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[发明专利]作为疏水性涂层的功能化全氟聚醚材料-CN200980160376.6无效
发明人： G.D.欣奇;S.查芬斯;K.P.德坎 -专利权人：惠普开发有限公司
申请日： 2009-05-08 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： G03C1/675 文献下载
摘要：在一些实施方案中，非限制性地，提供疏水性光致抗蚀剂材料和制备该光致抗蚀剂材料的方法。因与功能化全氟聚醚的受控化学反应产生高分辨率不溶性的或溶解性更大的聚合物结构，由此衍生所述光致抗蚀剂材料。还提供了涂布喷墨印刷头表面和处理涂布的喷墨印刷头表面的方法。
作为疏水涂层功能化全氟聚醚材料

[发明专利]图案修整方法-CN201710106431.X有效
发明人： K·罗威尔;刘骢;徐成柏;I·考尔;朴钟根 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2017-02-27 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：修整光致抗蚀剂图案的方法包含：(a)提供半导体衬底；(b)在所述半导体衬底上形成光致抗蚀剂图案，其中所述光致抗蚀剂图案由包含以下的光致抗蚀剂组合物形成：包含酸不稳定基团的第一聚合物；和光酸产生剂；(c)在所述光致抗蚀剂图案上涂布图案修整组合物，其中所述图案修整组合物包含第二聚合物和溶剂系统，其中所述溶剂系统包含以所述溶剂系统计组合量为50重量％或更多的一种或多种单醚溶剂；(d)将所述经涂布半导体衬底加热，由此引起所述光致抗蚀剂图案的表面区域在待施加的冲洗剂中的溶解度变化；以及(e)使所述光致抗蚀剂图案与冲洗剂接触以去除所述光致抗蚀剂图案的所述表面区域，进而形成经修整光致抗蚀剂图案。
图案修整方法

[发明专利]图案形成方法、抗蚀剂图案、电子器件的制造方法及上层膜形成用组合物-CN201680016941.1在审
发明人：畠山直也;井上尚纪;丹吴直纮;白川三千纮;后藤研由 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2016-03-04 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明提供一种图案形成方法、通过上述图案形成方法而形成的抗蚀剂图案、包含上述图案形成方法的电子器件的制造方法，并且通过上述上层膜形成用组合物以高级别兼顾DOF、EL及液残留缺陷性能，所述图案形成方法具备工序a，将感光化射线性或感放射线性树脂组合物涂布于基板上，从而形成抗蚀剂膜；工序b，利用上层膜形成用组合物而在抗蚀剂膜上形成上层膜；工序c，将形成有上层膜的抗蚀剂膜进行曝光；及工序d，使用含有有机溶剂的显影液对经曝光的抗蚀剂膜进行显影来形成图案
图案形成方法抗蚀剂电子器件制造上层组合

[发明专利]涂布抗蚀剂膜的方法和抗蚀剂涂布器-CN99119540.X无效
发明人：与那霸真哉 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1999-09-02 - 公布日： 2000-03-22 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：在具有8英寸或更大直径晶片上通过旋转涂布工艺涂布厚度为5500埃或更薄的抗蚀剂膜。在晶片以500至1200转/每分钟的速度旋转时,向晶片滴下预定量的抗蚀剂,当抗蚀剂在晶片的整个表面扩散时,停止下滴抗蚀剂。晶片的旋转速度提高到晶片的预定的旋转速度,该预定的旋转速度是由控制抗蚀剂膜厚度的晶片预定旋转速度的关联而确定的,并使晶片以该速度旋转1至5秒钟。然后使晶片以低于预定转速的速度旋转15秒钟或更长时间。
涂布抗蚀剂膜方法抗蚀剂涂布器

[发明专利]BGA型部件安装用的多层基板的制造方法-CN201480006819.7有效
发明人：斋藤宏和;吉田一郎 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2014-01-14 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H05K3/28 文献下载
摘要：在安装BGA型部件(12)的多层基板(11)中形成防止信号干扰用的导电通孔(16)、并且形成抗蚀剂膜(17)的BGA型部件安装用的多层基板中，事先防止随着抗蚀剂残留于导电通孔部分而引起的不良状况的产生。在BGA型部件安装用的多层基板的制造方法中，利用空气供给机构(21)向基材的背面侧供给高压的空气来使该空气通过导电通孔，由此一边排除欲侵入该导电通孔内的抗蚀剂，一边执行用于形成抗蚀剂膜的工序中的、在基材(14)的表面部整体涂布感光性的抗蚀剂(19)的涂布工序。
bga 部件安装多层制造方法

[发明专利]使用含有有机溶剂的显影液的显影处理方法和显影处理装置-CN201210043808.9无效
发明人：本武幸一;丹羽崇文;京田秀治;吉原孝介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-02-23 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： G03F7/30 文献下载
摘要：本发明提供一种显影处理方法和显影处理装置，其在使用含有有机溶剂的显影液的显影处理中，能够使处理时间缩短并能够使处理能力提高。在对在表面涂布有抗蚀剂并对抗蚀剂进行曝光后的基板供给含有有机溶剂的显影液来进行显影的显影处理方法中，具有：使基板旋转(步骤S1)，并从显影液供给喷嘴对基板的中心部供给显影液，形成液膜形成的液膜形成工序(步骤A)；和停止从显影液供给喷嘴向基板供给显影液，并在不使显影液的液膜干燥的状态下一边使基板旋转，一边对基板上的抗蚀剂膜进行显影的显影工序(步骤B)。
使用含有有机溶剂显影液显影处理方法装置

[发明专利]微细图案的制造方法以及使用了其的显示器件的制造方法-CN201880068098.0在审
发明人：池田宏和;野中敏章;远山宜亮;铃木孝秀 -专利权人：默克专利有限公司
申请日： 2018-10-17 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：[问题]本发明提供在液晶显示器件制造领域中适宜使用的、实效性地制造分辨极限以下的抗蚀图案的方法。具体提供：维持具有锥形形状的图案形状且为极限分辨以下的微细图案的制造方法。[解决方案]一种微细图案的制造方法，其包含以下的工序：在基板上，涂布包含碱溶解速度为的酚醛清漆树脂的抗蚀组合物，形成抗蚀组合物层的工序，将前述抗蚀组合物层进行曝光的工序，将前述抗蚀组合物层进行显影，形成抗蚀图案的工序，将前述抗蚀图案进行整面曝光的工序，在前述抗蚀图案的表面涂布微细图案形成组合物，形成微细图案形成组合物层的工序，将前述抗蚀图案以及微细图案形成组合物层进行加热，将前述微细图案形成组合物层的前述抗蚀图案附近区域进行固化而形成不溶化层的工序，以及将前述微细图案形成组合物层的未固化部分去除的工序。
微细图案制造方法以及使用显示器件

[发明专利]包含具有碳酸酯骨架的水解性硅烷的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物-CN201680007509.6有效
发明人：柴山亘;中岛诚;后藤裕一;坂本力丸 -专利权人：日产化学工业株式会社
申请日： 2016-01-25 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明的课题是提供，用于形成可以作为硬掩膜使用的抗蚀剂下层膜的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。本发明的解决方法涉及一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，包含作为硅烷的水解性硅烷、其水解物、其水解缩合物、或它们的组合，该水解性硅烷包含选自式(1)、式(2)和式(3)所示的水解性硅烷中的至少一种水解性硅烷本发明的解决方法还涉及一种半导体装置的制造方法，包括下述工序：在半导体基板上形成有机下层膜的工序，在该有机下层膜上涂布抗蚀剂下层膜形成用组合物，进行烧成，形成抗蚀剂下层膜的工序，在前述抗蚀剂下层膜上涂布抗蚀剂膜形成用组合物，形成抗蚀剂膜的工序，将前述抗蚀剂膜进行曝光和显影，获得抗蚀剂图案的工序，然后依次进行蚀刻的工序。
包含具有碳酸骨架水解硅烷光刻用抗蚀剂下层形成组合

[发明专利]干膜抗蚀层基材用聚酯薄膜-CN201980010704.8有效
发明人：中山慧美;栋泰人;川崎泰史 -专利权人：三菱化学株式会社
申请日： 2019-02-15 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： C08J7/04 文献下载
摘要：提供：制成柔性印刷电路板等的干膜抗蚀层工序中能作为基材薄膜使用的干膜抗蚀层基材用聚酯薄膜。一种干膜抗蚀层基材用聚酯薄膜，其特征在于，在聚酯薄膜的至少单面具有涂布层，涂布层中的抗静电剂的含量为45质量％以下，在该涂布层中含有颗粒，相对于对该涂布层的表面进行观察时的颗粒在该涂布层表面中所占的面积总计
干膜抗蚀层基材聚酯薄膜

[发明专利]用于制造平板显示器件的方法和设备-CN200410095589.4有效
发明人：金珍郁 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社
申请日： 2004-12-02 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种制造平板显示器件的方法，包括：在薄膜上涂布抗蚀剂；形成用于对所述薄膜进行构图的具有凹槽和凸起的软模；对所述凸起的端面进行处理；将所述软模施加在所述抗蚀剂上以形成抗蚀剂图案；将所述软模与所述抗蚀剂图案分开；以及利用所述抗蚀剂图案对所述薄膜进行刻蚀以形成薄膜图案。
用于制造平板显示器件方法设备

[发明专利]光刻图案化的方法-CN201711183989.4有效
发明人：张莉琳;张庆裕;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-23 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：方法包括涂布光致抗蚀剂层于基板上，其中光致抗蚀剂层包括第一聚合物、第一光产酸剂、以及化学添加剂混合于溶剂中；对光致抗蚀剂层进行曝光工艺；以及对光致抗蚀剂层进行显影工艺，以形成图案化光致抗蚀剂层。化学添加剂在光致抗蚀剂层中的分布不一致。
光刻图案方法

[发明专利]非旋涂方式用正型光致抗蚀剂组合物及抗蚀图形形成方法-CN200510054468.X无效
发明人：青木知三郎;森尾公隆;加藤哲也 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2005-03-10 - 公布日： 2005-09-14 - 主分类号： G03F7/039 文献下载
摘要：本发明提供一种非常适用于非旋涂方式的正型光致抗蚀剂组合物。这种组合物是在具有通过使喷嘴与基板相对移动在基板的整个涂布面上涂布正型光致抗蚀剂组合物工序的非旋涂方式中使用的正型光致抗蚀剂组合物，含有(A)碱可溶性树脂，(B)萘醌二叠氮酯化物，及(D)有机溶剂，该组合物的粘度在
非旋涂方式用正型光致抗蚀剂组合图形形成方法

[发明专利]涂布于抗蚀剂图案的含有聚合物的涂布液-CN201580010173.4有效
发明人：志垣修平;境田康志;坂本力丸 -专利权人：日产化学工业株式会社
申请日： 2015-02-03 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：本发明的课题是提供代替以往的冲洗液使用的、涂布于抗蚀剂图案的涂布液。本发明的解决方法是一种涂布于抗蚀剂图案的涂布液，含有聚合物和溶剂，所述聚合物具有下述式(1)所示的结构单元，所述溶剂含有水和/或醇类，抗蚀剂图案含有聚合物涂布液

[发明专利]使用溶剂显影用形成含硅抗蚀剂下层膜的组合物的半导体装置的制造方法-CN201380007256.9有效
发明人：武田谕;中岛诚;菅野裕太;若山浩之 -专利权人：日产化学工业株式会社
申请日： 2013-01-23 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明的课题是提供在将抗蚀剂曝光后，用有机溶剂显影来形成抗蚀剂图案方面良好的抗蚀剂下层膜。作为解决本发明课题的方法涉及一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序：工序(A)，将形成抗蚀剂下层膜的组合物涂布在基板上，进行烘烤来形成抗蚀剂下层膜，所述形成抗蚀剂下层膜的组合物包含水解性硅烷、其水解物所示的硅烷和式(3)所示的硅烷，在全部硅烷中以摩尔％计下述式(1)所示的硅烷:下述式(2)所示的硅烷:下述式(3)所示的硅烷为45～90:6～20:0～35的比例含有各硅烷；工序(B)，在上述下层膜上涂布抗蚀剂用组合物，形成抗蚀剂膜；工序(C)，将上述抗蚀剂膜进行曝光；工序(D)，曝光后将抗蚀剂膜用有机溶剂显影，获得被图案化了的抗蚀剂膜；和工序(E)，利用被图案化了的抗蚀剂膜对上述抗蚀剂下层膜进行蚀刻，利用被图案化了的抗蚀剂下层膜对基板进行加工
使用溶剂显影形成含硅抗蚀剂下层组合半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置的制作方法-CN201611187173.4有效
发明人：赖韦翰;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G03F1/56 文献下载
摘要：一种半导体装置的制作方法，包括：形成光致抗蚀剂图案于可图案化层上。光致抗蚀剂层包含负型光致抗蚀剂材料。对光致抗蚀剂层进行曝光工艺。对光致抗蚀剂层进行曝光后烘烤工艺。冲洗光致抗蚀剂层以显影光致抗蚀剂图案。施加底漆材料至光致抗蚀剂图案。底漆材料为设置用于使光致抗蚀剂图案轮廓平直化，增加光致抗蚀剂材料的去保护酸敏基团单元数目、或与光致抗蚀剂材料的去保护酸敏基团单元键结。在施加底漆材料后，涂布收缩材料于光致抗蚀剂图案上、烘烤收缩材料、以及移除部分的收缩材料以增大光致抗蚀剂图案。以增大的光致抗蚀剂图案作为掩模，图案化可图案化层。
半导体装置制作方法