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[实用新型]高效异质结光伏组件-CN202021449809.X有效
发明人：邓士锋;夏正月;许涛 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司;常熟阿特斯阳光电力科技有限公司
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高效异质结光伏组件，其包括异质结太阳能电池片、连接至所述异质结太阳能电池片受光面的第一焊带以及连接至所述异质结太阳能电池片背光面的第二焊带、覆于所述第一焊带外侧且粘接至所述异质结太阳能电池片受光面的第一粘合膜以及覆于所述第二焊带外侧且粘接至所述异质结太阳能电池片背光面的第二粘合膜；基于本实用新型所提供高效异质结光伏组件的具体结构，可大幅降低水汽、Na+直接进入到异质结太阳能电池片内部的概率，能够保证异质结太阳能电池片具有较为稳定的电池性能；还可以确保第一焊带、第二焊带与异质结太阳能电池片之间具有紧密的电性接触，避免了由于焊接不牢导致高效异质结光伏组件串联电阻增大的问题。
高效异质结光伏组件

[发明专利]一种具有钙钛矿能级修饰层的双体异质结有机太阳能电池及其制备方法-CN201910188032.1在审
发明人：黄江;董怀远;何磊;侯思辉 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有钙钛矿能级修饰层的双体异质结有机太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池依次包括衬底、第一电极层、功能层、第二电极层，其特征在于：所述功能层包括第一有机体异质结层和第二有机体异质结层，并在第一有机体异质结层与第二有机体异质结层之间插入钙钛矿修饰层，所述第一有机体异质结层靠近第一电极层，第二有机体异质结层靠近第二电极层。本发明通过将钙钛矿能级修饰层引入双体异质结有机太阳能电池中，有效的解决了传统双体异质结有机太阳能电池开路电压较低的问题，提升电池效率，简化了制备工艺。
有机体异质结层有机太阳能电池钙钛矿修饰层异质结双体能级第二电极第一电极功能层制备太阳能电池电池效率开路电压制备工艺衬底引入

[实用新型]用于测试异质结太阳能电池的IV测试仪-CN201620498618.X有效
发明人：顾凯;张闻斌;王琪 -专利权人：苏州协鑫集成科技工业应用研究院有限公司;协鑫集成科技（苏州）有限公司;协鑫集成科技股份有限公司
申请日： 2016-05-26 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H02S50/15 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于测试异质结太阳能电池的IV测试仪，金属板，用于放置异质结太阳能电池，并电连接异质结太阳能电池中的一个电极；检测部件，包括探针，所述探针与所述金属板相对设置、且用于电连接异质结太阳能电池中的另一个电极；所述IV测试仪通过所述金属板与所述探针分别与异质结太阳能电池的两个电极接触并形成导电回路，以采集异质结太阳能电池的IV特性。上述IV测试仪可根据异质结太阳能电池的结构特性，使探针及金属板分别准确地接触异质结太阳能电池片的两个电极，并准确的测试异质结太阳能电池的IV特性。
用于测试异质结太阳能电池 iv 测试仪

[发明专利]一种以单晶硅为载体的消反射双层P/N异质结的层级复合材料及应用-CN201511002799.9有效
发明人：石刚;李赢;王大伟;倪才华;何飞;迟力峰;吕男 -专利权人：江南大学
申请日： 2015-12-28 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： B01J31/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种以单晶硅为载体的消反射双层P/N异质结的层级复合材料，依以下方法制备：(1)首先对硅片进行亲水处理，在其表面生长二氧化钛晶种，并置于马弗炉内煅烧；(2)然后将步骤(1)中所得到的表面附有二氧化钛晶种的硅片置于反应釜中，采用水热合成的方法在硅片表面诱导生长二氧化钛纳米棒；(3)最后在步骤(2)中得到的二氧化钛纳米棒上沉积聚吡咯纳米粒子，得到以单晶硅为载体的消反射双层P/N异质结层级复合材料。本发明所涉及的以单晶硅为载体的消反射双层P/N异质结层级复合材料具有优异的降低材料表面光反射和高效分离光生电荷的能力，可以应用到光催化、光电转化器件和太阳能电池等领域。
单晶硅反射复合材料异质结层级二氧化钛纳米棒二氧化钛硅片晶种聚吡咯纳米粒子光电转化器件太阳能电池表面生长高效分离光生电荷硅片表面亲水处理水热合成诱导生长反应釜光催化马弗炉煅烧沉积制备应用

[发明专利]一种ZnO/WO₃异质结阵列的合成方法-CN201610833509.3有效
发明人：徐芳;梅晶晶;陈会敏;武大鹏;蒋凯;高志永 -专利权人：河南师范大学
申请日： 2016-09-20 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： B01J23/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种ZnO/WO₃异质结阵列的合成方法，具体步骤为：（1）在FTO基底上生长ZnO晶种；（2）覆盖ZnO晶种的FTO放入装有醋酸锌、聚乙烯亚胺和环六亚甲基四胺的混合水溶液的容器中，油浴加热反应得到生长有ZnO纳米棒阵列的FTO；（3）将生长有ZnO纳米棒阵列的FTO置于装有仲钨酸铵、浓盐酸溶液和双氧水的乙醇‑水混合溶液的水热反应釜中，水热反应制得ZnO/WO₃异质结阵列。
一种 zno wo3 异质结阵列合成方法

[实用新型]一种智能化空调热平衡控制器-CN202123436208.2有效
发明人：彭红超;郭文明;刘秀娟 -专利权人：郑州新基业汽车电子有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： F24F11/89 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种智能化空调热平衡控制器，涉及热平衡监控技术，针对热电偶的异质金属结的稳定性不足导致热平衡精度低提出本方案，所述的第一金属棒和第二金属棒下端分别水平反向延伸，在第一金属棒和第二金属棒之间形成接触；第一金属棒在接触位置设有朝向第二金属棒的第一扣合齿，第二金属棒在接触位置设有朝向第一金属棒的第二扣合齿；所述的第二扣合齿和第一扣合齿相适配。优点在于，通过第二扣合齿与第一扣合齿的组合可以避免第一金属棒与第二金属棒发生横向位移，通过第二硅胶垫、橡胶圈和第一硅胶垫的组合可以避免第一金属棒与第二金属棒发生纵向位移。有效提高了异质金属结的相对位置稳定，进而提高热平衡控制的精度。
一种智能化空调平衡控制器

[发明专利]光电子器件ZnO/ZnS异质结纳米阵列膜制备方法-CN201510554660.9有效
发明人：钟文武;李志刚;刘彦平;詹白勺 -专利权人：台州学院;钟文武;詹白勺
申请日： 2015-09-04 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： H01L21/368 文献下载
摘要：本发明涉及光电子学技术领域，尤其涉及一种光电子器件ZnO/ZnS异质结纳米阵列膜制备方法，包括有清洗衬底、ZnO种子层制备、ZnO纳米棒有序阵列薄膜制备、ZnO/ZnS异质结构纳米阵列制备步骤，本发明具有工艺简单
光电子器件 zno zns 异质结纳米阵列制备方法

[发明专利]一种还原六价铀的方法-CN202310602679.0在审
发明人：张也;刘欣琳 -专利权人：南华大学
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C01G43/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种还原六价铀的方法，该方法是将催化剂CdSe/CdTe异质结纳米棒与含六价铀的溶液混合后调节pH值为弱酸性，进行光催化还原反应，得到含四价铀的溶液。该方法采用CdSe/CdTe异质结作为催化剂，具有催化活性高，催化速度快，离子干扰能力强，可重复循环使用等特点，且无需在含六价铀的溶液中加入牺牲剂，经济环保，有利于扩大生产。
一种还原六价铀方法

[发明专利]一种识别二维三维材料异质结中二维材料层数的光学方法-CN202111555010.8在审
发明人：吴宏荣;赵军华;李娜;童品森 -专利权人：江南大学
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： G01N21/55 文献下载
摘要：本发明公开了一种识别二维三维材料异质结中二维材料层数的光学方法，涉及二维/三维材料共形异质结测量表征技术领域，该方法包括：获取待识别二维/三维材料异质结的光学图像；从颜色厚度对应关系中确定与二维/三维材料异质结的颜色信息对应的二维/三维材料异质结厚度，从待识别二维/三维材料异质结的厚度对应的计算图谱中，得到二维/三维材料异质结的颜色随二维材料层数变化的计算图谱，将待识别二维/三维材料异质结光学图像与计算图谱进行比对，确定二维/三维材料异质结中二维材料的层数本发明基于光学图像与对应关系的比对，可以方便快捷有效的识别光学显微镜观测的二维/三维材料异质结中二维材料层数。
一种识别二维三维材料异质结中层数光学方法

[发明专利]一种基于绝缘层上硅衬底的二维材料/硅异质结阵列及其制备方法-CN202210049787.5在审
发明人：徐杨;宁浩;吴少雄;吕建杭;刘粒祥;陈丽;汪晓晨;俞滨 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于绝缘层上硅衬底的二维材料/硅异质结阵列及其制备方法，包括组成阵列的若干异质结单元。异质结单元为二维材料/硅的垂直异质结，阵列是异质结单元的面阵阵列。本发明通过二维材料与硅的垂直异质结拓宽吸收波段、增强光吸收。本发明的异质结阵列中，每一列/行异质结共用同一条顶硅条带，每一行/列异质结的二维材料接触电极相互连接，组成一条该行/列的顶电极布线。本发明实现了二维材料/硅异质结器件的阵列制作，为二维材料和硅的大规模集成提供了方案。
一种基于绝缘层上硅衬底二维材料硅异质结阵列及其制备方法

[发明专利]提高HIT异质结太阳能电池转换效率的方法-CN202110576045.3在审
发明人：范继良 -专利权人：黄剑鸣
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明公开一种提高HIT异质结太阳能电池转换效率的方法，其包括如下步骤：将HIT异质结太阳能电池与直流电源电性接通，控制直流电源的电压小于HIT异质结太阳能电池的击穿电压，使HIT异质结太阳能电池内的旁路电阻发热而烧断；强光照射HIT异质结太阳能电池使其内不稳定的悬挂键重组成稳定的化学键；断开HIT异质结太阳能电池与直流电源的电性连接，撤销强光对HIT异质结太阳能电池的照射，获得电池转换效率提高的HIT异质结太阳能电池该方法通过对现有HIT异质结太阳能电池进行直流电源的接入和强光照射，消除了旁路电阻及不稳定的悬挂键，大大的提高了HIT异质结太阳能电池的转换效率。
提高 hit 异质结太阳能电池转换效率方法

[发明专利]一种异质结可饱和吸收镜及其制备方法、锁膜光纤激光器-CN201610387349.4在审
发明人：闫培光;陈浩;王金章;邢凤飞 -专利权人：深圳大学
申请日： 2016-06-02 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01S3/098 文献下载
摘要：本发明属于激光器技术领域，提供了一种异质结可饱和吸收镜，包括衬底、覆盖在所述衬底上的异质结薄膜以及位于所述异质结薄膜之上的保护膜层；所述异质结薄膜包括至少两层可饱和吸收层，其中各可饱和吸收层的材料互不相同本发明还提供了一种异质结可饱和吸收镜的制备方法，包括如下步骤：衬底制将衬底抛光；将所述衬底置于反应室内，采用CVD法在所述金膜层上依次镀上所述至少两层可饱和吸收层，形成异质结薄膜；在所述异质结薄膜表面镀上保护膜层本发明提供的异质结可饱和吸收镜具有高损伤阈值，结构简单、成本低廉，可靠性高；制备方法简单，适于批量生产。
一种异质结可饱和吸收及其制备方法光纤激光器

[发明专利]异质结太阳电池金属电极及其制备方法、异质结太阳电池-CN202210729433.5在审
发明人：陈维强;黄国保;张鹤仙;韩涵;王军伟 -专利权人：陕西众森电能科技有限公司
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及异质结太阳电池电极及其制备方法，具体涉及一种异质结太阳电池金属电极及其制备方法、异质结太阳电池，用于解决现有异质结太阳电池金属电极的制备方法采用电镀铜栅线技术，不仅无法降低成本，同时因电镀速率缓慢该异质结太阳电池金属电极包括导电金属丝、设置在导电金属丝与异质结太阳电池基底之间的附着层，以及电镀在导电金属丝表面、导电金属丝和附着层之间的金属层。同时，本发明提供一种上述异质结太阳电池金属电极的制备方法，以及一种异质结太阳电池。
异质结太阳电池金属电极及其制备方法

[发明专利]一种环境气体分子插层调节范德华异质结光电转化性质的预测方法-CN202310520932.8在审
发明人：高峻峰;张艳雪;常远 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G16C20/30 文献下载
摘要：本发明属于光催化和太阳能电池技术领域，具体涉及一种环境气体分子插层调节范德华异质结光电转化性质的预测方法。本发明提供的预测方法，采用理论模拟的方法构建环境气体分子插层范德华异质结模型、对分子插层异质结稳定构型结构优化和能量统计，筛选得到基态环境气体分子插层范德华异质结模型后；相较于未插层的范德华异质结超胞模型，对基态环境气体分子插层范德华异质结模型进行电子性质的评估、载流子动力学分析和非绝热耦合平均值分析，能够准确简便的预测不同环境气体分子对范德华异质结光电转化性质的影响。本发明提供的预测方法具有简单，可推广的优点，适用于整个TMDC异质结家族。
一种环境气体分子调节范德华异质结光电转化性质预测方法

[发明专利]一种具有单极性电压调控性能的异质结突触晶体管及其制备方法-CN202211113305.4在审
发明人：王一如;聂诗淼;凌海峰;解令海 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术和神经形态硬件领域，具体涉及一种具有单极性电压调控性能的异质结突触晶体管及其制备方法。本发明所述异质结突触晶体管，从下至上依次为衬底（1）、栅电极（2）、栅绝缘层（3）、电荷俘获层（4）、P/N异质结（5）和源漏电极（6）。所述的P/N异质结分为P型半导体层和N型半导体层两层。本发明利用制备的P/N异质结结构以及电荷俘获层实现异质结突触晶体管的双极性特性，即异质结突触晶体管既能实现N型特性也能实现P型特性。并且在异质结突触晶体管双极性的基础上，通过P/N异质结和电荷俘获层的协同或者竞争作用，结合单极性电压的调控方法，能够实现器件单极性电压的可调控制。
一种具有极性电压调控性能异质结突触晶体管及其制备方法