，减少刻蚀半导体衬底带来的离子损伤，达到改善白像素的目的。
cmos 图像传感器及其制造方法

[发明专利]CIS器件的深沟槽隔离形成方法、半导体器件结构-CN202110075783.X有效
发明人：李佳龙;黄鹏;范晓;钱文生 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本申请公开了一种CIS器件的深沟槽隔离形成方法、半导体器件结构，涉及半导体制造领域。该方法包括在衬底上生长第一外延层；形成硬掩膜层；在第一外延层中形成若干个纵横排列的深沟槽；在深沟槽内形成第二外延层；在深沟槽内第二外延层的表面形成第一氧化层；利用多晶硅完全填充深沟槽；对衬底进行回刻蚀，露出深沟槽内第一氧化层的侧壁；在多晶硅顶部形成第二氧化层；去除硬掩膜层和第二氧化层上方的第一氧化层；快速生长第三外延层；对衬底表面进行CMP处理，在衬底上形成深沟槽隔离；解决了外延生长方式形成CIS器件的深沟槽隔离时，深沟槽交叉区域的顶部容易出现封口缺陷的问题；优化了深沟槽隔离的形成工艺，提升了器件性能。
cis 器件深沟隔离形成方法半导体器件结构

[发明专利]在图像传感器中制造深沟槽隔离结构的方法及其器件-CN201610592321.4在审
发明人：陈信宏;杨敦年;刘人诚;亚历克斯·卡尔尼茨基;王文德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-07-26 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种方法，该方法包括在衬底上形成深沟槽隔离结构，该衬底具有与正面表面相对的背面表面，深沟槽隔离结构向着正面表面打开。氧化物层形成在衬底的正面表面上以及深沟槽隔离结构的侧壁和底部上。去除衬底的位于深沟槽隔离结构的开口处的部分并且在衬底上形成外延层。本发明实施例涉及在图像传感器中制造深沟槽隔离结构的方法及其器件。
图像传感器制造深沟隔离结构方法及其器件

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