专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]生产硅烷、一氯硅烷、二氯硅烷和六氯乙硅烷的系统-CN202011623031.4有效
  • 陶刚义 - 内蒙古兴洋科技股份有限公司
  • 2020-12-31 - 2022-09-20 - C01B33/04
  • 本发明公开了一种生产硅烷、一氯硅烷、二氯硅烷和六氯乙硅烷的系统,包括:原料合成系统、硅烷合成系统、一氯硅烷合成系统、二氯硅烷合成系统和六氯乙硅烷合成系统;其中,原料合成系统包括氢化系统、歧化塔一、歧化塔二、冷凝器一和冷凝器二;冷凝器一固定在歧化塔一的顶端,并与歧化塔一连通;冷凝器二固定在歧化塔二的顶端,并与歧化塔二连通;氢化系统的入口与六氯乙硅烷合成系统连通;顶端出口与歧化塔一的入口连通;歧化塔一的顶端出口与歧化塔二的入口连通,底端出口与六氯乙硅烷合成系统的入口连通;歧化塔二的底端出口与歧化塔一的入口连通,顶端出口与硅烷合成系统的入口连通。
  • 生产硅烷六氯乙系统
  • [发明专利]一种电催化合成高纯乙硅烷的方法-CN202011538055.X有效
  • 陶刚义;汪俊 - 内蒙古兴洋科技有限公司
  • 2020-12-23 - 2021-08-31 - C25B1/01
  • 本发明公开了一种电催化合成高纯乙硅烷的方法,过程包括:以甲硅烷为原料,经电催化,得到甲硅烷、氢气、乙硅烷、高硅烷的混合物;所得混合气体进入缓冲罐中混匀,然后在压缩装置中进行压缩,并进行气液分离,分离出氢气、甲硅烷冷凝回流液、高硅烷液体和乙硅烷液体,氢气排出,甲硅烷冷凝回流液循环回到缓冲罐中;根据各组分沸点和临界压强的不同,对所得甲硅烷液体、高硅烷液体和乙硅烷液体进行分离提纯,得到乙硅烷气体。该方法直接对甲硅烷进行电催化合成乙硅烷,副产物少,效率高,乙硅烷的纯度高达99.998%。
  • 一种电催化合成高纯硅烷方法
  • [发明专利]反应精馏处理硅烷尾气的装置和方法-CN201510413200.4在审
  • 黄国强 - 黄国强
  • 2015-07-14 - 2015-09-23 - C01B33/107
  • 本发明涉及反应精馏处理硅烷尾气的装置和方法,将氯硅烷从氯硅烷入口中加入到反应精馏塔中,硅烷尾气从硅烷尾气入口中加入到反应精馏塔,硅烷尾气和氯硅烷在反应段发生反应,其中氯硅烷是四氯化硅、三氯氢硅、二氯氢硅中两种或三种混合物,氯硅烷和少量不与氯硅烷反应的尾气在精馏段分离,氯硅烷在塔顶冷凝器冷凝,残留尾气从尾气出口采出,氯硅烷和少量硅烷尾气在提馏段分离,氯硅烷回流至塔釜,循环泵将大部分氯硅烷循环至反应段上段,部分氯硅烷从塔釜采出口采出硅烷尾气的处理率几乎达到100%。本发明实现硅烷尾气无害化处理,实现硅烷法生产多晶硅的闭路循环,具有安全性、经济性、环保性、创造性和新颖性。
  • 反应精馏处理硅烷尾气装置方法
  • [发明专利]一种高强度聚碳硅烷的制备方法-CN202110473723.3在审
  • 郑桦;黄力峰;陈福来;林家法 - 福建立亚化学有限公司
  • 2021-04-29 - 2021-07-06 - C08G77/60
  • 本发明提供了一种高强度聚碳硅烷的制备方法,所述高强度聚碳硅烷为含铍聚碳硅烷,所述方法包括以下步骤:合成聚二甲基硅烷,利用二甲苯与金属钠在高温下反应得到聚二甲基硅烷粉末;合成液态聚硅烷,利用聚二甲基硅烷加热分解得到液态聚硅烷;合成聚碳硅烷,利用聚硅烷加热分解、合成得到一定分子量的聚碳硅烷;含铍聚碳硅烷的制备,利用聚碳硅烷与乙酰丙酮铍混合反应得到含铍聚碳硅烷;能够制备与现有技术中性能同样良好的聚碳硅烷;本发明的技术方案中采用低压高温裂解法制备聚碳硅烷,降低了在聚碳硅烷在工业化生产中对生产设备的要求,提高了安全性,降低了聚碳硅烷中混入杂质的可能性。
  • 一种强度硅烷制备方法
  • [发明专利]一种电子级四甲基硅烷的制备方法-CN202211656058.2在审
  • 赵俊彤;曾宪友;蔡江 - 天津中科拓新科技有限公司
  • 2022-12-22 - 2023-04-18 - C07F7/08
  • 本发明提出了一种电子级四甲基硅烷的制备方法,三甲基氯硅烷在催化剂作用下,发生歧化反应,得到四甲基硅烷、一甲基三氯硅烷和二甲基二氯硅烷的反应产物;反应产物经冷凝后进行精制,精制后采出纯度≥5N的电子级四甲基硅烷产品,同时采出三甲基氯硅烷、一甲基三氯硅烷、二甲基二氯硅烷混合组分;得到的三甲基氯硅烷、一甲基三氯硅烷、二甲基二氯硅烷混合组分进行脱重,得到三甲基氯硅烷返回歧化反应,同时采出一甲基三氯硅烷、二甲基二氯硅烷混合组分进入后续流程进行处理三甲基氯硅烷转化率18~25%,四甲基硅烷收率10~15%。整个过程无三废产生,大大提高了生产过程的绿色化程度和经济效益。
  • 一种电子甲基硅烷制备方法
  • [发明专利]一种用于水性体系的硅烷共聚物及其制备方法-CN202011166393.5有效
  • 冯琼华;黄天次;李胜杰;肖俊平;姚晨 - 湖北新蓝天新材料股份有限公司
  • 2020-10-27 - 2023-10-03 - C07F7/18
  • 本发明公开了一种硅烷共聚物及其制备方法,其包括:1)将氨基烷基硅烷A与氨基烷基硅烷B、环氧丙氧基烷基硅烷、甲基丙烯酰氧烷基硅烷、烷基硅烷、正硅酸酯类硅烷、乙烯基硅烷、丙烯酰氧丙基硅烷、烯丙基硅烷、巯丙基硅烷、脲丙基硅烷中的一种或两种加入反应器中,再加入溶剂A和催化剂,搅拌均匀得到硅烷反应液;2)将超纯水与另一份溶剂A形成的混合液在42‑60℃下滴加到硅烷反应液中;滴加完毕后保温反应,反应结束进行后处理后得到所述硅烷共聚物本发明通过引入不同种类的硅烷赋予硅烷共聚物各种优异的性能,且合成工艺简单方便工业化、低VOC对环境友好、水溶性好在水性体系中可长时间稳定存在,具有良好的储存稳定性等优点。
  • 一种用于水性体系硅烷共聚物及其制备方法
  • [发明专利]一种高价硅烷的制造方法-CN202210469170.9在审
  • 郑彰 - 浙江迅鼎半导体材料科技有限公司
  • 2022-04-30 - 2022-07-22 - C01B33/04
  • 一种高价硅烷的制造方法,以低价硅烷硅烷和载气氢气为原料气,经150℃‑300℃的加热再通过催化剂催化合成高价硅烷产物乙(二)硅烷和丙(三)硅烷气体,甲硅烷和氢气的进气体积比为甲硅烷70‑95vol%、氢气5‑30vol%,反应压力控制在0.2‑1MPa,甲硅烷的转化率为2‑4莫耳%,乙(二)硅烷的选择率为80‑90莫耳%,丙(三)硅烷的选择率为10‑20莫耳%。本发明方法中乙(二)硅烷和丙(三)硅烷经脱气、分离、提纯、精馏等工序取得高纯气体产品,解决了高价硅烷产物乙(二)硅烷和丙(三)硅烷大规模生产的问题,大大的提高乙(二)硅烷和丙(三)硅烷生产效率,降低使用能耗及生产成本
  • 一种高价硅烷制造方法
  • [发明专利]生产用于透明导体的超薄金属纳米线的方法-CN201580051479.4有效
  • 杨培东;孙建伟;于奕;崔凡 - 加利福尼亚大学董事会
  • 2015-09-25 - 2019-09-13 - B22F1/00
  • 所述要求保护的方法包括以下步骤:a)形成包含硅烷基还原剂、铜金属盐以及表面配体的反应混合物,其中所述表面配体也可以是溶剂;以及b)在搅拌或不搅拌的情况下加热所述反应混合物并使其维持在高温下1小时至48小时硅烷基还原剂的实例是:三乙基硅烷、三甲硅烷、三异丙基硅烷、三苯基硅烷、三正丙基硅烷、三正己基硅烷、三乙氧基硅烷、三(三甲基甲硅烷氧基)硅烷、三(三甲基甲硅烷基)硅烷、二叔丁基甲基硅烷、二乙基甲基硅烷、二异丙基氯硅烷、二甲基氯硅烷、二甲基乙氧基硅烷、二苯基甲基硅烷、乙基二甲基硅烷、乙基二氯硅烷、甲基二氯硅烷、甲基二乙氧基硅烷、十八烷基二甲基硅烷、苯基二甲基硅烷、苯基甲基氯硅烷、1,1,4,4‑四甲基‑1,4‑二硅杂丁烷、三氯硅烷、二甲基硅烷、二叔丁基硅烷、二氯硅烷、二乙基硅烷、二苯基硅烷、苯基甲基硅烷、正己基硅烷、正十八烷基硅烷、正辛基硅烷、以及苯基硅烷
  • 生产用于透明导体超薄金属纳米方法
  • [发明专利]三氯硅烷的制造方法-CN201480008798.2在审
  • 石田昌彦;齐藤弘;长谷川正幸 - 信越化学工业株式会社
  • 2014-01-15 - 2015-11-18 - C01B33/107
  • 在本发明所涉及的三氯硅烷的制造方法中,采用下述操作:在随着从含有甲基二氯硅烷(CH3HSiCl2)、四氯硅烷(SiCl4)和三氯硅烷(HSiCl3)的混合物(S)中除去甲基二氯硅烷而得到高纯度的三氯硅烷时,通过催化处理,在甲基二氯硅烷与四氯硅烷之间进行氯原子的重分配而转变为三氯硅烷和甲基三氯硅烷(CH3硅烷(沸点32℃)沸点接近的甲基二氯硅烷(沸点41℃)通过与四氯硅烷之间进行氯原子的重分配而转变为沸点更高的甲基三氯硅烷(沸点66℃),杂质除去变容易。
  • 硅烷制造方法
  • [发明专利]三氯硅烷的制造方法-CN201180013151.5有效
  • 田中秀二;田畑正树 - 信越化学工业株式会社
  • 2011-03-01 - 2012-11-21 - C01B33/107
  • 本发明将含有甲基二氯硅烷、四氯硅烷和三氯硅烷的混合物进行蒸馏,从而分馏出甲基二氯硅烷含有率比蒸馏前混合物高的馏分。并且加热该分馏的馏分,在甲基二氯硅烷和四氯硅烷间进行氯的再分配、从而将甲基二氯硅烷转化为甲基三氯硅烷。之后,将含有该甲基三氯硅烷的再分配后的馏分进行蒸馏纯化,从而分离出高纯度的三氯硅烷。甲基二氯硅烷(沸点41℃)因为沸点与作为蒸馏纯化对象的三氯硅烷的沸点(32℃)接近,因此难以除去。在本发明中,通过在与四氯硅烷之间进行氯的再分配来转化为甲基三氯硅烷(沸点66℃),从而使除去变得容易。
  • 硅烷制造方法

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