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[发明专利]一种背电极异质结太阳能电池及其制备方法-CN201580085420.7在审
发明人：薛黎明;杨武保;陆钧 -专利权人：中海阳能源集团股份有限公司
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明公开了一种背电极异质结太阳能电池及其制备方法，其中背电极异质结太阳能电池包括：晶硅基片、异质结部分和背电极部分，晶硅基片的正面形成有陷光层，陷光层上沉积有增透膜，异质结部分位于晶硅基片的背部，包括本征非晶硅膜层、P型非晶硅膜层和N型非晶硅膜层，P型非晶硅膜层和N型非晶硅膜层上沉积有导电膜，背电极部分沉积于所述导电膜上，本发明将背电极异质结一体化，一方面具有异质结电池制造中工艺较为简单的优点，克服了常规异质结电池存在正面栅线的缺点
背电极异质结太阳能电池晶硅基片异质结沉积异质结电池正面栅线导电膜陷光层制备本征非晶硅膜电池制造工艺增透膜电池一体化制造

[发明专利]ZnO/GaN异质结纳米线光开关及其制备方法-CN201811065138.4有效
发明人：刘志强;程成;伊晓燕;张勇;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：本公开提供一种ZnO/GaN异质结纳米线光开关及其制备方法，该ZnO/GaN异质结纳米线光开关包括：硅衬底、二氧化硅绝缘层以及ZnO/GaN异质结纳米线；二氧化硅绝缘层生长于硅衬底上；ZnO/GaN异质结纳米线设置于二氧化硅绝缘层上，沿其长度方向分为：ZnO纳米线和GaN纳米线，ZnO纳米线远离异质结界面的一端设置有源电极，异质结界面处设置有漏电极；GaN纳米线靠近异质结界面的一端与漏电极连接，另一端设置有栅电极。本公开提供的ZnO/GaN异质结纳米线光开关及其制备方法利用ZnO纳米线优良的光敏效应，采用GaN纳米线发出的紫外光激发ZnO纳米线，调节ZnO纳米线光电导，实现栅极对源漏电流大小的有效控制，达到制作异质结纳米线光开关的目的
zno gan 异质结纳米开关及其制备方法

[发明专利]氧化锌基纳米棒和半导体薄膜的P－N异质结结构、其制备和包括其的纳米器件-CN200480017788.1有效
发明人：李圭哲;朴原一 -专利权人：学校法人浦项工科大学校
申请日： 2004-06-25 - 公布日： 2006-08-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种由p型半导体薄膜和外延生长于其上的n型ZnO基纳米棒组成的异质结结构，由于促进了电子通过纳米尺寸结的隧穿和使用具有高激子能量的ZnO作为发光材料，因此该异质结结构表现出高发光效率特性，并因此其利于应用于诸如
氧化锌纳米半导体薄膜异质结结构制备包括器件

[发明专利]平滑修饰液及平滑修饰方法及异质结太阳能电池硅片及异质结太阳能电池-CN201610457457.4在审
发明人：谢卿;张闻斌;王琪 -专利权人：苏州协鑫集成科技工业应用研究院有限公司;协鑫集成科技（苏州）有限公司;协鑫集成科技股份有限公司
申请日： 2016-06-22 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池领域，具体公开了一种用于异质结太阳能电池硅片的金字塔绒面的平滑修饰液，其包括臭氧、氟化氢以及水；臭氧的浓度为10～30mg/L。上述平滑修饰液，采用臭氧与氢氟酸配合，可使金字塔绒面的尖锐的塔尖和塔底变得圆润，同时使得金字塔绒面的表面粗糙度降低，从而有利于后续本征硅薄膜沉积更加均匀，从而有利于提高异质结太阳能电池的性能。本发明还公开了异质结太阳能电池硅片的金字塔绒面的平滑修饰方法，以及由此得到的异质结太阳能电池硅片以及包含异质结太阳能电池硅片的异质结太阳能电池。
平滑修饰方法异质结太阳能电池硅片

[发明专利]一种薄层石墨烯/二硫化钼侧向异质结的制备方法-CN201710578166.5在审
发明人：张永哲;邓文杰;游聪娅;刘北云;陈永锋;申高亮 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2017-07-16 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：一种薄层石墨烯/二硫化钼侧向异质结的制备方法，涉及到二维材料异质结制备领域。采用在硅/二氧化硅衬底上直接机械剥离制备薄层石墨烯材料，然后运用化学气相沉积的方法直接在上述衬底上沉积二硫化钼材料，实现由所述两种材料构成的侧向异质结的形成。本发明获得异质结材料的方法工艺简单，并且基础工艺成熟，能够避免传统方法中带来的一些对材料的污染，大大提高了石墨烯/二硫化钼异质结材料制备的成功率，减小了制备的难度，为将来异质结材料的量化生产提供了一种良好的思路和方法
一种薄层石墨二硫化钼侧向异质结制备方法

[发明专利]一种锗硅异质结双极晶体管的单粒子效应测试方法及系统-CN202110412508.2在审
发明人：郭红霞;冯亚辉;潘霄宇;欧阳晓平;钟向丽;张晋新;刘晔;张鸿 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种锗硅异质结双极晶体管的单粒子效应测试方法及系统，其中测试方法包括：将试验锗硅异质结双极晶体管放置于预设温度下，并对所述试验锗硅异质结双极晶体管施加预设偏置条件；对所述预设温度和所述预设偏置条件下的所述试验锗硅异质结双极晶体管的目标区域施加第一预设辐照条件的激光微束，得到所述目标区域中每一个坐标点的瞬变电流结果；基于所述目标区域中每一个坐标点的瞬变电流结果，得到所述试验锗硅异质结双极晶体管的单粒子效应的敏感区域。本发明的测试方法可有效测出锗硅异质结双极晶体管的单粒子效应。
一种锗硅异质结双极晶体管粒子效应测试方法系统

[发明专利]柔性石墨烯/锗异质结的制备方法与转移方法-CN202211473690.3在审
发明人：李连碧;丁斌斌;李蕾;贡楷文;王蓉;李泽斌;张国青;夏蔡娟;宋立勋;曹得重;臧源;胡继超;林生晃 -专利权人：西安工程大学
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L31/028 文献下载
摘要：本发明公开了柔性石墨烯/锗异质结的制备方法，以高纯Ge作为靶材，铜箔石墨烯作为衬底，激光作为粒子激发源，采用PLD法在铜箔石墨烯上沉积锗薄膜。本发明还公开了柔性石墨烯/锗异质结的转移方法，给制备好的柔性石墨烯/锗异质结旋涂PMMA支撑膜，然后用CuSO4溶液刻蚀掉铜箔，实现柔性石墨烯/锗异质结的整体转移。本发明提供的柔性石墨烯/锗异质结的制备方法及转移方法解决了石墨烯由于光吸收率低，导致石墨烯探测器的光响应度较低，石墨烯自身的光生载流子寿命短的问题，可以制备出近红外高响应、高速度的石墨烯基异质结。
柔性石墨锗异质结制备方法转移

[发明专利]光伏组件的制备方法与光伏组件-CN202110894797.4在审
发明人：陈海燕;蒋方丹;吴坚 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本申请提供了一种光伏组件的制备方法与光伏组件，所述制备方法包括采用焊带将沿第一方向依次排布的若干异质结电池串联为一体，在连接有焊带的异质结电池表面制备纳米银线薄膜，得到电池串，所述纳米银线薄膜覆设在所述异质结电池表面及连接至该异质结电池表面的焊带上所述纳米银线薄膜与异质结电池表面及相应的焊带相结合，提高电流收集与传输性能，降低异质结电池的银浆耗量与材料成本；也能减少电池表面的金属栅线，降低遮光损失，提升光伏组件的转换效率。
组件制备方法

[发明专利]一种硅异质结太阳能电池铜金属化的方法-CN202310885236.7在审
发明人：孙善富;张春福;程鹏飞;王莹麟;郝熙东;许录平 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅异质结太阳能电池铜金属化的方法，涉及晶硅太阳能电池及半导体制造技术领域，包括S1、将图形化硅异质结太阳能电池进行镀前处理；S2、通过化学镀铜方法在图形化硅异质结太阳能电池的透明导电薄膜上进行化学镀铜工艺制备种子层；S3、然后再将图形化硅异质结太阳能电池进行铜电镀工艺处理，得到金属铜电极。本发明设计合理，提供的先化学镀铜再电镀铜的硅异质结太阳能电池金属化方法，可控制铜栅线宽度小于30μm，真正实现硅异质结太阳能电池的降本增效。
一种硅异质结太阳能电池金属化方法

[发明专利]一种碳纳米管异质结有机气体传感器的制备方法-CN201410624791.5有效
发明人：王丽娟;孙洋;都昊;邹凤君;李一平 -专利权人：长春工业大学
申请日： 2014-11-10 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳纳米管异质结有机气体传感器的制备方法。该碳纳米管异质结有机气体传感器的制备方法，包括介电层、诱导层、半导体层、异质结层、有机气敏层。采用碳纳米管作为有机气敏层，有机气敏层一面与异质结相连，一面与源极、漏极相连。特别是用碳纳米管有机气敏层实现高的气体敏感性，利用有机异质结提高载流子传输。该有机碳纳米管异质结的有机气体传感器在常温下响应速度快、灵敏性高的进行工作，并且利用真空蒸镀和溶液技术制备，工艺简单、成本低。
一种纳米管异质结有机气体传感器制备方法

[发明专利]基于基片集成波导天线的锗硅异质结双极晶体管探测器-CN201811094137.2有效
发明人：孙鹏林;傅海鹏;张齐军;马建国 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01Q19/10 文献下载
摘要：一种基于基片集成波导天线的锗硅异质结双极晶体管探测器，包括用于探测的锗硅异质结双极晶体管，所述锗硅异质结双极晶体管的基极通过匹配网络连接用来接收太赫兹波信号的基片集成波导天线，所述锗硅异质结双极晶体管的发射极接地，所述锗硅异质结双极晶体管的集电极通过输出滤波器分别连接四分之一波长开路微带线和直流偏置电压，以及构成输出端。本发明的基于基片集成波导天线的锗硅异质结双极晶体管探测器，提高片上集成天线的增益和效率，减小接直流偏置的封装线引入的寄生效应。
基于集成波导天线锗硅异质结双极晶体管探测器

[发明专利]体异质结钙钛矿薄膜及其制备方法和太阳能电池-CN201710060215.6有效
发明人：杨松旺;邵君;刘岩 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及体异质结钙钛矿薄膜及其制备方法和太阳能电池，所述体异质结钙钛矿薄膜包括：体异质结层，所述体异质结层包括作为电子给体材料的钙钛矿多晶薄膜、和位于所述钙钛矿多晶薄膜的晶界位置的电子受体材料；以及位于所述体异质结层表面的钙钛矿薄膜层将本发明的体异质结钙钛矿薄膜应用于钙钛矿太阳能电池时，其可以取代现有的介孔电子传输层和钙钛矿吸光层，从而可以简化电池的结构，还可以避免独立介孔层制备过程中所需的高温烧结工艺，适于在塑性基底上制备高效率柔性钙钛矿太阳能电池
体异质结钙钛矿薄膜及其制备方法太阳能电池

[发明专利]一种Pd/PdO异质结催化剂、制备方法及其应用-CN202111205619.2有效
发明人：聂华贵;罗文杰;陈倩倩;张潇栋;金玉威;周学梅;杨硕;杨植 -专利权人：温州大学
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：本发明属于电催化合成氨技术领域，具体涉及一种Pd/PdO异质结催化剂、制备方法及其应用。本发明还提供了一种简单绿色的制备Pd/PdO异质结催化剂的方法，通过该方法制得的材料活性高，选择性高，活性位点暴露多，成分可控，其所制备得到的Pd/PdO异质结催化剂在两相交界处可以适当吸附N2，同时又能抑制HER反应，异质结的“协同效应”可以让N2在低过电势下以远端缔合机制进行还原。经实验验证，该Pd/PdO异质结催化剂呈现出优异的NRR性能。因此，该异质结催化剂在催化氮还原方面展现出了便于大规模产氨的优势。
一种 pd pdo 异质结催化剂制备方法及其应用

[发明专利]一种异质结材料及其应用-CN202110437540.6有效
发明人：曾祥斌;王曦雅;胡一说;王文照;陆晶晶;王君豪;肖永红;周宇飞;王士博;陈铎;张茂发 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件制备技术领域，具体涉及一种异质结材料及其应用，异质结材料包括：依次层叠设置的硒化钼薄膜、第一钝化层和硫化铅薄膜；其中，硒化钼薄膜通过激光辐射制备得到。该异质结材料可应用于光电探测器，其结构包括：绝缘衬底、上述异质结材料、钝化层和电极。其中，采用激光辐射制备硒化钼薄膜，磁控溅射制备硫化铅薄膜，光刻选择制备异质结区域。该光电探测器可探测红外光和近红外光，并且响应时间短、光响应度高，制备方法具有工艺简便，成本低和大规模生产的优点，因此该异质结光电探测器具有非常广阔的应用前景。
一种异质结材料及其应用

[发明专利]一种异质结电池胶膜-CN202111527111.4有效
发明人：陈书亮;吕松;黄宝玉;张刚;季志超;徐炜琴;刘俊;杨求平;吴斌;吴丰华 -专利权人：常州斯威克光伏新材料有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： C09J123/08 文献下载
摘要：本发明提供一种异质结电池胶膜，按重量份计算，100份的EVA基体树脂、0.2～0.77份的抗氧剂、0.25～0.6份的自由基交联剂、0.1～0.4份的硅烷偶联剂、0.3～0.6份的粘结力增强助剂和0.2该胶膜通过添加粘结力增强助剂，在保证胶膜基础透过率、体阻和粘结力的前提下，提高胶膜与异质结电池片之间的粘结力，有效的解决了光伏封装胶膜与异质结电池粘结力过低的难题，推动了异质结组件的生产，有效改善异质结组件在使用过程中的粘结力降低和脱层现象的出现；能够促使异质结电池组件在市场端的大规模推广。
一种异质结电池胶膜