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[发明专利]LDMOS器件及其形成方法、半导体器件的形成方法-CN201811567232.X有效
发明人：王孝远;王刚宁;彭坤;辜良智;蒲贤勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种LDMOS器件及其形成方法、半导体器件的形成方法，LDMOS器件包括：位于漂移区内的漏区；位于体区内的源区，基底暴露出所述源区表面，且所述源区紧挨栅极结构，所述源区的掺杂类型与漏区的掺杂类型相同；位于所述体区内且紧挨所述源区的体接触区，所述基底暴露出所述体接触区表面，且所述体接触区的掺杂类型与所述体区的掺杂类型相同；位于所述体区内且位于所述体接触区下方的击穿调节掺杂区，所述击穿调节掺杂区的掺杂类型与所述体区的掺杂类型相同，所述击穿调节掺杂区适于提高所述体区与漂移区之间的抗穿通能力。本发明在体接触区与体区之间设置有击穿调节掺杂区，提高体区与漂移区之间的抗穿通能力。
ldmos 器件及其形成方法半导体器件

[发明专利]隔离沟槽及工艺方法-CN202111665218.5在审
发明人： 王刚宁;张茂添;仵嘉;张敏 -专利权人：芯合电子（上海）有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种隔离沟槽，由位于半导体衬底表层的第一沟槽以及位于浅沟槽中心底部的第二沟槽两部分组成，所述第二沟槽的开口位于所述第一沟槽的底部；所述第一沟槽为浅沟槽，所述第二沟槽为深沟槽；所述第一沟槽和第二沟槽连为一个整体且以介质层附着于所述第一沟槽及第二沟槽的内壁然后填充满多晶硅形成隔离结构；所述的第一沟槽的横向宽度小于10微米，深度为3000～5000Å，所述第二沟槽的深度为2～5微米；所述第二沟槽的底部还具有注入区。本发明结构能极大地降低寄生三极管的增益系数，使得NPN与PNP器件之间的横向间距即闩锁通路减少10微米，从而节省的版图面积,更好的防止闩锁的发生，同时大幅降低芯片成本。
隔离沟槽工艺方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201810828758.2有效
发明人：杨震;王刚宁;郭兵;赵国旭;赵晓燕 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2018-07-25 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底，基底内形成有相邻接的阱区和漂移区；栅极结构，位于阱区和漂移区交界处的基底上；源区，位于栅极结构一侧的阱区内；漏区，位于栅极结构另一侧的漂移区内；硅化物阻挡层，位于栅极结构靠近漏区一侧的基底上，且还延伸至栅极结构靠近漏区一侧的侧壁和部分顶部；第一通孔互连结构，位于栅极结构和漏区之间的硅化物阻挡层上。本发明通过第一通孔互连结构，获得了一种改善LDMOS性能的方式，能够在降低导通电阻的同时，提高击穿电压、改善热载流子注入效应，使得LDMOS的整体性能得到改善。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种efuse结构及其制备工艺-CN202211513994.8在审
发明人：宋慧芳;王刚宁;刘沙沙 -专利权人：芯合电子（上海）有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种efuse结构及其制备工艺，因为硅有良好的导热系数，所以通过在熔丝底部生长成大尺寸多晶硅作为电流通过熔丝的散热板，抑制热熔断产生，同时通过部分多晶硅进行硅化，另一部分多晶硅通过第三氧化硅层进行遮盖以避免在有第三氧化硅层进行生长熔丝，通过电迁移控制管提供合适电压，以达到合适电流产生电迁移烧断模式的efuse结构。
一种 efuse 结构及其制备工艺

[发明专利]LDMOS器件及其形成方法-CN201810651175.7有效
发明人：杨震;马燕春;郭兵;王孝远;王刚宁 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种LDMOS器件及其形成方法，所述LDMOS器件包括：衬底，所述衬底包括漂移区；场氧化层，位于所述漂移区的衬底上；栅极结构，包括覆盖部分所述场氧化层和衬底的栅电极，以及与所述栅电极相邻的场极板，栅电极的延伸方向为第一方向，在衬底投影面上与所述第一方向垂直的为第二方向，所述场极板在所述第一方向和第二方向均包括多个伪栅结构，所述伪栅结构位于所述场氧化层上；漏区，位于所述场极板一侧的漂移区中；源区，位于所述栅电极一侧的衬底中。本发明所述LDMOS器件的场极板包括多个伪栅结构，伪栅结构之间留有空隙，可以降低靠近漏端一侧的场极板与漂移区之间电场强度，优化LDMOS器件的电学性能。
ldmos 器件及其形成方法

[实用新型]一种压力钢管焊接接地施工系统-CN202222037748.1有效
发明人：王志;王刚宁;刘一霖;赵综凯;李婉茹;王洪旭;陆秋名;唐琳琳;姜洪贺 -专利权人：中国水利水电第六工程局有限公司
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： B23K9/32 文献下载
摘要：本实用新型提供一种压力钢管焊接接地施工系统，属于钢管焊接技术领域，包括底座、滚动架、钢管，所述钢管安放在滚动架上，所述底座的顶部安装有伸缩机构，所述伸缩机构的顶部安装有滚轮组件，所述滚轮组件的内部通过连接组件固定连接有接地组件，所述接地组件包括接地线，所述接地线的一端固定安装在滚轮组件的内部，所述接地线的另一端与电焊机负极相连接，所述钢管位于滚轮组件的上方，本实用新型，结构合理，实现压力钢管焊接作业时焊接接地通过压力钢管与滚轮滚动接触，减少了接地线的损耗和安装拆卸接地线所发生的人工损耗，同时确保焊接作业时压力钢管可靠接地。
一种压力钢管焊接接地施工系统

[发明专利]一种压力钢管焊接接地施工系统及方法-CN202210927266.5在审
发明人：王志;王刚宁;刘一霖;赵综凯;李婉茹;王洪旭;陆秋名;唐琳琳;姜洪贺 -专利权人：中国水利水电第六工程局有限公司
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： B23K9/32 文献下载
摘要：本发明提供一种压力钢管焊接接地施工系统及方法，属于钢管焊接技术领域，包括底座、滚动架、钢管，所述钢管安放在滚动架上，所述底座的顶部安装有伸缩机构，所述伸缩机构的顶部安装有滚轮组件，所述滚轮组件的内部通过连接组件固定连接有接地组件，所述接地组件包括接地线，所述接地线的一端固定安装在滚轮组件的内部，所述接地线的另一端与电焊机负极相连接，所述钢管位于滚轮组件的上方，本发明，结构合理，实现压力钢管焊接作业时焊接接地通过压力钢管与滚轮滚动接触，减少了接地线的损耗和安装拆卸接地线所发生的人工损耗，同时确保焊接作业时压力钢管可靠接地。
一种压力钢管焊接接地施工系统方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910236678.2有效
发明人：张进书;李茂;王刚宁 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2019-03-27 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底；位于基底内的体区和漂移区；栅极结构，位于基底上且横跨覆盖部分体区和部分漂移区；源区，位于体区内且紧挨栅极结构；漏区，位于漂移区内；硅化物阻挡层，保形覆盖栅极结构靠近漏区一侧的侧壁和部分顶部以及栅极结构和漏区之间的基底顶部；层间介质层，覆盖栅极结构和硅化物阻挡层；第一导电插塞，贯穿层间介质层且电连接栅极结构，第一导电插塞还覆盖位于栅极结构上以及位于栅极结构一侧部分基底上的硅化物阻挡层；第二导电插塞，贯穿层间介质层且电连接漏区，且还覆盖位于漏区一侧的部分硅化物阻挡层。本发明通过第一导电插塞和第二导电插塞，降低了整体电场峰值，改善LDMOS晶体管的品质因数。
半导体结构及其形成方法

[实用新型]一种压力钢管瓦片及加劲环组对施工系统-CN202120406872.3有效
发明人： 王刚宁;王志;李锰;姜洪贺;白周昊 -专利权人：中国水利水电第六工程局有限公司
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： B23K37/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种压力钢管瓦片及加劲环组对施工系统，该系统包括组对平台、支撑装置、平台驱动装置，平台驱动装置连接组对平台；组对平台上方设有压力钢管和加劲环，加劲环设置在压力钢管的外侧；压力钢管的内外两侧均设有爬升支架，两个爬升支架上分别设有内自动爬升装置和外自动爬升装置。该系统中，通过组对平台、支撑装置、平台驱动装置、内自动爬升装置和外自动爬升装置等的配合能够自动化实现压力钢管与加劲环的自动化组对安装，减少人工投入、降低劳动强度，提高了压力钢管的生产效率。该施工系统能够对不同直径的压力钢管、不同位置的加劲环的组对安装，适用范围广。该施工系统具有可拆卸性，能够适用于不同的安装现场。
一种压力钢管瓦片加劲施工系统

[发明专利]一种压力钢管瓦片及加劲环组对施工系统及方法-CN202110205697.6在审
发明人： 王刚宁;王志;李锰;姜洪贺;白周昊 -专利权人：中国水利水电第六工程局有限公司
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： B23K37/04 文献下载
摘要：本发明提供一种压力钢管瓦片及加劲环组对施工系统及方法，该系统包括组对平台、支撑装置、平台驱动装置，平台驱动装置连接组对平台；组对平台上方设有压力钢管和加劲环，所述加劲环设置在压力钢管的外侧；压力钢管的内外两侧均设有爬升支架，两个爬升支架上分别设有内自动爬升装置和外自动爬升装置。该系统及方法中，通过组对平台、支撑装置、平台驱动装置、内自动爬升装置和外自动爬升装置等的配合能够自动化实现压力钢管与加劲环的自动化组对安装，减少人工投入、降低劳动强度，提高了压力钢管的生产效率。该施工系统能够对不同直径的压力钢管、不同位置的加劲环的组对安装，适用范围广。该施工系统具有可拆卸性，能够适用于不同的安装现场。
一种压力钢管瓦片加劲施工系统方法

[发明专利]ESD通路探测方法及系统-CN201710417816.8有效
发明人：王俊;王刚宁;汤觅;蒲贤勇;朱澄宇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-06-06 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：一种ESD通路探测方法及系统，所述方法包括：当待测试芯片泄放ESD电流时，对所述待测试芯片因泄放ESD电流产生的光子进行探测；基于探测得到的光子的位置信息，获得ESD通路影像；基于所述ESD通路影像，确定所述待测试芯片中对应的ESD通路是否正常。上述的方案，可以对待测试芯片中ESD通路进行定位，满足对待测试芯片ESD通路失效原因的分析需求。
esd 通路探测方法系统

[实用新型]一种可实现加劲环自动化焊接的装置-CN202020484298.9有效
发明人： 王刚宁;李锰;王志;张惠忠;岳强;刘佳奇;白周昊;赵有庆;刘思宜 -专利权人：中国水利水电第六工程局有限公司
申请日： 2020-04-03 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： B23K9/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可实现加劲环自动化焊接的装置，包括龙门式平台架和焊接装置，所述龙门式平台架底部设有多个滚动架，所述滚动架上方滚动安装有钢管，所述钢管上设有加劲环，所述龙门式平台架顶部设有安装架，所述焊接装置安装在安装架上,所述焊接装置由多个气保焊枪、摆动器、升降杆、伸缩杆和导向箱组成，多个所述气保焊枪的焊枪头位于加劲环两侧。本实用新型中，通过滚动架带动钢管转动，使得加劲环与其两侧的气保焊枪形成相对运动，同时导向箱可以自动追踪焊缝轨迹，从而实现自动化焊接，降低操作工技术水平的要求，通过气保焊枪的焊头对加劲环两侧的焊缝同时进行焊接，实现双面焊缝一次成型，提高焊接效率，减少人员使用。
一种实现加劲自动化焊接装置

[实用新型]一种可实现多片加劲环同时下料的装置-CN202020508651.2有效
发明人：李锰;王刚宁;王志;李汶青;岳强;刘佳奇;白周昊;赵有庆;刘思宜 -专利权人：中国水利水电第六工程局有限公司
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： B23K7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可实现多片加劲环同时下料的装置，包括旋转机头，所述旋转机头一侧连接有导向杆，所述导向杆外侧套接有多个第一夹具，所述第一夹具底部连接有连接杆，所述连接杆延伸端连接有第二夹具，所述第二夹具内的两个夹块之间夹持有割矩，所述割矩底部设有钢板。本实用新型中，通过设置多个割矩，对钢板进行同时下料，减少下料时间，提高下料效率，且下料过程中，加劲环内外两侧同时均匀受热，变形量小，提高了加劲环的质量。
一种实现加劲时下装置

[发明专利]GaN薄膜的制备方法-CN201510532696.7有效
发明人：彭昀鹏;王刚宁;戴执中;杨广立;王蛟;孙泓 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2015-08-26 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种GaN薄膜的制备方法，包括：提供半导体衬底；将所述半导体衬底放入外延腔体中，向所述外延腔体中通入镓源和氮源，在所述半导体衬底的表面外延GaN薄膜，并监控外延过程中薄膜的反射率；当所述GaN薄膜的反射率上升到第一预定值时，停止向所述外延腔体中通入镓源，向所述外延腔体中通入硅烷和氮源，所述硅烷刻蚀所述GaN薄膜；当所述GaN薄膜的反射率下降到第二预定值时，停止向所述外延腔体中通入所述硅烷，向所述外延腔体中通入镓源和氮源，继续在所述半导体衬底上外延GaN薄膜。本发明中，采用硅烷刻蚀GaN薄膜，可以有效减小外延生长GaN薄膜时产生的位错缺陷，减少晶体中的载流子捕获陷阱，提高GaN薄膜的性能。
gan 薄膜制备方法

[发明专利]高压晶体管及其形成方法-CN201810298006.X在审
发明人：杨震;马燕春;郭兵;赵晓燕;王刚宁 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01L29/41 文献下载
摘要：一种高压晶体管及其形成方法，其中高压晶体管包括：基底；位于所述基底中的漂移区；位于所述基底中的源端阱区，所述源端阱区和所述漂移区邻接且位于所述漂移区的侧部；位于所述漂移区中的场氧化层；位于部分源端阱区上的栅极结构，且源端阱区上的栅极结构还延伸至部分漂移区和部分场氧化层上；位于所述栅极结构和场氧化层的一侧漂移区中的漏区；位于所述漏区上的漏插塞，所述漏插塞和所述漏区电学连接；位于部分场氧化层上的附加栅极结构，所述附加栅极结构覆盖所述场氧化层中朝向漏区的边缘区域，所述附加栅极结构和所述漏插塞电学连接。所述高压晶体管的性能得到提高。
栅极结构漂移区场氧化层高压晶体管漏区源端阱区插塞基底电学连接边缘区域邻接延伸覆盖

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