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[发明专利]半导体器件制备方法及半导体器件-CN202011461968.6有效
发明人：李马惠;师宇晨;张海超;穆瑶 -专利权人：陕西源杰半导体科技股份有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：所述半导体器件制备方法包括如下步骤：提供衬底，并在所述衬底的表面生长第一包覆层；在所述第一包覆层远离所述衬底的表面生长第一限制异质结层；在所述第一限制异质结层远离所述第一包覆层的表面生长有源层；在所述有源层远离所述第一限制异质结层的表面生长第二限制异质结层；其中，沿所述第一包覆层至所述第二限制异质结层方向上，所述第一限制异质结层的禁带宽度逐渐变小，所述第二限制异质结层的禁带宽度逐渐变大。在第一限制异质结层与第二限制异质结层之间形成了禁带宽度梯度差，可以加快载流子在异质结中移动，从而降低了载流子在异质结中的渡越时间，提高了载流子注入效率。
半导体器件制备方法

[发明专利]异质结遂穿场效应晶体管及其制备方法-CN201780005921.9有效
发明人：李伟;徐挽杰;徐慧龙;张臣雄 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2017-08-18 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种异质结遂穿场效应晶体管及其制备方法，包括：第一绝缘层覆盖在衬底的上表面，第一异质结材料层覆盖在第一绝缘层的上表面上用于设置源极的一端，源极设置在第一异质结材料层的一端，第一异质结材料层另一端周围设置有第二绝缘层，隔离层设置在异质结层上，隔离层覆盖在源极的内侧；第二异质结材料层覆盖在第一异质结材料层的另一端、第二绝缘层以及第二绝缘层上，与第一异质结材料层形成异质结，漏极设置在第二异质结层上与源极相对的另一端；栅介质层覆盖在第二异质结材料层上位于源极和漏极之间的位置，栅极设置在栅介质层上。通过设置第二绝缘层进行隔离，显著减小边缘态导致的泄露电流，并利用二维材料形成异质结，避免了因晶格不匹配导致的界面缺陷。
异质结遂穿场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种具有钙钛矿能级修饰层的双体异质结有机太阳能电池及其制备方法-CN201910188032.1在审
发明人：黄江;董怀远;何磊;侯思辉 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有钙钛矿能级修饰层的双体异质结有机太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池依次包括衬底、第一电极层、功能层、第二电极层，其特征在于：所述功能层包括第一有机体异质结层和第二有机体异质结层，并在第一有机体异质结层与第二有机体异质结层之间插入钙钛矿修饰层，所述第一有机体异质结层靠近第一电极层，第二有机体异质结层靠近第二电极层。本发明通过将钙钛矿能级修饰层引入双体异质结有机太阳能电池中，有效的解决了传统双体异质结有机太阳能电池开路电压较低的问题，提升电池效率，简化了制备工艺。
有机体异质结层有机太阳能电池钙钛矿修饰层异质结双体能级第二电极第一电极功能层制备太阳能电池电池效率开路电压制备工艺衬底引入

[发明专利]一种异质结电池制备方法-CN202010293089.0在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：苏州联诺太阳能科技有限公司
申请日： 2020-04-15 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结电池制备方法，异质结电池包括分别设置于所述异质结电池正面和/或背面的导电薄膜层，所述制备方法包括在所述异质结电池正面和/或背面的设定区域内通过喷墨工艺方法去除所述设定区域内的导电薄膜层该异质结电池制备方法通过在激光切割位置或异质结电池的边缘位置通过喷墨工艺方法去除该激光切割位置和边缘位置的导电薄膜层，可避免在激光切割过程中导电薄膜层掺杂到异质结电池内部，降低异质结电池的钝化性能，并影响异质结电池的效率；同时通过该喷墨工艺方法可达到对异质结电池边绝缘的目的，可降低边绝缘区域0.25~0.5mm，达到提升异质结电池效率的目的。
一种异质结电池制备方法

[发明专利]一种异质结电池的处理方法-CN202210250868.1在审
发明人：程尚之;周肃;龚道仁;符欣 -专利权人：安徽华晟新能源科技有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种异质结电池的处理方法。所述的异质结电池的处理方法包括：提供异质结电池，所述异质结电池包括单晶半导体层和非晶半导体层；将所述异质结电池置于暗态环境中，在暗态环境中对所述异质结电池进行静置处理，直至所述异质结电池的效率稳定至第一效率；进行所述静置处理之后，对所述异质结电池进行光照处理，使所述异质结电池的效率上升至第二效率，所述第二效率大于所述第一效率。所述异质结电池的处理方法实现了对非晶半导体层内的缺陷以及潜在缺陷的钝化修复，避免了异质结电池因非晶半导体层内的缺陷和潜在缺陷的存在发生效率衰减。
一种异质结电池处理方法

[发明专利]可擦写存储器及其制造方法-CN202111525709.X在审
发明人：朱宝;尹睿;张卫 -专利权人：上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：本发明提供了一种可擦写存储器，包括衬底、阻挡层、第一异质结、第二异质结、隧穿层、沟道层、源极和漏极，所述阻挡层设置于所述衬底的顶面；第一异质结和第二异质结具有单向导通电荷特性，第一异质结和第二异质结分别用于可擦写存储器的数据写入操作和数据擦除操作；隧穿层包括水平部和竖直部，竖直部用于隔断第一异质结和第二异质结，以避免第一异质结和第二异质结的横向电荷导通；沟道层用于电荷的迁移。采用两个异质结分别作为可擦写存储器的数据写入和数据擦除通道，使得可擦写存储器的数据写入和数据擦除更加稳定和对称，提高了数据擦除和数据写入速度，降低了动态功耗。
擦写存储器及其制造方法

[发明专利]一种异质结可饱和吸收镜及其制备方法、锁膜光纤激光器-CN201610387349.4在审
发明人：闫培光;陈浩;王金章;邢凤飞 -专利权人：深圳大学
申请日： 2016-06-02 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01S3/098 文献下载
摘要：本发明属于激光器技术领域，提供了一种异质结可饱和吸收镜，包括衬底、覆盖在所述衬底上的异质结薄膜以及位于所述异质结薄膜之上的保护膜层；所述异质结薄膜包括至少两层可饱和吸收层，其中各可饱和吸收层的材料互不相同本发明还提供了一种异质结可饱和吸收镜的制备方法，包括如下步骤：衬底制将衬底抛光；将所述衬底置于反应室内，采用CVD法在所述金膜层上依次镀上所述至少两层可饱和吸收层，形成异质结薄膜；在所述异质结薄膜表面镀上保护膜层本发明提供的异质结可饱和吸收镜具有高损伤阈值，结构简单、成本低廉，可靠性高；制备方法简单，适于批量生产。
一种异质结可饱和吸收及其制备方法光纤激光器

[发明专利]一种高频高线性多级多沟道T-Gate Fin-HEMT结构及制备方法-CN202310384509.X在审
发明人：王凯;吴畅;郭涛;刘捷龙;李程程 -专利权人：湖北九峰山实验室
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种高频高线性多级多沟道T‑Gate Fin‑HEMT结构，该结构从上至下至少依次包括第1组异质结叠层、第2组异质结叠层......第n组异质结叠层、缓冲层、衬底层，其中，n≥2；源电极和漏电极嵌设在异质结叠层两端；每组异质结叠层均包括沟道层和外延生长在沟道层上的势垒层；栅电极嵌设在位于源电极和漏电极之间的第1组异质结叠层至第n组异质结叠层中，呈阶梯状。
一种高频线性多级沟道 gate fin hemt 结构制备方法

[发明专利]基于分步旋涂混合异质结的有机太阳能电池及其制备方法-CN202310684613.0在审
发明人：赵富稳;周吉祥;何旦 -专利权人：中南大学
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10K30/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于分步旋涂混合异质结的有机太阳能电池及其制备方法，该有机太阳能电池具有正置结构，包括混合异质结活性层；该方法将体异质结层混合溶液旋转涂覆在空穴传输层上，并进行热退火，制备体异质结层；后在体异质结层上旋转涂覆受体层混合溶液，并进行热退火，制备受体层；实现体异质结/受体形式的混合异质结，从而改善活性层垂直成分分布；其中体异质结层混合溶液为D‑A型共轭聚合物与受体材料共混的氯苯溶液；受体层混合溶液为受体材料与添加剂共混的氯仿溶液；旨在改善活性层垂直成分分布，进而提高激子解离效率与载流子迁移率，使得器件具有更低的载流子复合，从而提高器件短路电流密度和填充因子。
基于分步混合异质结有机太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种具有单极性电压调控性能的异质结突触晶体管及其制备方法-CN202211113305.4在审
发明人：王一如;聂诗淼;凌海峰;解令海 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术和神经形态硬件领域，具体涉及一种具有单极性电压调控性能的异质结突触晶体管及其制备方法。本发明所述异质结突触晶体管，从下至上依次为衬底（1）、栅电极（2）、栅绝缘层（3）、电荷俘获层（4）、P/N异质结（5）和源漏电极（6）。所述的P/N异质结分为P型半导体层和N型半导体层两层。本发明利用制备的P/N异质结结构以及电荷俘获层实现异质结突触晶体管的双极性特性，即异质结突触晶体管既能实现N型特性也能实现P型特性。并且在异质结突触晶体管双极性的基础上，通过P/N异质结和电荷俘获层的协同或者竞争作用，结合单极性电压的调控方法，能够实现器件单极性电压的可调控制。
一种具有极性电压调控性能异质结突触晶体管及其制备方法

[发明专利]一种环境气体分子插层调节范德华异质结光电转化性质的预测方法-CN202310520932.8在审
发明人：高峻峰;张艳雪;常远 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G16C20/30 文献下载
摘要：本发明属于光催化和太阳能电池技术领域，具体涉及一种环境气体分子插层调节范德华异质结光电转化性质的预测方法。本发明提供的预测方法，采用理论模拟的方法构建环境气体分子插层范德华异质结模型、对分子插层异质结稳定构型结构优化和能量统计，筛选得到基态环境气体分子插层范德华异质结模型后；相较于未插层的范德华异质结超胞模型，对基态环境气体分子插层范德华异质结模型进行电子性质的评估、载流子动力学分析和非绝热耦合平均值分析，能够准确简便的预测不同环境气体分子对范德华异质结光电转化性质的影响。本发明提供的预测方法具有简单，可推广的优点，适用于整个TMDC异质结家族。
一种环境气体分子调节范德华异质结光电转化性质预测方法

[发明专利]异质结太阳能电池和制备异质结太阳能电池的方法-CN202010903144.3在审
发明人：张美荣;吴坚;蒋方丹 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2020-09-01 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结电池和制备异质结电池的方法，该异质结电池包括衬底层，在所述衬底层的受光面上叠层设置有第一本征层、第一掺杂层和第一透明导电层，其中，所述第一掺杂层包括叠层设置的至少三层掺杂子层。本发明的异质结电池和制备异质结电池的方法，在制程中工艺温度低，更节能，可以增强非晶硅掺杂层的场钝化性能，能有效改善界面间的载流子传输行为，从而保证电荷有效传输，提高异质结电池的光电转换效率。
异质结太阳能电池制备方法

[发明专利]一种具有鳍式结构的半导体器件及其制备方法-CN202210603401.0在审
发明人：郭炜;戴贻钧;叶继春 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本申请公开了一种具有鳍式结构的半导体器件及其制备方法，涉及半导体领域，该方法包括获得形成有图形化极性调节层的衬底；通过调节Ⅴ族源与Ⅲ族源的输入比生长鳍式异质结，鳍式异质结包括在衬底未被图形化极性调节层覆盖的区域的氮极性异质结，以及位于图形化极性调节层上的金属极性异质结，氮极性异质结和金属极性异质结的高度不同；制备电极，得到具有鳍式结构的半导体器件。图形化极性调节层可以控制金属极性异质结和氮极性异质结的分布，在不同Ⅴ族源与Ⅲ族源的输入比下，金属极性异质结和氮极性异质结生长高度不同，可直接生长出鳍式异质结，无需刻蚀，既可避免刻蚀带来的损伤，还避免刻蚀损伤造成的沟道漏电通道
一种具有结构半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种IBC太阳能电池结构及其制备工艺-CN202011011919.2在审
发明人：赵保星;魏青竹;倪志春;张树德;符欣;连维飞 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种IBC太阳能电池结构，包括依次层叠设置的减反射层、正面钝化膜层、p型扩散层、n型单晶硅基底层、背面钝化膜层、有机异质结层、背面导电保护层、背面电极；所述n型单晶硅基底层的背面形成图形化的有机异质结层，所述有机异质结层包括p型有机异质结层和n型有机异质结层，所述p型有机异质结层和n型有机异质结层中间有形成空间隔离区；本发明也相应地公开上述IBC太阳能电池结构的制备工艺。本发明通过将有机物质和单晶硅接触面移至电池背面，保证形成均匀、高质量的有机杂化异质结膜层，而正表面采用了碱制绒金字塔绒面结构，可以大幅提升电池光学性能。
一种 ibc 太阳能电池结构及其制备工艺

[实用新型]一种IBC太阳能电池结构-CN202022108929.X有效
发明人：赵保星;魏青竹;倪志春;张树德;符欣;连维飞 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种IBC太阳能电池结构，包括依次层叠设置的减反射层、正面钝化膜层、p型扩散层、n型单晶硅基底层、背面钝化膜层、有机异质结层、背面导电保护层、背面电极；所述n型单晶硅基底层的背面形成图形化的有机异质结层，所述有机异质结层包括p型有机异质结层和n型有机异质结层，所述p型有机异质结层和n型有机异质结层中间有形成空间隔离区。本实用新型通过将有机物质和单晶硅接触面移至电池背面，保证形成均匀、高质量的有机杂化异质结膜层，而正表面采用了碱制绒金字塔绒面结构，可以大幅提升电池光学性能。
一种 ibc 太阳能电池结构

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