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[发明专利]具有高动态范围的图像传感器和生成图像方法-CN201710288779.5有效
发明人： P·马林格;F·拉兰尼 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H04N5/355 文献下载
摘要：一种光电二极管响应于暴露于光中而生成光生电荷。积分周期收集这些光生电荷。超过溢出阈值的所收集光生电荷被传递至溢出感测节点。剩余的所收集光生电荷被传递至感测节点。从该溢出感测节点中读取表示这些溢出光生电荷的第一信号。从该感测节点中读取表示这些剩余光生电荷的第二信号。
具有动态范围图像传感器生成图像方法

[实用新型]图像传感器像素电路-CN201720459849.4有效
发明人： P·马林格;F·拉兰尼 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： H04N5/355 文献下载
摘要：一种光电二极管响应于暴露于光中而生成光生电荷。积分周期收集这些光生电荷。超过溢出阈值的所收集光生电荷被传递至溢出感测节点。剩余的所收集光生电荷被传递至感测节点。从该溢出感测节点中读取表示这些溢出光生电荷的第一信号。从该感测节点中读取表示这些剩余光生电荷的第二信号。根据本申请的方案，可以提供具有高动态范围的图像传感器。
光生电荷溢出感测节点图像传感器像素读取电路光电二极管图像传感器第二信号积分周期传递高动态申请暴露响应

[发明专利]一种像素单元、传感器以及传感阵列-CN201811399529.X在审
发明人：雷述宇 -专利权人：宁波飞芯电子科技有限公司
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：该像素单元包括：电荷收集区，用于接收辐射生成光生电荷；传输栅，连接于电荷收集区与悬浮扩散节点之间，用于将光生电荷从电荷收集区转移至悬浮扩散节点；电势调整区，设置于电荷收集区外围，用于将光生电荷向电荷收集区中与传输栅连接的一侧集中
一种像素单元传感器以及传感阵列

[发明专利]基于动态门限电压的像素单元与光电调制方法及其应用-CN201810337858.5有效
发明人：雷述宇 -专利权人：宁波飞芯电子科技有限公司
申请日： 2018-04-16 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： G01S7/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于动态门限电压的像素单元与光电调制方法及其应用，光电转换模块于将入射光通过光电转换产生光生电荷载流子，入射光包括接收辐射和背景光，接收辐射包括激光辐射和背景光；传输模块，将激光辐射和背景光产生的光生电荷载流子通过空间分离分别存储至两个一级节点中；门限受控传输模块，将一级节点中激光辐射产生的光生电荷载流子传递至二级节点中，并将背景光产生的光生电荷载流子留在一级节点中；门限受控传输模块包括门限电压，门限电压与一级节点中存储的背景光产生的光生电荷载流子的电压值相同本发明将一级节点收集到的光生电荷载流子通过门限电压进行控制，去除背景光信息,提高背景光抑制效果。
基于动态门限电压像素单元光电调制方法及其应用

[发明专利]一种图像传感器和电子设备-CN202010597663.1在审
发明人：雷述宇 -专利权人：宁波飞芯电子科技有限公司
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H04N5/369 文献下载
摘要：本申请提供了一种图像传感器和电子设备，图像传感器包括：第一基板，包括像素阵列，所述像素阵列由像素单元构成，所述像素单元包括：光电转换装置，传输装置和第一电荷存储装置，所述光电转换装置用于接收光信号并生成光生电子，所述传输装置用于控制所述光生电子的传输，所述电荷存储装置用于存储传输装置传输的所述光生电子；第二基板，包括第二电荷存储装置和处理电路，所述第二电荷存储装置，所述处理电路用于处理所述第一电荷存储装置和第二电荷装置中存储的所述光生电子
一种图像传感器电子设备

[发明专利]一种高解调效率的像素结构-CN201910246974.0有效
发明人：汪一飞 -专利权人：汪一飞
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种高解调效率的像素结构，包括P型衬底，P型衬底上表面中部沉积有N型光生电荷收集区，N型光生电荷收集区上沉积有P+钳位层，所述P+钳位层的上表面与P型衬底的上表面平齐，所述P+钳位层上表面左右两侧对称设有两个侧向电荷引导栅，所述P+钳位层上表面前端对称设有两个电荷转移栅，所述P型衬底上紧靠电荷转移栅前端位置处沉积有光生电荷存储区，所述N型光生电荷收集区的形状为从前往后宽度和深度逐渐减小。本发明采用N型光生电荷收集区的宽度和深度从前往后逐渐减小的结构，可以最大幅度增大垂直方向上的电势差，增大电荷转移速度。
一种解调效率像素结构

[发明专利]基于静态门限电压的像素单元与光电调制方法及其应用-CN201810338338.6有效
发明人：雷述宇 -专利权人：宁波飞芯电子科技有限公司
申请日： 2018-04-16 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H04N5/217 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于静态门限电压的像素单元与光电调制方法及其应用，该像素单元包括光电转换模块，用于将入射光通过光电转换产生光生电荷载流子，入射光包括接收辐射和背景光，所述接收辐射包括激光辐射和背景光；传输模块，用于将激光辐射和背景光产生的光生电荷载流子通过空间分离分别存储至两个一级节点中；门限受控传输模块，用于将一级节点中激光辐射产生的光生电荷载流子传递至二级节点中，并将背景光产生的光生电荷载流子留在一级节点中本发明采用门限栅和分级的方法，将传输栅控制的一级节点收集到的光生电荷载流子通过门限栅控制，去除背景光信息，提高背景光抑制效果。
基于静态门限电压像素单元光电调制方法及其应用

[发明专利]光生电荷载流子的控制-CN201310619425.6有效
发明人： T.贝弗;H.法伊克;T.考奇;D.梅因霍尔德;H.梅尔茨纳;D.奥芬贝格;S.帕拉斯坎多拉;I.尤利希 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及光生电荷载流子的控制。描述并描绘了与光生电荷载流子的控制有关的实施例。一种制造设备的方法，所述方法包括：提供非均匀掺杂轮廓，以使得在光转换区域的至少部分中生成具有垂直场矢量分量的电场；在非均匀掺杂轮廓上方生成包括多个控制电极的控制电极结构用于引导光生电荷载流子。
电荷载流子控制

[发明专利]采用栅控电荷存储的成像-CN200480030758.4无效
发明人：洪性权 -专利权人：微米技术有限公司
申请日： 2004-08-18 - 公布日： 2006-11-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种像素单元，其中包括用于产生电荷的光电转换装置和由控制栅控制的、存储光生电荷的栅控电荷存储区。所述电荷存储区可以是单个的具有埋入沟道的CCD台，以实现高效的电荷转移和较低的电荷损失。所述电荷存储区与某一晶体管的栅极相邻。所述晶体管的栅极又与所述光转换装置相邻，它和所述控制栅一起将光生电荷从所述光转换装置转移到所述电荷存储区。
采用电荷存储成像

[发明专利]包括额外传输门和额外浮置扩散区域的图像传感器-CN201811546871.8有效
发明人：林成祐 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：该图像传感器包括：像素阵列，其被构造为包括用于捕获入射光的不同的像素块，其中，像素块包括各自响应于光而产生光生电荷的相邻的单位像素；浮置扩散区域，其被设置在每个单位像素的中心处，以接收所述光生电荷；以及传输门，其形成在所述浮置扩散区域的周围，以控制所述光生电荷的传输。每个像素块可包括额外浮置扩散区域和额外传输门，所述额外浮置扩散区域位于所述像素块的中心处，以从所述相邻的单位像素中的每一个接收所述光生电荷，所述额外传输门形成在所述额外浮置扩散区域与所述相邻的单位像素之间，以控制光生电荷的传输。
包括额外传输扩散区域图像传感器

[发明专利]光电二极管内部光生电荷转移效率的测试方法-CN201810966066.4有效
发明人：雷述宇 -专利权人：宁波飞芯电子科技有限公司
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供了光电二极管内部光生电荷转移效率的测试方法，包括：步骤1，设光电二极管的上表面在光照条件下只有一小孔可进行透光，光照t0时间内小孔所对应光电二极管处所产生的光生电荷为E0，光生电荷E0的转移距离为L0，光生电荷E00；步骤2，依次将小孔朝远离悬浮扩散节点的方向进行移动，且每次小孔移动后，光照t0时间内小孔所对应光电二极管处所转移的光生电荷为Ei，光生电荷Ei在所述悬浮扩散节点中所对应的电压值ΔVi，直至小孔移动至光电二极管上表面的边缘为止DDA0001774993900000011.JPG" imgContent="drawing" imgFormat="JPEG" orientation="portrait" inline="yes" />得到光电二极管内部光生电荷转移效率
光电二极管内部电荷转移效率测试方法

[发明专利]成像电路和用于操作成像电路的方法-CN201510571876.6有效
发明人： T.考奇 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-09-10 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：栅极控制电路以第一操作模式操作以生成将第一电荷载流子类型的光生电荷载流子加速至第一集电接触的第一空间电荷区域并且以第二操作模式操作以生成将第一电荷载流子类型的光生电荷载流子加速至第一集电接触的第二空间电荷区域成像电路还包括图像处理电路，其基于在第一操作模式下第一集电接触处收集的第一电荷载流子类型的光生电荷载流子来确定对象的距离信息，并且基于在第二操作模式下第一集电接触处收集的第一电荷载流子类型的光生电荷载流子来确定对象的颜色信息
成像电路用于操作方法

[发明专利]成像元件-CN200510081143.0无效
发明人： N·L·贝尔克纳普;A·约安尼季斯;C·C·陈;L·张;J·M·杜夫;J·F·格拉哈姆;T·P·本德 -专利权人：施乐公司
申请日： 2005-06-28 - 公布日： 2006-01-04 - 主分类号： G03G5/00 文献下载
摘要：光电导元件，包括支撑基片、光生层和电荷传输层，并且其中所述光生层包括光生组分和电子传输组分。
成像元件

[发明专利]光敏传感器和对应的光学信号获取方法-CN202210964150.9在审
发明人： F·拉兰尼;P·马林格 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H04N25/779 文献下载
摘要：该传感器包括至少一个像素电路，该像素电路具有配置为光生电荷的光敏区域。第一传输门配置为将光生电荷从光敏区域传输到传输节点。源极跟随器晶体管配置为在全局快门模式中以由传输节点上的光生电荷的电位控制的方式将读取信号传输到读取节点。第二传输门配置为在卷帘式快门模式中将光生电荷从光敏区域传输到读取节点。
光敏传感器对应光学信号获取方法

[发明专利]CMOS图像传感器-CN201110410127.7有效
发明人：汪辉;丁毅岭;陈杰;田犁;方娜 -专利权人：上海中科高等研究院
申请日： 2011-12-09 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：多晶硅栅能使I型区的能带产生弯曲，从而能增加使I型区的光生电荷的转移能力，当I型区长度超过了光生电子或光生空穴的扩散长度时，也能使光生电子或光生空穴有效转移到N型区或P型区中，从而能降低光生电荷的转移在转移过程中的复合几率，能够增加感光区的光生电荷的转移效率，也能增加感光区的长度和有效感光面积，能够提高光响应率。
cmos 图像传感器

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