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[发明专利]一种氮化镓基激光器管芯的制备方法-CN201210012559.7无效
发明人：张书明;王辉;刘建平;王怀兵;杨辉 -专利权人：苏州纳睿光电有限公司
申请日： 2012-01-16 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基激光器管芯的制备方法，包括如下步骤：1）在衬底上外延生长N型GaN电极接触层、N型光限制层、N型波导层、发光有源区、P型波导层、P型光限制层和P型电极接触层；得到氮化镓基激光器外延结构；2）将氮化镓基激光器外延结构刻蚀至P型光限制层，并刻去部分P型波导层，形成激光器的脊型结构；3）在上述激光器的脊型结构的表面蒸镀P型欧姆接触电极；4）在P型欧姆接触电极的表面形成p型层加厚电极；5）将衬底减薄；6）蒸镀N型欧姆接触电极金属；7）分割形成单个激光器的管芯。本发明的制备方法可以简化激光器的制作工艺，使激光器的脊型的侧壁形成金属接触，增大金属接触面积，减小接触电阻，降低工作电压，增加散热效果。
一种氮化激光器管芯制备方法

[发明专利]碳化硅环状电极PIN型核电池-CN201110182479.1有效
发明人：郭辉;张玉娟;张玉明;石彦强 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2011-06-30 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅环状电极PIN型核电池及其制作方法，主要解决现有技术中制作碳化硅PIN结核电池转化效率低的问题。本发明自上而下依次包括放射性同位素源层(1)、SiO2钝化层(3)、SiO2致密绝缘层(2)、p型欧姆接触电极(4)、掺杂浓度为1×1019～5×1019cm-3的p型SiC外延层(5)、掺杂浓度为1×1015～5×1015cm-3的n型SiC外延层(6)、掺杂浓度为1×1018～7×1018cm-3的n型SiC衬底(7)和n型欧姆接触电极(8)。该p型欧姆接触电极(4)采用中心为一个圆环，周围是以该中心为圆心的多个圆环结构，环间由多个矩形条相连，环的外围留有多个引脚，同位素源层(1)覆盖在p型欧姆接触电极(4)的表面。
碳化硅环状电极 pin 核电

[发明专利]氮化镓基雪崩型探测器及其制作方法-CN200910077383.1无效
发明人：刘文宝;孙苋;赵德刚;刘宗顺;张书明;朱建军;王辉;杨辉 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2009-02-19 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：一种氮化镓基雪崩型探测器及其制作方法，其中该氮化镓基雪崩型探测器包括：一衬底；一N型掺杂的GaN欧姆接触层制作在衬底上；一非故意掺杂GaN吸收层制作在N型掺杂的GaN欧姆接触层上，该非故意掺杂GaN吸收层的面积小于N型掺杂的GaN欧姆接触层的面积；一N型掺杂的Al组分渐变的AlGaN层制作在非故意掺杂的GaN吸收层上；一非故意掺杂AlGaN雪崩倍增层制作在N型掺杂的Al组分渐变的AlGaN层上；一P型掺杂的AlGaN欧姆接触层制作在非故意掺杂AlGaN雪崩倍增层上；一N型欧姆接触电极制作在N型掺杂的GaN欧姆接触层上；一P型欧姆接触电极制作在P型掺杂的AlGaN欧姆接触层上。
氮化雪崩探测器及其制作方法

[发明专利]基于丝网印刷的IBC电池电极形成方法-CN201710046579.9在审
发明人：李华;鲁伟明 -专利权人：泰州乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2017-01-22 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供一种基于丝网印刷的IBC电池电极形成方法，采用丝网印刷技术形成背面电极，接触浆料经高温烧结后与减反射钝化膜下的掺杂层实现欧姆接触。接触电极可以使连续电极，也可以是局部电极。当为连续电极时，主栅浆料等距印刷在接触浆料垂直的方向上形成主栅电极，接触浆料上印刷绝缘浆料，使极性相反的主栅和细栅之间相互绝缘，主栅浆料烧结后不与其下的掺杂层形成欧姆接触。当为局部电极时，连接浆料印刷于接触电极之上形成连接电极，并与极性相同的主栅电极连接，与极性相反的主栅电极绝缘。连接电极不与其下的掺杂层形成欧姆接触。
基于丝网印刷 ibc 电池电极形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201811588012.5在审
发明人：任远;陈志涛;李祁昕;刘晓燕 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，该半导体器件包括：衬底以及在衬底上依次形成的氮化物沟道层、氮化物势垒层和用于形成电极的导电层；氮化物沟道层与氮化物势垒层之间形成有二维电子气沟道，电极包括彼此连接的第一电极和第二电极，第一电极延伸至氮化物势垒层，第二电极穿过二维电子气沟道。在该半导体器件中，由彼此连接的第一电极和第二电极形成欧姆接触电极，其中第一电极与氮化物势垒层之间形成欧姆接触，并通过载流子隧穿机制与二维电子气沟道导通，而第二电极与二维电子气沟道直接接触，在第一电极和第二电极的两种接触机制共同作用下，进一步减小了欧姆接触电极的接触电阻，从而提高了半导体器件的性能。
氮化物半导体器件第二电极第一电极二维电子气沟道势垒层欧姆接触电极彼此连接沟道层电极衬底半导体技术领域载流子隧穿接触电阻欧姆接触导电层导通减小制造穿过延伸

[发明专利]一种同质界面二维δ掺杂型PIN紫外探测器-CN201710698526.5在审
发明人：王俊;郭进;王国胜;金里 -专利权人：中国电子科技集团公司第三十八研究所
申请日： 2017-08-15 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： H01L31/0264 文献下载
摘要：本发明属于半导体光电子器件技术领域，具体涉及一种同质界面二维δ掺杂型PIN紫外探测器，包括衬底，缓冲层，N型欧姆接触层，N型欧姆接触电极，吸收层，二维δ掺杂层，P型欧姆接触层，P型欧姆接触电极；其中，所述二维
一种同质界面二维掺杂 pin 紫外探测器

[发明专利]一种基于Cu衬底基GaN整流器及其制备方法-CN201911242369.2有效
发明人：李国强;胡智凯;王文樑;唐鑫 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Cu衬底基GaN整流器的制备方法，从下至上包括Cu衬底、高掺杂GaN高阻层、GaN缓冲层、AlGaN势垒层及SiO2表面钝化层，还包括肖特基接触电极及N型欧姆接触电极，所述肖特基接触电极及N型欧姆接触电极设置在AlGaN势垒层的上表面，其中，两种电极间在外加电压条件下形成横向电场，使二维电子气沿界面输运形成电流。
一种基于 cu 衬底 gan 整流器及其制备方法

[发明专利]一种具有倒置式N电极分布的薄膜GaN基发光器件的制造方法-CN200910229416.X有效
发明人：林雪娇;潘群峰;吴志强;叶孟欣;黄慧君 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2009-10-15 - 公布日： 2010-05-05 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有倒置式N电极分布的薄膜GaN基发光器件的制造方法，在蓝宝石衬底(0001)上依次外延生长由N型GaN基半导体层、活性层和P型GaN基半导体层构成的GaN基LED发光材料，将薄膜GaN芯片的N型欧姆接触条状电极倒置式分布在镓面N型GaN半导体上，蓝宝石衬底剥离后制作N焊盘金属并连接到N型欧姆接触条状电极上，这种倒置式N电极设计，完全避开氮极性面N型欧姆接触电极制作难的问题，并且氮极性面的N型GaN的接触电极无劣化为肖特基接触，保证薄膜GaN发光器件具有较低的工作电压。
一种具有倒置电极分布薄膜 gan 发光器件制造方法

[发明专利]一种三维LED发光器件-CN201510102013.4在审
发明人：刘胜;周圣军;郑怀;陈飞 -专利权人：武汉大学
申请日： 2015-03-09 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：一种三维LED发光器件，包括LED芯片和散热基板，所述LED芯片上设有p型欧姆接触电极和n型欧姆接触电极；所述散热基板上设有若干个导电导热通孔，导电导热通孔内壁上依次沉积有绝缘层、种子层和导电导热金属孔芯；所述p型欧姆接触电极焊接于导电导热金属孔芯上。
一种三维 led 发光器件

[发明专利]一种基于碳化硅材料的微型核电池及其制备方法-CN201811167005.8有效
发明人：刘红梅;尉国栋 -专利权人：山西大同大学
申请日： 2018-10-08 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：本发明提供的一种基于碳化硅材料的微型核电池，包括：高掺杂碳化硅单晶衬底，所述高掺杂碳化硅单晶衬底的正面具有碳化硅一维纳米线阵列，所述碳化硅一维纳米线阵列具有PN结区域，所述碳化硅一维纳米线阵列的PN结区域上面具有第一欧姆接触电极，所述第一欧姆接触电极上具有放射源层，所述高掺杂碳化硅单晶衬底的背面具有第二欧姆接触电极；本发明提供的微型核电池结构新颖合理、能量转换效率较高、制备成本较低，适用于半导体微器件领域。
一维纳米线阵列欧姆接触电极碳化硅单晶高掺杂核电池碳化硅衬底碳化硅材料制备能量转换效率放射源层微器件半导体背面

[发明专利]一种金刚石辐射探测器的欧姆接触电极的制备方法-CN201410001040.8有效
发明人：王林军;杨溢铭;周捷;任兵;王君楠;黄健;唐可;张继军;夏义本 -专利权人：上海大学
申请日： 2014-01-02 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种金刚石辐射探测器的欧姆接触电极制备方法。属于金刚石辐射探测器制造工艺技术领域。本发明的要点是利用磁控溅射和离子溅射方法在金刚石薄膜上沉积制备C-Pt-Au三层体系，并在氮气气氛下退火，形成欧姆接触电极。本发明的三层C-Pt-Au欧姆电极是有较高的IV性能、较低的薄膜漏电流，其电阻率得到明显改善、使器件的性能得到提高。
一种金刚石辐射探测器欧姆接触电极制备方法

[发明专利]一种改善ZnO薄膜欧姆接触的方法-CN200810223613.6无效
发明人：张兴旺;蔡培锋;游经碧;范亚明;高云;陈诺夫 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2008-09-27 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善ZnO薄膜欧姆接触的方法，该方法是在沉积金属电极之前，利用氢等离子体处理ZnO薄膜的电极接触区域，然后在经氢等离子体处理的ZnO薄膜电极接触区域沉积双层金属电极，形成欧姆接触。由于氢等离子体处理导致氢扩散进入ZnO薄膜，提高了接触区域ZnO薄膜的载流子浓度，减小了接触区域ZnO薄膜的电阻率，从而可以显著降低ZnO薄膜和金属的接触电阻，改善其欧姆接触特性。此外，在MS技术中，由于溅射出的粒子具有较高能量，使得ZnO/Ti界面原子能充分混合，可以提高Ti/Au接触在ZnO薄膜上的粘附性。利用该发明最终可以得到粘附良好、接触电阻低的欧姆接触，为实现ZnO薄膜电子器件奠定了基础。
一种改善 zno 薄膜欧姆接触方法

[发明专利]一种霍尔元件及其制备方法-CN201510640366.X在审
发明人：胡双元;黄勇 -专利权人：苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2015-09-30 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：一种霍尔元件及其制备方法，该霍尔元件包括依次设置的衬底、掺杂的功能层、掺杂的欧姆接触层和金属电极，且欧姆接触层紧贴金属电极设置，功能层的掺杂浓度小于欧姆接触层的掺杂浓度。解决了低掺杂浓度的高灵敏度霍尔元件功能层很难与金属电极形成良好的欧姆接触的技术问题。从而可以制备出接触电阻率低、灵敏度很高的霍尔元件。
一种霍尔元件及其制备方法

[发明专利]一种高功率脉冲半导体激光器单管以及半导体激光器巴条-CN202110556186.9在审
发明人：汪卫敏;何晋国;胡海 -专利权人：深圳瑞波光电子有限公司
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本申请公开了一种高功率脉冲半导体激光器单管以及半导体激光器巴条，该激光器巴条包括：第一型衬底、设置于第一型衬底上的多个激光器单元，激光器单元包括外延层、绝缘膜、电流注入区以及第二型欧姆接触电极；电流注入区设置于外延层上，第二型欧姆接触电极设置于电流注入区上，隔离槽设置于电流注入区两侧，绝缘膜覆盖除电流注入区以外的其它区域表面；其中，第二型欧姆接触电极覆盖部分隔离槽，以使得第二型欧姆接触电极与相应的高功率脉冲半导体激光器的出光面之间在隔离槽区域间隔预设距离
一种功率脉冲半导体激光器以及

[发明专利]单片光电集成电路及其形成方法-CN202010115714.2有效
发明人：王永进;严嘉彬;朴金龙 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2020-02-25 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：所述单片光电集成电路包括：衬底，包括光子集成器件区域和外围电路区域；第一GaN基多量子阱光电PN结器件，位于光子集成器件区域，用作发光二极管，包括第一P‑型欧姆接触电极和第一N‑型欧姆接触电极；第一GaN基场效应晶体管，位于外围电路区域，包括具有第一凹槽的第一栅极介质层、填充于第一凹槽中的第一栅极、以及第一源极和第一漏极；第一源极电连接第一P‑型欧姆接触电极，第一漏极用于与第一电位电连接，第一N‑型欧姆接触电极用于与低于第一电位的第二电位电连接
单片光电集成电路及其形成方法