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[发明专利]干膜光致抗蚀剂及其制备方法-CN200810220127.9有效
发明人：李兆辉 -专利权人：番禺南沙殷田化工有限公司
申请日： 2008-12-18 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：印刷电路板加工用的干膜光致抗蚀剂及其制备方法，该干膜光致抗蚀剂由聚酯薄膜，光致抗蚀剂膜及聚乙烯保护膜三部分组成。光致抗蚀剂膜为干膜光致抗蚀剂的主体，其制备方法为将感光胶涂布到聚酯薄膜上而成，搅拌加热制成。通过测试表明用该方法制备的干膜光致抗蚀剂相对原有方法制备的干膜光致抗蚀剂具有良好的光谱范围，并降低了感光度，从而减少了曝光时间和能源消耗，能有效的提高良品率并降低生产成本。
干膜光致抗蚀剂及其制备方法

[发明专利]涂敷方法、涂敷装置以及涂敷处理程序-CN200710004022.5有效
发明人：藤田直纪;绪方庸元;若元幸浩 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-01-19 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： B05D1/02 文献下载
摘要：在涂敷扫描的最后阶段，通过瞬间提高扫描速度(急加速)，使此前附着或者追随在抗蚀剂喷嘴的下部侧面(78b)的弯液面的抗蚀剂液隆起部(RQ)从抗蚀剂喷嘴(78)分离，优选将其留在保证区域边界(L_{X并且，在扫描刚结束后，使抗蚀剂喷嘴(78)在基板(G)上进行倒吸，从而去除涂敷扫描终端部的多余抗蚀剂液，此时倒吸的影响被上述留下的抗蚀剂液隆起部(RQ)抵消，从而可以防止保证区域(E_S)内的抗蚀剂膜厚变成设定值或者容许范围以下。}
方法装置以及处理程序

[发明专利]液体供给装置-CN201410770760.0在审
发明人：船越秀朗;久保田稔 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2014-12-12 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： B05C11/10 文献下载
摘要：在对被处理体给处理液时，够在抑制装置的复杂化的同时迅速地排出该处理液。使贮存有抗蚀剂液的贮存室(23)与排出该抗蚀剂液的喷嘴(21)一体形成为盒(12)，并将盒(12)从待机部(13)搬送到晶片(W)的正上方的位置，从该盒(12)直接排出抗蚀剂液。在排出抗蚀剂液的喷嘴(21)之外，还另行设置有对盒(12)补充抗蚀剂液的补充口(28)。另外，在放置盒(12)的待机部(13)设置有对盒(12)补充抗蚀剂液的结构。
液体供给装置

[发明专利]内层板制作方法-CN201510754401.0有效
发明人：刘庆辉 -专利权人：四川普瑞森电子有限公司
申请日： 2015-11-09 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H05K3/06 文献下载
摘要：本发明涉及内层板制作方法，包括以下步骤：S1、前处理：将基板采用磨板机磨板，然后过中粗化；S2、咬蚀：将基板放在咬蚀药水中进行咬蚀；S3、涂布：在咬蚀后的基板表面涂布一层油墨，再送入烘板机内烘烤，取出后冷却至室温；S4、曝光：将步骤S3得到的基板放入该曝光机内，进行曝光，取出基板，静置；S5、显影：将没有曝光的部分用显影药水除去，得到所需电路图形；S6、蚀刻：蚀刻液各组成浓度为：铜离子为130～140g/L，氯离子为170～180g/L，对线路板进行蚀刻；S7、退膜：将线路板表面的保护铜面的抗蚀层进行退膜，最终得到有线路图形的线路板。
内层制作方法

[发明专利]用于光刻的涂料组合物-CN201410045225.9在审
发明人： M·K·噶拉格尔;A·赞皮尼 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司
申请日： 2007-04-11 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：在第一方面中，所提供的方法包括：（a）将可固化组合物涂布到基底上；(b)将硬掩模组合物涂布在该可固化组合物之上；（c）将光致抗蚀剂组合物层涂布在该硬掩模组合物之上，其中所述组合物的一种或多种可用无灰化方法除去在第二方面中，所提供的方法包括：（a）将有机组合物涂布到基底上；(b)将光致抗蚀剂组合物层涂布在该有机组合物之上；其中该有机组合物包含一种当热处理和/或辐射处理时能产生碱溶基团的材料。
用于光刻涂料组合

[发明专利]用于光刻的涂料组合物-CN201910672506.X在审
发明人： M·K·噶拉格尔;A·赞皮尼 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司
申请日： 2007-04-11 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：在第一方面中，所提供的方法包括：(a)将可固化组合物涂布到基底上；(b)将硬掩模组合物涂布在该可固化组合物之上；(c)将光致抗蚀剂组合物层涂布在该硬掩模组合物之上，其中所述组合物的一种或多种可用无灰化方法除去在第二方面中，所提供的方法包括：(a)将有机组合物涂布到基底上；(b)将光致抗蚀剂组合物层涂布在该有机组合物之上；其中该有机组合物包含一种当热处理和/或辐射处理时能产生碱溶基团的材料。
有机组合物光致抗蚀剂组合物层可固化组合物硬掩模组合物基底热处理辐射处理灰化碱溶可用

[发明专利]用于光刻的涂料组合物-CN201110407884.9有效
发明人： M·K·噶拉格尔;A·赞皮尼 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司
申请日： 2007-04-11 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：在第一方面中，所提供的方法包括：(a)将可固化组合物涂布到基底上；(b)将硬掩模组合物涂布在该可固化组合物之上；(c)将光致抗蚀剂组合物层涂布在该硬掩模组合物之上，其中所述组合物的一种或多种可用无灰化方法除去在第二方面中，所提供的方法包括：(a)将有机组合物涂布到基底上；(b)将光致抗蚀剂组合物层涂布在该有机组合物之上；其中该有机组合物包含一种当热处理和/或辐射处理时能产生碱溶基团的材料。
用于光刻涂料组合

[发明专利]用于光刻的涂料组合物-CN200710105399.X无效
发明人： M·K·噶拉格尔;A·赞皮尼 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司
申请日： 2007-04-11 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：在第一方面中，所提供的方法包括：(a)将可固化组合物涂布到基底上；(b)将硬掩模组合物涂布在该可固化组合物之上；(c)将光致抗蚀剂组合物层涂布在该硬掩模组合物之上，其中所述组合物的一种或多种可用无灰化方法除去在第二方面中，所提供的方法包括：(a)将有机组合物涂布到基底上；(b)将光致抗蚀剂组合物层涂布在该有机组合物之上；其中该有机组合物包含一种当热处理和/或辐射处理时能产生碱溶基团的材料。
用于光刻涂料组合

[发明专利]光致抗蚀剂组合物-CN201110353244.4有效
发明人：金升起;边滋勋;金炳郁;金东敏;李原荣;诸葛银;朴柱京;朱相一;咸先美;李斗渊;朴一圭;郑起和;金京浩;洪宇成 -专利权人：株式会社东进世美肯
申请日： 2011-11-07 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： G03F7/008 文献下载
摘要：本发明涉及一种光致抗蚀剂组合物，更具体地，涉及一种包含(a)5～30重量％的酚醛清漆树脂；(b)2～10重量％的二叠氮类感光性化合物；(c)1～70重量％的二烷基醚(dialkyl ether)类共溶剂；及(d)余量的有机溶剂的光致抗蚀剂组合物，其在真空干燥时不会形成倒锥形，具有优异的涂布均匀度，而且能够防止产生涂布斑点。
光致抗蚀剂组合

[发明专利]去除设备、保护膜成形设备、基板处理系统和去除方法-CN200510106478.3无效
发明人：金山幸司;茂森和士 -专利权人：大日本网目版制造株式会社
申请日： 2005-09-26 - 公布日： 2006-04-05 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明提供一种去除设备、保护膜成形设备、基板处理系统和去除方法，其中，涂布处理单元在形成有抗蚀膜的基板的表面上形成具有能溶解于碱水溶液中的成分的覆盖膜。该涂布处理单元能供应在显影处理单元中使用的显影剂，作为用于去除粘附于基板的周边的覆盖膜成分的去除剂。因此，可以在不影响抗蚀膜的情况下选择性地从基板的周边去除覆盖膜。
去除设备保护膜成形处理系统方法

[发明专利]应用了抗蚀剂下层膜的图案形成方法-CN201480046626.4有效
发明人：大桥智也;木村茂雄;臼井友辉;绪方裕斗 -专利权人：日产化学工业株式会社
申请日： 2014-08-27 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明的课题是提供一种使用了对碱性过氧化氢水溶液具有耐性的抗蚀剂下层膜的图案形成方法。作为解决本发明课题的方法为一种图案形成方法，其包括下述工序：第1工序，在表面可以形成无机膜的半导体基板上，涂布抗蚀剂下层膜形成用组合物，进行烘烤而形成抗蚀剂下层膜，所述抗蚀剂下层膜形成用组合物包含重均分子量1000～100000的具有环氧基的聚合物和溶剂；第2工序，在上述抗蚀剂下层膜上形成抗蚀剂图案；第3工序，将上述抗蚀剂图案作为掩模对上述抗蚀剂下层膜进行干蚀刻，使上述无机膜或上述半导体基板的表面露出；以及第4工序，将干蚀刻后的上述抗蚀剂下层膜作为掩模，使用碱性过氧化氢水溶液对上述无机膜或上述半导体基板进行湿蚀刻。
应用抗蚀剂下层图案形成方法

[发明专利]液浸曝光工艺用浸渍液及使用该浸渍液的抗蚀剂图案形成方法-CN200480005910.3无效
发明人：平山拓;佐藤充;胁屋和正;岩下淳;吉田正昭 -专利权人：东京応化工业株式会社
申请日： 2004-03-04 - 公布日： 2006-04-05 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种浸渍液，是通过液体将抗蚀剂膜曝光的液浸曝光工艺用浸渍液，由对曝光工艺中使用的曝光光透明、其沸点为70－270℃的含氟类液体构成；以及一种抗蚀剂图案形成方法，包括将上述浸渍液直接配置在抗蚀剂膜或保护膜上的工序可同时防止液浸曝光中的抗蚀剂膜等膜的变质及使用液体的变质，形成采用液浸曝光的高分辨力抗蚀剂图案。
曝光工艺浸渍使用抗蚀剂图案形成方法

[发明专利]用于制备光致抗蚀剂图案的方法-CN201010623056.4无效
发明人：畑光宏;夏政焕 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于制备光致抗蚀剂图案的方法，该方法包括以下步骤(A)至(D)：(A)在基底上涂覆第一光致抗蚀剂组合物以形成第一光致抗蚀剂膜，将第一光致抗蚀剂膜曝光于辐射，然后用碱性显影液将曝光的第一光致抗蚀剂膜显影，从而形成第一光致抗蚀剂图案；(B)使第一光致抗蚀剂图案对以下步骤(C)中的辐射惰性，使第一光致抗蚀剂图案不溶于碱性显影液或者使第一光致抗蚀剂图案不溶于在以下步骤(C)中使用的第二光致抗蚀剂组合物；(C)在步骤(B)中获得的第一光致抗蚀剂图案上，涂覆第二光致抗蚀剂组合物以形成第二光致抗蚀剂膜，将第二光致抗蚀剂膜曝光于辐射的步骤，和(D)用碱性显影液将曝光的第二光致抗蚀剂膜显影，从而形成第二光致抗蚀剂图案
用于制备光致抗蚀剂图案方法

[实用新型]抗蚀剂层的薄膜化装置-CN201520724767.9有效
发明人：丰田裕二;后闲宽彦;中川邦弘 -专利权人：三菱制纸株式会社
申请日： 2015-09-18 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： G03F7/30 文献下载
摘要：本实用新型的课题在于提供一种抗蚀剂层的薄膜化装置，在具备通过浸渍槽中的薄膜化处理液使抗蚀剂层中的成分胶束化的薄膜化处理单元的抗蚀剂层的薄膜化装置中，通过将基板上表面的抗蚀剂层表面的薄膜化处理液的覆盖量分布抑制在最小限度，能够解决抗蚀剂层的薄膜化处理量不均匀的问题。抗蚀剂层的薄膜化装置的特征在于，薄膜化处理单元具有用于向基板下表面的抗蚀剂层赋予薄膜化处理液的浸渍槽，设有用于通过辊涂敷向基板上表面的抗蚀剂层赋予薄膜化处理液的涂敷辊。通过上述抗蚀剂层的薄膜化装置能够解决问题。
抗蚀剂层薄膜化装

[发明专利]触控面板的绝缘层制作方法-CN200910006969.9无效
发明人：邝东元;陈仲豪 -专利权人：百倍光电股份有限公司
申请日： 2009-02-18 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种触控面板的绝缘层制作方法，是于基材上镀设第一透明导电层后进行第一次清洗，清洗后进行第一次光致抗蚀剂层涂布产生导电线路图形，并进行第一次显影，再于光致抗蚀剂层上进行蚀刻、剥膜及第二次清洗，以露出导电线路，且将有机绝缘层涂布于第一透明导电层上并进行第二次显影，之后于有机绝缘层上镀设第二透明导电层后进行第三次清洗，并于第二透明导电层上进行第二次光致抗蚀剂层涂布，以产生另一所需的导电线路图形，最后以显影剂将光致抗蚀剂层上的导电线路图形进行第三次显影
面板绝缘制作方法

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