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[发明专利]半导体制作工艺-CN201610871615.0在审
发明人：韩广涛;陆阳;任远程;周逊伟 -专利权人：杰华特微电子（张家港）有限公司
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体制作工艺，包括在注入n阱和p阱之前，在漂移区生长第一衬垫氧化层；在注入n阱和p阱的同时，将n阱和p阱打开区域的第一衬垫氧化层去掉；在去掉第一衬垫氧化层的区域生长第二衬垫氧化层，第二衬垫氧化层的厚度小于第一衬垫氧化层的厚度；在第一衬垫氧化层和第二衬垫氧化层上淀积氮化物薄膜，生长场氧，利用氮化物薄膜下不同厚度的衬垫氧化层，形成长度不同的鸟嘴。由于厚衬垫氧化层区形成的较长鸟嘴，可有效提高击穿电压，而薄的衬垫氧化层区形成的较短鸟嘴，不影响工艺中其他器件的特性。
半导体制作工艺

[发明专利]浅沟槽隔离结构形成方法-CN201010292511.7有效
发明人：杨芸;洪中山 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-09-19 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，包括：提供表面形成有衬垫氧化层的衬底；对所述衬垫氧化层进行掺杂离子注入，形成掺杂衬垫氧化层；在所述掺杂衬垫氧化层表面形成硬掩膜层；在所述硬掩膜层、掺杂衬垫氧化层和衬底内形成沟槽；形成填充所述沟槽的填充介质层；去除所述硬掩膜层，暴露出掺杂衬垫氧化层；去除所述掺杂衬垫氧化层暴露出衬底。
沟槽隔离结构形成方法

[发明专利]浅沟槽隔离结构形成方法-CN201010292403.X有效
发明人：杨芸;洪中山 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-09-19 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，包括：提供表面依次形成有衬垫氧化层和硬掩膜层的衬底；在所述硬掩膜层、衬垫氧化层和衬底内形成沟槽；形成填充所述沟槽的填充介质层；去除所述硬掩膜层，暴露出衬垫氧化层；对所述暴露出的衬垫氧化层进行掺杂离子注入，形成掺杂衬垫氧化层；去除所述掺杂衬垫氧化层暴露出衬底。
沟槽隔离结构形成方法

[发明专利]采用牺牲衬垫氧化层来改善浅沟隔离角部圆化的方法-CN200910057907.0无效
发明人：林钢 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-09-17 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用牺牲衬垫氧化层来改善浅沟隔离角部圆化的方法，包括如下步骤：第一步，浅沟隔离(STI)刻蚀；第二步，在浅沟隔离露出的硅表面生长一层牺牲衬垫氧化层；第三步，牺牲衬垫氧化层剥离；第四步，氮化硅开窗口；第五步，在浅沟隔离露出的硅表面生长一层衬垫氧化层。该方法采用了先生长牺牲衬垫氧化层，然后剥离再重新生长衬垫氧化层，可以大大提高STI角部圆化轮廓。
采用牺牲衬垫氧化改善隔离角部圆化方法

[发明专利]浅沟槽隔离的制作方法-CN201110328075.9无效
发明人：曹永峰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-10-25 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种浅沟槽隔离的制作方法，在硅片上依次沉积衬垫氧化层、衬垫氮化层、氧化物硬模和氮化物硬膜；形成贯穿硅片上所述结构和部分硅片的浅沟槽；腐蚀氮化物硬膜、氧化物硬模和衬垫氮化层；在上述结构表面沉积氧化膜；在浅沟槽内填充绝缘介质，形成绝缘介质层，化学机械研磨形成浅沟槽隔离结构。本发明采用氮化物硬膜作为浅沟槽隔离刻蚀的硬掩膜，氧化物硬模作为氮化物硬膜的应力释放层以及腐蚀衬垫氮化层的牺牲层，从而减少衬垫氮化层的初始厚度、降低应力，进而减少衬垫氧化层的厚度，改善浅沟槽隔离凹坑的形貌
沟槽隔离制作方法

[发明专利]一种碳化硅PiN二极管的结终端结构的制造方法-CN201610526004.2有效
发明人：吴佳;李诚瞻;史晶晶;高云斌;周正东;刘国友;彭勇殿 -专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2016-07-06 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅PiN二极管的结终端结构的制造方法，首先在晶圆上生长衬垫氧化层和衬垫氮化硅；然后利用光刻和腐蚀工艺定义需要生长氧化层的区域；再利用衬垫氧化层和衬垫氮化硅作为阻挡层生长氧化层；最后通过湿法腐蚀的方式去除衬垫氮化硅和衬垫氧化硅通过这种方法能够避免在获得碳化硅PiN二极管的结终端结构的过程中由于刻蚀造成的损伤，通过由于进行了氧化，提高了载流子的寿命，从而改善了器件的性能。
一种碳化硅 pin 二极管终端结构制造方法

[发明专利]具有多衬垫的半导体元件结构及其制备方法-CN202210178450.4在审
发明人：徐嘉祥 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：该绝缘体上覆硅区具有一半导体基底；一埋入氧化物层，设置在该半导体基底上；以及一硅层，设置在该埋入氧化物层上。该半导体元件结构亦具有一第一浅沟隔离结构，穿经该硅层与该埋入氧化物层，且延伸进入该半导体基底中。该第一浅沟隔离结构具有一第一衬垫，接触该半导体基底与该硅层；一第二衬垫，覆盖该第一衬垫并接触该埋入氧化物层；以及一第三衬垫，覆盖该第二衬垫。该第一衬垫、该第二衬垫以及该第三衬垫包含不同材料。该第一浅沟隔离结构亦具有一第一沟槽填充层，设置在该第三衬垫上且通过该第三衬垫而与该第二衬垫分隔开。
具有衬垫半导体元件结构及其制备方法

[发明专利]一种提高闪存单元有效沟道宽度的方法-CN201410308660.6有效
发明人：于法波;舒清明 -专利权人：上海格易电子有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2014-06-30 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高闪存单元有效沟道宽度的方法，包括：在半导体衬底上刻蚀隔离区和有源区，其中，所述半导体衬底由硅衬底、牺牲氧化硅层和掩膜氮化硅层依次叠层而成；对所述掩膜氮化硅层进行回刻至所述牺牲氧化硅层，并以剩余掩膜氮化硅层为掩膜刻蚀所述牺牲氧化硅层至所述硅衬底；形成第一衬垫氧化硅层，其中，所述第一衬垫氧化硅层的厚度处于5nm～15nm之间；去除所述第一衬垫氧化硅层，以形成圆滑转角的半导体结构；采用高温氧化法淀积第二衬垫氧化硅层并致密化处理本发明通过高温氧化法淀积第二衬垫氧化硅层并致密化处理，使硅衬底的沟道边沿的硅免受二次损耗并提高了第二衬垫氧化硅层的绝缘性能，达到了提高有效沟道宽度和器件性能的效果。
衬垫氧化硅层掩膜牺牲氧化硅层有效沟道宽度氮化硅层硅衬底高温氧化法致密化处理闪存单元衬底淀积刻蚀半导体半导体结构绝缘性能器件性能圆滑转角隔离区叠层沟道回刻去除源区

[发明专利]浅沟槽隔离结构形成方法-CN201010111207.8有效
发明人：张瑛;林伟铭;吴晓丽 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-02-10 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种浅沟槽隔离结构形成方法，包括：提供衬底，所述衬底上依次形成有衬垫氧化层和氮化硅层，所述衬垫氧化层和氮化硅层内形成有暴露出衬底的开口；沿开口刻蚀所述衬底形成浅沟槽，所述浅沟槽侧壁顶部的拐角为弧形；去除与浅沟槽侧壁顶部对应的氮化硅层直至暴露出衬垫氧化层；在所述浅沟槽侧壁、顶部和底部形成保护氧化层；在氮化硅层表面和衬垫氧化层表面形成填充所述浅沟槽的隔离介质层；去除隔离介质层直至暴露出氮化硅层；去除氮化硅层和衬垫氧化层。
沟槽隔离结构形成方法

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202310302526.4有效
发明人：李昇聪;陈宣宇 -专利权人：合肥新晶集成电路有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，其中，半导体器件包括设有沟槽的衬底、非共形衬垫应用层、栅氧化层和栅极。在形成栅氧化层前，于衬底上表层和沟槽的第一槽壁上形成非共形衬垫应用层。由于非共形衬垫应用层与衬底材质不同，因此，两者对于栅氧化层的长膜速率存在差异。具体而言，相对于在衬底上生长栅氧化层，非共形衬垫应用层能够抑制栅氧化层的生长，因此，位于非共形衬垫应用层上的栅氧化层厚度要小于位于衬底上的栅氧化层厚度，由此在沟槽内填入栅极时不会提早封口造成空洞或缝隙，
半导体器件及其制备方法

[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构-CN202211412040.8在审
发明人：任杰;李乐;王峰;黄永彬 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：半导体结构的制备方法包括：提供基底，基底内形成有多个至少部分外露于基底的浅沟槽隔离结构，相邻设置的两个浅沟槽隔离结构之间的基底的上表面形成有初始衬垫氧化层；对初始衬垫氧化层进行减薄处理，以得到衬垫氧化层；对基底进行热氧化处理，以在基底中形成初始牺牲层，初始牺牲层形成于衬垫氧化层的下表面；去除衬垫氧化层，并对初始牺牲层进行减薄处理，以得到牺牲层；对基底进行热氧化处理，以在基底中形成栅氧化层，栅氧化层形成于牺牲层的下表面；去除牺牲层。
半导体结构制备方法

[发明专利]半导体器件中的隔离结构的轮廓控制-CN202210886433.6在审
发明人：李维晋;张哲豪;吴振诚;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：该方法包括：在衬底上形成鳍结构，在鳍结构上形成超晶格结构，在第一沉积工艺中围绕超晶格结构和鳍结构沉积氧化物衬垫，在氧化物衬垫上形成掺杂剂源衬垫，在与第一沉积工艺不同的第二沉积工艺中在掺杂剂源衬垫上沉积氧化物填充层，执行掺杂工艺以形成掺杂氧化物衬垫和掺杂氧化物填充层，从超晶格结构的侧壁去除掺杂氧化物衬垫、掺杂氧化物填充层和掺杂剂源衬垫的部分，以及在鳍结构上并围绕第一纳米结构化层形成栅极结构。
半导体器件中的隔离结构轮廓控制

[发明专利]半导体元件结构及其制备方法-CN202210146632.3在审
发明人：薛宇涵 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：该绝缘体上覆硅区具有一半导体基底；一埋入氧化物层，设置在该半导体基底上；以及一硅层，设置在该埋入氧化物层上。该半导体元件结构亦具有一第一浅沟隔离结构，穿经该硅层与该埋入氧化物层，且延伸进入该半导体基底中。该第一浅沟隔离结构具有一第一衬垫，接触该半导体基底与该硅层；一第二衬垫，覆盖该第一衬垫并接触该埋入氧化物层；以及一第三衬垫，覆盖该第二衬垫。该第一衬垫、该第二衬垫以及该第三衬垫包含不同材料。该第一浅沟隔离结构亦具有一第一沟槽填充层，设置在该第三衬垫上且借由该第三衬垫而与该第二衬垫分隔开。
半导体元件结构及其制备方法

[发明专利]电气器件以及制造电气器件的方法-CN202211589417.7在审
发明人：布丽吉特·苏利耶;弗雷德里克·瓦龙;朱利安·埃尔萨巴希 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：一种制造电气器件的方法，包括：对可阳极氧化金属层的部分进行阳极氧化，以获得阳极多孔氧化物区域(101)以及与阳极多孔氧化物区域相邻的可阳极氧化金属区域(100)，阳极多孔氧化物区域比可阳极氧化金属区域厚；在阳极多孔氧化物区域和可阳极氧化金属区域上沉积衬垫材料的层(105)；在衬垫材料的层上沉积填充材料的层(106)以获得具有顶表面的堆叠结构，填充材料与衬垫材料不同；对从堆叠结构的顶表面起直至到达衬垫材料的层的堆叠结构进行平坦化，以暴露位于阳极多孔氧化物区域的至少一部分(112)上方的衬垫材料的部分(111)；去除衬垫材料的暴露部分。
电气器件以及制造方法

[发明专利]形成浅沟槽隔离区的方法-CN201210338682.8在审
发明人：张飞;杨玲;夏雁宾 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-09-13 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成浅沟槽隔离区的方法，该方法包括：在半导体衬底上依次形成隔离氧化层和氮化硅层；依次刻蚀氮化硅层、隔离氧化层及半导体衬底，在所述半导体衬底内形成沟槽；在所述沟槽内部表面生长一层衬垫氧化硅；对所述衬垫氧化硅进行退火处理，并通入氧气以提高衬垫氧化硅的形成质量；在沟槽内进行氧化物的填充及抛光，形成浅沟槽隔离区，并去除所述氮化硅层。采用本发明能够改善AA拐角处的衬垫氧化硅膜质量。
形成沟槽隔离方法

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