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[发明专利]利用倒装焊技术制作氮化镓基激光器管芯的方法-CN200410088729.5无效
发明人：张书明;杨辉 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-11-01 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：一种利用倒装焊技术制作氮化镓基激光器管芯的方法，包括：在衬底上依次外延生长电极接触层，光限制层，波导层，发光有源区，波导层，光限制层和电极接触层；刻蚀电极接触层，制备P型欧姆接触电极；将衬底减薄；将激光器管芯分割；利用倒装焊技术将分割好的氮化镓基激光器管芯的P型欧姆接触电极层和支撑体上与管芯P电极大小相对应的金属焊料层以及管芯的N型欧姆接触电极层和支撑体上与管芯N电极大小相对应的金属焊料层焊接在一起；在管芯P电极的相应位置，从支撑体的背面开孔直到二氧化硅或氮化硅等绝缘隔离层，形成P型电极引出孔；在开孔后的支撑体的背面蒸镀金属层，引出管芯的P型电极，形成一个倒装的氮化镓基激光器的管芯。
利用倒装技术制作氮化激光器管芯方法

[发明专利]一种碳化硅肖特基二极管及其制造方法-CN202210464002.0在审
发明人：刘圣前;杨程;王毅 -专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：包括设置于碳化硅衬底正面的外延层和背面的欧姆接触电极；所述欧姆接触电极上设有下金属层；还包括：P型掺杂区，所述P型掺杂区从外延层的顶部向下延伸；场氧一，所述场氧一设置在所述外延层的顶部；场氧二，所述场氧二设置在所述外延层的顶部，位于所述场氧一的侧部，正面金属接触电极，所述正面金属接触电极设置在所述P型掺杂区的上方，侧部与场氧一连接；上金属层，所述上金属层设置在所述正面金属接触电极的上方；本发明减小了器件表面受外来电荷或电场的影响
一种碳化硅肖特基二极管及其制造方法

[实用新型]碳化硅肖特基二极管-CN202221018858.7有效
发明人：刘圣前;杨程;王毅 -专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：包括设置于碳化硅衬底正面的外延层和背面的欧姆接触电极；所述欧姆接触电极上设有下金属层；还包括：P型掺杂区，所述P型掺杂区从外延层的顶部向下延伸；场氧一，所述场氧一设置在所述外延层的顶部；场氧二，所述场氧二设置在所述外延层的顶部，位于所述场氧一的侧部，正面金属接触电极，所述正面金属接触电极设置在所述P型掺杂区的上方，侧部与场氧一连接；上金属层，所述上金属层设置在所述正面金属接触电极的上方；本实用新型减小了器件表面受外来电荷或电场的影响
碳化硅肖特基二极管

[发明专利]一种具有低N面串联接触电阻的半导体激光器-CN202110873942.0在审
发明人：林涛;解佳男;穆妍;孙婉君;李亚宁 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：一种具有低N面串联接触电阻的半导体激光器，包括从上至下依次设置的：P面电极，P型欧姆接触层，P型限制层，上波导层，量子阱，下波导层，N型限制层，N型缓冲层，N型衬底，N型重掺杂层，N面电极。本发明具有低N面串联接触电阻的半导体激光器，采用在N型衬底上制备一层N型重掺杂层，该重掺杂层与N面复合金属电极形成良好欧姆接触使其具有低N面串联接触电阻，可解决长期以来N型衬底无法同时保证重掺杂和低缺陷、低杂质光吸收的问题，可以有效解决N面电极接触电阻大的问题。
一种具有串联接触电阻半导体激光器

[发明专利]倒装焊技术制作氮化镓基发光二极管管芯的方法-CN200310120544.3无效
发明人：杨辉;张书明;王良臣 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2003-12-12 - 公布日： 2005-06-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种倒装焊技术制作氮化镓基发光二极管管芯的方法，包括如下步骤：在蓝宝石等绝缘衬底上生长氮化镓N型氮化镓层，发光有源区和P型氮化镓层；在管芯的P型氮化镓层上制备P型欧姆接触电极；将蓝宝石衬底减薄到70μm到150μm之间；在支撑体上沉积二氧化硅或氮化硅等绝缘隔离层，在沉积有二氧化硅或氮化硅等绝缘隔离层的支撑体上蒸镀与管芯P型欧姆接触电极大小相对应的金属焊料层；在管芯P型欧姆接触电极上开孔；在开孔后的支撑体的背面蒸镀或电镀金属层，引出管芯的P型电极；在倒装焊好管芯的背面利用光刻和蒸发等方法在管芯的侧面沉积一金属层；最后将具有单个管芯支撑体的P型欧姆接触电极焊接到热沉上，形成一个完整的具有良好导热性能的管芯。
倒装技术制作氮化发光二极管管芯方法

[发明专利]一种p型氮化镓基器件的电极及其制备方法和用途-CN202110796382.3在审
发明人：唐楚滢;杜方洲;于洪宇;汪青;王祥;卢宏浩;洪海敏 -专利权人：南方科技大学;深圳智芯微电子科技有限公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明提供了一种p型氮化镓基器件的电极及其制备方法和用途。所述电极包括依次层叠设置的镍层、铂层和金层，其中，所述铂层位于所述镍层和金层的中间，所述镍层为p型氮化镓基器件的欧姆接触层。本发明所提供的p型氮化镓基器件的电极，解决了金属电极材料扩散带来的肖特基势垒高度增加而导致的欧姆接触电阻增大的问题，同时将半导体界面的GaO薄层，转变为NiO半导体层，提高了金属/p‑type GaN界面处的Ga空位，进一步降低源漏极欧姆接触电阻，最终改善了p型氮化镓基器件源极和漏极欧姆接触电阻高的问题，提高了p型氮化镓晶体管的性能，使得p型氮化镓基器件能够在CMOS电路中发挥更大的作用。
一种氮化器件电极及其制备方法用途

[发明专利]一种垂直结构的GaN基肖特基二极管及其制作方法-CN201510261562.6有效
发明人：梁士雄;房玉龙;邢东;王俊龙;杨大宝;张立森;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2015-05-21 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：包括用于支撑整个GaN肖特基二极管的衬底，在所述的衬底上外延生长高掺杂的N+型GaN层，在所述的N+型GaN层上外延生长高掺杂的N‑型GaN层，在所述的N‑型GaN层上部蒸发有肖特基接触电极，所述肖特基接触电极通过空气桥与阳极电极连接，所述衬底底面刻蚀有第一刻蚀孔，衬底正面刻蚀有第二刻蚀孔，所述第一刻蚀孔在所述衬底与N+型GaN层连接处的正下方，第二刻蚀孔在阴极电极和N+型GaN和N‑型GaN台面结构之间，所述第一刻蚀孔和第二刻蚀孔内蒸发有欧姆接触电极，欧姆接触电极通过电镀金属层与阴极电极连接。本发明缩短了欧姆接触与肖特基接触之间的距离，减小了器件的扩展电阻，提高了器件的截至频率。
一种垂直结构 gan 基肖特基二极管及其制作方法

[发明专利]一种在氮化铝晶体上的欧姆接触电极结构及制备方法-CN200910226314.2有效
发明人：储开慧;许金通;包西昌;李向阳;戴江;陈长清 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2009-11-18 - 公布日： 2010-05-12 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种在氮化铝晶体上的欧姆接触电极结构及制备方法，AlN材料结构包括：一衬底；一AIN缓冲层；一本征型AlN层。通过先在本征型AlN上生长欧姆接触电极结构：钒金属层/铝金属层/钒金属层/金金属层，厚度依次为15～25μm/50～100μm/15～25μm/50～100μm；然后进行In离子注入，注入剂量大于1×1014cm-2，能量大于150keV；并进行高温退火激活工艺，制备出AlN材料上的欧姆接触。AlN欧姆接触的实现，有助于解决日盲型材料的欧姆接触问题，提高日盲器件的性能；并解决了制备高性能真空紫外响应器件的瓶颈。
一种氮化晶体欧姆接触电极结构制备方法

[发明专利]三轴自对准法制备内腔接触式垂直腔面发射激光器-CN200410029946.7无效
发明人：郭霞;沈光地;杜金玉;邹德恕 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2004-04-06 - 公布日： 2005-01-12 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：流程如图3－1～9所示，各步骤均用常规技术，包括以下步骤：光刻；采用光刻胶做掩膜，腐蚀上分布布拉格反射镜1到欧姆接触层3，并呈双沟状；淀积p型欧姆接触电极Ti/Pt/Au 2；剥离，只在欧姆接触层3上留有Ti/Pt/Au；套刻；光刻胶和p型欧姆接触电极Ti/Pt/Au2共同作为掩膜，分别向下腐蚀无掩膜保护的上分布布拉格反射镜1和欧姆接触层3、Al_xGa_1－xAs(x≥0.9)湿氮氧化层4；去掉光刻胶；湿氮氧化，控制氧化时间，形成氧化孔径；将样品减薄，抛光，制备n型欧姆接触电极11。
对准法制备内腔接触垂直发射激光器

[发明专利]半导体元件的欧姆接触构造-CN200610150368.1无效
发明人：星真一;伊藤正纪 -专利权人：冲电气工业株式会社
申请日： 2006-10-30 - 公布日： 2007-06-20 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种GaN－HEMT的欧姆接触构造，其具有第1欧姆电极(104)和第2欧姆电极(108)，该第1欧姆电极(104)和第2欧姆电极(108)被分别设置成：从第1主面向半导体主体内，在第1主电极区域(102)内和第2主电极区域(106)内穿过，到达比2维电子气层更深的位置，第1欧姆电极的第1侧面和与该第1侧面相对的第2欧姆电极的第2侧面是凹凸面，该凹凸面是由在这些第1和第2欧姆电极的厚度方向在该厚度范围延伸的凹部所形成的由此可提高可靠性，降低欧姆接触电阻。
半导体元件欧姆接触构造

[发明专利]基于Ti/Ti-Al/Cu-W的GaN基HEMT无金欧姆接触电极及其制备方法-CN202011447095.3在审
发明人：王洪;李先辉;谢子敬 -专利权人：中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明公开了基于Ti/Ti‑Al/Cu‑W的GaN基HEMT无金欧姆接触电极，为在GaN基HEMT外延层的上表面从下到上依次排列设置的第一金属层Ti、第二金属层Ti‑Al合金和第三金属层Cu‑W合金。还提供了该电极的制备方法，所述电极为在GaN基HEMT外延层上表面的两侧从下到上依次排列的第一金属层Ti、第二金属层Ti‑Al合金和第三金属层Cu‑W合金。相对于传统欧姆接触电极金属体系，本发明的欧姆接触电极有利于降低合金温度，提高电极的导电性，降低工艺难度，有助于降低GaN基HEMT器件的制造成本。
基于 ti al cu gan hemt 欧姆接触电极及其制备方法

[发明专利]半纵向型欧姆接触电极及其制作方法-CN201810320840.4在审
发明人：黄火林;孙仲豪 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2018-04-11 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01L29/41 文献下载
摘要：一种半纵向型欧姆接触电极及其制作方法，属于半导体器件制作领域。技术要点是：包括半导体和金属电极，所述金属电极制作在所述半导体上，所述金属电极在纵向上呈台阶型。有益效果是:本发明所述的半纵向型欧姆接触电极及其制作方法增加了金属与半导体之间的有效接触面积，与传统平面欧姆接触结构相比，在相同器件设计体积中，允许导通电流量增大，电极阻值减小；同时，纵向电极部分将对半导体体内电场强度有调制作用
欧姆接触电极半导体金属电极制作有效接触面积半导体器件边缘电场传统平面电流击穿电压条件技术要点流量增大欧姆接触器件设计效应减弱纵向电极电极大电流台阶型减小调制通电体内金属分割

[实用新型]一种气敏传感器-CN202120704503.2有效
发明人：姜卫粉;张天杰;宋晓燕;高海燕;贾敏;杨晓辉;张巧丽;王玉生 -专利权人：华北水利水电大学
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本实用新型提供一种气敏传感器，用以解决现有的气敏传感器接触电阻高的问题。本实用新型的气敏传感器包括：支撑衬底，呈板状结构；绝缘隔离层，固设于支撑衬底上侧板面上；接触电极，固设于绝缘隔离层的上侧面上，成对设置且成对的两个接触电极相对布置；多孔硅层，设于绝缘隔离层上且将接触电极覆盖；接触电极连接有电极引线结构并用于将电信号导出。将接触电极设置在多孔硅层下方，先在绝缘隔离层上形成接触电极，然后设置多孔硅层，由于绝缘隔离层的性质较为稳定，在其上形成接触电极时不受温度、反应原料的限制，能够沉积更加良好的接触电极，进而使接触电极和多孔硅层形成欧姆接触，降低接触电极和多孔硅层之间的接触电阻。
一种传感器

[发明专利]一种具有高功率放大系数的三极发光管及其制备方法-CN202010536751.0有效
发明人：吴朝兴;郭太良;张永爱;周雄图 -专利权人：福州大学;闽都创新实验室
申请日： 2020-06-12 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有高功率放大系数的三极发光管及其制备方法，包括缓冲层、第一半导体层至第四半导体层、第一至第三接触电极、发光层以及非导电层；第一至第三半导体层、发光层以及第四半导体层从下自上依次堆叠于缓冲层之上；其中，第一半导体层与第二半导体层均具有台面结构；第一接触电极设置于第一半导体层的台面上，并与其形成欧姆接触；第二接触电极设置于第二半导体层的台面上，并与其形成欧姆接触；第三接触电极设置于第四半导体层上，并与其形成欧姆接触；第一半导体层与第二半导体层的台面之间设置有非导电层。
一种具有功率放大系数三极发光及其制备方法

[发明专利]GaN基高电子迁移率晶体管、欧姆金属电极及其制备方法-CN202210230849.2在审
发明人：刘明远;郑英奎;康玄武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L29/207 文献下载
摘要：本发明涉及一种GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法，该晶体管的最顶层为氮化物层，本发明通过对该氮化物层表面进行等离子体处理，在其内部形成了氮空位，进而形成了重掺杂，从而降低了GaN基衬底与欧姆金属电极之间的欧姆接触电阻本发明还涉及一种欧姆金属电极及其制备方法，该欧姆金属电极具有Ti/Al/Ti/Al/Ti/Al/Ni/Au层结构，能够增大Ti和Al的接触面积，Al在各层起到催化作用，使Ni与势垒层的反应更加充分，从而能够显著降低欧姆接触电阻
gan 电子迁移率晶体管欧姆金属电极及其制备方法