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[发明专利]一种新型的紫外LED芯片电极制备方法-CN202010761690.8在审
发明人：周启航 -专利权人：佛山紫熙慧众科技有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型的紫外LED芯片电极制备方法，具体包括以下步骤：S1：在紫外LED芯片的p型层表面打印出金属图形电极；S2：将金属图形电极融化，使得金属图形电极向紫外LED芯片的半导体层内扩散，在宽禁带的p型AlGaN与金属图形电极之间形成良好的欧姆接触，以降低接触电阻；本技术方案中，在宽禁带的p型AlGaN与金属图形电极之间形成良好的欧姆接触，最终降低接触电阻，提高空穴向紫外LED多量子阱内注入效率，
一种新型紫外 led 芯片电极制备方法

[发明专利]雪崩光电二极管及其制备方法-CN202210021152.4在审
发明人：苏琳琳;郁智豪;杨成东 -专利权人：无锡学院
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种雪崩光电二极管及其制备方法，其中雪崩光电二极管包括SiC衬底及设置于SiC衬底上的外延结构，外延结构自上而下依次包括n+接触层、p+接触层、p型过渡层、i倍增层和n+型过渡层。其中n+接触层的正面设有正面欧姆接触电极，SiC衬底的背面设有背面欧姆接触电极。根据上述技术方案的雪崩光电二极管，通过在传统p+接触层的上面再设置一层n+接触层，从而将器件的上电极和下电极均变为n型欧姆接触，在不增加器件制备工艺难度的前提下，改善低导电率引起的耗尽区电场非均匀分布，
雪崩光电二极管及其制备方法

[发明专利]VCSEL阵列芯片及其制作方法-CN201910066985.0有效
发明人：郭冠军;贾钊;赵炆兼;曹广亮 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明提供了一种VCSEL阵列芯片及其制作方法，涉及VCSEL阵列芯片技术领域，包括台柱、N‑DBR层、砷化镓衬底及N面电极；N‑DBR层及N面电极分别设置在砷化镓衬底的两侧，台柱设置在N‑DBR层上；相邻台柱之间相交且相邻台柱的金属孔不相交；本发明提供的VCSEL阵列芯片中相邻台柱之间相交且相邻台柱的金属孔不相交，在同样面积芯片内制作更多的台柱时，与现有技术中的台柱相比，台柱的直径较长，使得台柱上的电极的接触面积增加，电极的欧姆接触电阻减小，欧姆接触电压降低，进而降低了欧姆接触电阻的热功率，增加了阵列芯片的光输出功率，提高了光电转换效率。
vcsel 阵列芯片及其制作方法

[发明专利]一种碳化硅的欧姆电极结构及其制备方法-CN201110366469.3无效
发明人：陈小龙;郭丽伟;刘春俊 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2011-11-17 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅欧姆电极结构及其制备方法。该碳化硅的欧姆电极结构包括碳化硅基底和金属层，以及位于所述碳化硅基底和金属层之间的石墨烯层。本发明的碳化硅欧姆电极结构的接触电阻低且稳定性好。
一种碳化硅欧姆电极结构及其制备方法

[发明专利]一种基于碳化硅材料的肖特基微型核电池及其制备方法-CN201811167006.2有效
发明人：刘红梅;尉国栋 -专利权人：山西大同大学
申请日： 2018-10-08 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：本发明提供的一种基于碳化硅材料的肖特基微型核电池，包括：碳化硅单晶衬底、碳化硅一维纳米线阵列、肖特基接触电极、欧姆接触电极和放射源层；碳化硅一维纳米线阵列位于碳化硅单晶衬底的正面，碳化硅一维纳米线阵列具有N型掺杂区域；肖特基接触电极包括势垒金属层和N型掺杂区域，势垒金属层的表面形状为叉指状；欧姆接触电极位于碳化硅单晶衬底的背面；放射源层位于所述势垒金属层的上方；本发明提供的微型核电池结构新颖合理、能量转换效率较高
一种基于碳化硅材料肖特基微型核电及其制备方法

[发明专利]氮化镓基液体传感器及其制备方法-CN201210319891.8有效
发明人：罗卫军;陈晓娟;袁婷婷;庞磊;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-08-31 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基液体传感器，包括：欧姆接触电极、表面钝化层、肖特基接触电极及半导体衬底；所述半导体衬底外延上生长有AlGaN/GaN异质结材料结构；所述欧姆接触电极、表面钝化层、肖特基接触电极分别设置在所述
氮化液体传感器及其制备方法

[发明专利]同步监测溶液温度和pH的集成式GaN基传感器及制法-CN201911271515.4有效
发明人：李柳暗;敖金平 -专利权人：宁波铼微半导体有限公司
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：所述传感器，其特征在于，包括由下至上设置的衬底层、应力缓冲层、GaN外延层、AlGaN势垒层、欧姆接触电极、肖特基接触电极和封装材料层；所述AlGaN势垒层包括第一凸起、第一凹槽、第二凸起和第二凹槽；所述欧姆接触电极设置在所述第一凸起和所述第二凸起表面；所述肖特基接触电极沉积设置于所述第二凹槽。
同步监测溶液温度 ph 集成 gan 传感器制法

[发明专利]基于氧化镓单晶的日盲偏振探测器及其制备方法-CN202210371155.0有效
发明人：魏钟鸣;龙浩然;杨珏晗;刘岳阳;文宏玉 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本公开提供一种基于氧化镓单晶的日盲偏振探测器，包括：衬底(10)，为β相氧化镓，其(001)晶面上形成多个探测单元，探测单元成阵列布置；其中，每个探测单元包括：第一隔离层(11)，形成于衬底(10)中，其上表面与衬底(10)的表面持平；欧姆接触电极(13)、肖特基接触电极(14)，至少部分位于衬底(10)的表面上、至少部分位于第一隔离层(11)的表面上，且欧姆接触电极(13)与肖特基接触电极(14)之间形成光吸收区域。
基于氧化镓单晶偏振探测器及其制备方法

[发明专利]一种GaAs半导体表面欧姆接触电极及其制作方法-CN201710547365.X有效
发明人：张景文;陈旭东;李忠乐;翟文博;卜忍安;王宏兴;侯洵 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2017-07-06 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaAs半导体表面欧姆接触电极及其制作方法，首先通过在GaAs半导体表面做接触电极，然后再在石英衬底上依次生成Cu层和Au层，将石英衬底上的Au层与GaAs上接触电极的接触层通过退火粘合封装在一起，然后抛光去除石英衬底，即可得到GaAs欧姆接触电极，通过在石英衬底上以铜层为过渡层，进行金层的制作，克服了金层与石英衬底难键和的问题，完成加厚金层的单独支座，克服了金层通过磁控溅射、真空蒸发方法很难制备出易于键合的微米级厚度的金层的问题，因此将加厚金层单独用电镀的方法来制作，通过本方法制作的GaAs接触电极使得器件可以非常容易地键合到电路中测试使用，器件可以工作在更高的温度，得到更好的器件性能表现。
一种 gaas 半导体表面欧姆接触电极及其制作方法

[发明专利]一种p-GaN欧姆接触电极及其制备方法与应用-CN202210460707.5在审
发明人：袁旭;于国浩;王哲明;赵德胜;张宝顺 -专利权人：广东中科半导体微纳制造技术研究院;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：本发明公开了一种p‑GaN欧姆接触电极的制备方法，包括以下步骤：提供GaN基外延片，所述GaN基外延片的最上层为p型GaN层，对所述p型GaN层进行激活处理，得到第一GaN基外延片；在所述第一GaN基外延片的p型GaN层上刻蚀，制备出欧姆接触区域，得到第二GaN基外延片；利用热磷酸溶液对所述第二GaN基外延片进行湿法腐蚀处理，清洗后得到第三GaN基外延片；在所述第三GaN基外延片的欧姆接触区域积淀金属，并通过退火工艺对金属进行合金处理，完成p‑GaN欧姆接触电极的制备。本发明能够明显提高p‑GaN材料的欧姆接触性能。
一种 gan 欧姆接触电极及其制备方法应用

[实用新型]氮化铝晶体上的欧姆接触电极结构-CN200920272392.1无效
发明人：储开慧;许金通;包西昌;李向阳;戴江;陈长清 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2009-11-18 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本专利公开了一种AIN晶体上的欧姆接触电极结构，AIN材料结构包括：一衬底；一AIN缓冲层；一本征型AIN层。通过先在本征型AIN上生长欧姆接触电极结构：钒金属层/铝金属层/钒金属层/金金属层，厚度依次为15～25μm/50～100μm/15～25μm/50～100μm；然后进行In离子注入，注入剂量大于1×1014cm-2，能量大于150keV；并进行高温退火激活工艺，制备出AIN材料上的欧姆接触。AIN欧姆接触的实现，有助于解决日盲型材料的欧姆接触问题，提高日盲器件的性能；并解决了制备高性能真空紫外响应器件的瓶颈。真空紫外器件的研制，将能为我国的太空探测提供技术支撑。
氮化晶体欧姆接触电极结构

[发明专利]一种测量半导体器件欧姆接触退化芯片及方法-CN201010285857.4无效
发明人：冯士维;乔彦彬;郭春生;张光沉;邓海涛 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2010-09-17 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：一种测量半导体器件欧姆接触退化芯片及方法属于半导体技术，特别是半导体器件失效评估领域。本发明提供了一种专门测量欧姆接触退化的芯片，其特征在于：在至少有6个圆环电极的CTLM欧姆接触测试芯片的圆环形欧姆接触表面淀积有SiO2绝缘介质层，在CTLM欧姆接触测试芯片的另一面有利用金属镀膜工艺制备的背电极，然后在每个圆环电极上固接出一个外引电极；每个圆环电极和外引电极的固接点都在一条直线上。本发明测量芯片和方法不但可以测量半导体芯片欧姆接触电阻率随施加电流的变化关系以及随施加电流时间的关系，同时测量芯片可以满足大电流冲击要求。因此，使用本发明芯片和方法能更为准确有效的评估欧姆接触。
一种测量半导体器件欧姆接触退化芯片方法

[实用新型]一种测量半导体器件欧姆接触退化芯片-CN201020535684.2无效
发明人：冯士维;乔彦彬;郭春生;张光沉;邓海涛 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2010-09-17 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： H01L29/41 文献下载
摘要：一种测量半导体器件欧姆接触退化芯片属于半导体技术，特别是半导体器件失效评估领域。本实用新型提供了一种专门测量欧姆接触退化的芯片，其特征在于：在至少有6个圆环电极的CTLM欧姆接触测试芯片的圆环形欧姆接触表面淀积有SiO2绝缘介质层，在CTLM欧姆接触测试芯片的另一面有利用金属镀膜工艺制备的背电极，然后在每个圆环电极上固接出一个外引电极；每个圆环电极和外引电极的固接点都在一条直线上。本实用新型测量芯片不但可以测量半导体芯片欧姆接触电阻率随施加电流的变化关系以及随施加电流时间的关系，同时测量芯片可以满足大电流冲击要求。因此，使用本实用新型芯片能更为准确有效的评估欧姆接触。
一种测量半导体器件欧姆接触退化芯片

[发明专利]低暗电流PIN探测器及其加工方法-CN201610562077.7有效
发明人：李冲;丰亚洁;刘巧莉;吕本顺;郭霞;王华强;黎奔 -专利权人：中证博芯（重庆）半导体有限公司
申请日： 2016-07-18 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明揭示了一种低暗电流PIN探测器，包括衬底，所述衬底的上端面生长有P型欧姆接触层，所述P型欧姆接触层上设置有至少一个与之触接的P型欧姆接触电极，所述衬底上端面生长有针对不同波长的特定厚度的增透膜，所述衬底的上端面开设有两个用于实现器件内部电场与器件边缘阻断的隔离沟槽，所述隔离沟槽位于所述P型欧姆接触层的两侧，所述隔离沟槽内填充有阻隔材料，所述衬底的上端面除所述形槽外的区域均覆盖有阻隔层，所述衬底的下端面由上至下依次覆盖生长有N型欧姆接触层及N型欧姆接触电极。
电流 pin 探测器及其加工方法

[实用新型]低暗电流PIN探测器-CN201620751706.6有效
发明人：李冲;丰亚洁;刘巧莉;吕本顺;郭霞;王华强;黎奔 -专利权人：苏州北鹏光电科技有限公司
申请日： 2016-07-18 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种低暗电流PIN探测器，包括衬底，所述衬底的上端面生长有P型欧姆接触层，所述P型欧姆接触层上设置有至少一个与之触接的P型欧姆接触电极，所述衬底上端面生长有针对不同波长的特定厚度的增透膜，所述衬底的上端面开设有两个用于实现器件内部电场与器件边缘阻断的隔离沟槽，所述隔离沟槽位于所述P型欧姆接触层的两侧，所述隔离沟槽内填充有阻隔材料，所述衬底的上端面除所述形槽外的区域均覆盖有阻隔层，所述衬底的下端面由上至下依次覆盖生长有N型欧姆接触层及N型欧姆接触电极。
电流 pin 探测器