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[发明专利]氧化锌/氧化亚铜异质结的制备方法-CN201210246994.6无效
发明人：樊慧庆;李强;翟玉纯 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2012-07-17 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： C25D9/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化锌/氧化亚铜异质结的制备方法，用于解决现有的氧化锌/氧化亚铜纳米异质结光催化材料制备方法工艺复杂的技术问题。NO3)2·6H2O和六亚甲基四胺，溶于去离子水中配成电解液，在电化学工作站上进行电化学沉积，柔性ITO衬底为工作电极，铂片为对电极，控制沉积温度40-70℃，横电位-1.3～-1.6V，得到ZnO纳米棒阵列，冲洗、烘干，采用CuSO4和柠檬酸配制电解液，在电化学工作站上进行电化学沉积，柔性ITO衬底为工作电极，铂片为对电极，控制沉积温度在40-70℃，沉积电位为-0.5～-0.6V，在ZnO纳米棒上沉积Cu2O，得到ZnO/Cu2O异质结。由于采用电化学沉积方法在柔性ITO衬底、低温条件下制备的氧化锌/氧化亚铜异质结，方法简单。
氧化锌氧化亚铜异质结制备方法

[发明专利]硅基红光发射增强异质结二极管及其制备方法-CN202010361148.3有效
发明人：姜明明;刘洋;阚彩侠;万鹏;周祥博;马琨傑;唐楷 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L33/26 文献下载
摘要：本发明公开了金银合金纳米棒诱导硅基红光发射增强异质结二极管及其制备方法，此红光发射二极管由4个部分组成：(a)蒸镀在p‑Si基底上的Ni/Au电极；(b)p‑Si基底；(c)覆盖在n‑ZnO:Ga微米线上的导电玻璃(ITO)；(d)旋涂金银合金纳米棒(AuAgNRs)的n‑ZnO:Ga微米线。本发明采用载流子浓度较高的Ga掺杂ZnO微米线，在其表面旋涂AuAgNRs，以p‑Si为基底，构筑复合结构异质结(AuAgNRs@n‑ZnO:Ga/p‑Si)发光二极管。与n‑ZnO:Ga裸线异质结(n‑ZnO:Ga/p‑Si)发光二极管相比，在正向偏压下，实现了显著的红光发射增强，促进了硅基半导体在发光二极管领域的应用。
红光发射增强异质结二极管及其制备方法

[发明专利]通过半导体纳米材料复合制备光电化学电池异质结光电极的方法-CN201510459214.X在审
发明人：李亮;田维;刘琼 -专利权人：苏州大学
申请日： 2015-07-30 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： H01M14/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过半导体纳米材料复合制备光电化学电池异质结光电极的方法，用合成的氧化铁纳米棒与尖晶石结构的铁酸锌复合，制备出异质结光阳极，通过这种方法构建的半导体异质结光电极具有促进电子空穴对有效分离
通过半导体纳米材料复合制备光电化学电池异质结光电极方法

[发明专利]碳酸银/卤化银异质结复合材料、其制备方法及其用途-CN201610921974.2在审
发明人：唐国钢;唐华 -专利权人：镇江市高等专科学校
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： B01J27/08 文献下载
摘要：本发明公开了碳酸银/卤化银异质结复合纳米材料、其制备方法及其用途，复合纳米材料中AgX含量为5wt％～40wt％，余量为Ag2CO3。卤化银颗粒附着在碳酸银短棒表面，两者形成异质结复合物。制备方法是采用滴加的方式将X‑引入至Ag2CO3的水溶液中，充分反应后，用水、乙醇清洗产物，干燥，得到碳酸银/卤化银异质结复合材料，可作为光催化剂催化降解有机废水、空气中有机污染物。
碳酸卤化银异质结复合材料制备方法及其用途

[发明专利]一种高活性晶面氧化铟/氧化锌纳米棒外延生长的异质结光电极及其制备方法-CN201710312441.9有效
发明人：张晓阳;张博;黄柏标;王泽岩;秦晓燕;王朋;刘媛媛;张倩倩 -专利权人：山东大学
申请日： 2017-05-05 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： C25B11/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高活性晶面氧化铟/氧化锌纳米棒外延生长的异质结光电极及其制备方法，可以解决现有技术中提高光生载流子分离效率的方法容易引入新的表面进而引入大量的缺陷，而这些缺陷作为载流子的复合中心回增加载流子复合的问题其技术方案为：包括如下步骤：1)制备氧化锌纳米棒层；2)配制铟盐旋涂溶液，将铟盐旋涂溶液滴加在氧化锌纳米棒层的表面，旋涂均匀；3)将旋涂有铟盐的氧化锌纳米棒干燥后煅烧；4)重复步骤2)和步骤3)4‑7次，再在设定温度下煅烧设定时间，自然降温，制得氧化铟/氧化锌纳米棒外延生长的异质结光电极。
一种活性氧化氧化锌纳米外延生长异质结光电极及其制备方法

[发明专利]一种磷酸铋基异质结光催化剂及其制备方法-CN202011076565.X在审
发明人：祝欣;郭洋;王鋙葶;孙成;周玉璇;颜宇;米娜;王磊;石佳奇;陈樯;杨璐;万金忠;盛峰;黄剑波 -专利权人：生态环境部南京环境科学研究所;南京大学
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种磷酸铋基异质结光催化剂及其制备方法，所述光催化剂是由磷酸铋和石墨相氮化碳构建的异质结光催化剂，所述制备方法包括以下步骤：采用微波法制备纳米棒状BiPO4，将g‑C3N4与BiPO4通过球磨法进行研磨复合得到异质结光催化材料g‑C3N4/BiPO4；本发明的制备的异质结光催化剂活性高，光利用率高，并且具有良好的稳定性和重复利用性
一种磷酸铋基异质结光催化剂及其制备方法

[发明专利]一种中空管异质结电极材料及其制备方法和应用-CN202010766584.9有效
发明人：李福枝;陈真;石璞;刘跃军 -专利权人：湖南工业大学
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： C01G45/00 文献下载
摘要：本发明涉及电极材料技术领域，尤其涉及一种中空管异质结电极材料及其制备方法和应用。本发明提供的制备方法，包括以下步骤：将氯化钴、尿素和水第一混合后，进行第一水热反应，得到纳米棒前驱体；将所述纳米棒前驱体和水第二混合，得到纳米棒前驱体分散液；将所述纳米棒前驱体分散液和硫化钠水溶液第三混合将所述中空管状Co9S8、MnCl2和水第四混合，进行第三水热反应，得到所述中空管异质结电极材料本发明通过两步离子交换制备中空管钴锰二元硫化物，整体操作简单，便捷，具有较好的普适性，且利用所述制备方法制备得到的中空管异质结电极材料还具有较高的比容量和较好的循环稳定性。
一种中空管异质结电极材料及其制备方法应用

[发明专利]一种钴基化合物异质结复合材料及其应用-CN202211377644.3在审
发明人：武立立;张喜田;马文婕;邵智韬;邓思宇 -专利权人：哈尔滨师范大学
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：一种钴基化合物异质结复合材料及其应用，它涉及一种复合纳米材料及其应用。一种钴基化合物异质结复合材料是CoSe2/CoO纳米棒与碳纳米管的复合物，具有三维立体网络结构，其中碳纳米管的直径为10～50nm，壁厚为3～20nm，CoSe2/CoO纳米棒被碳纳米管所包裹，离散而均匀的分布在导电碳纳米管中。方法：一、制备CoSe2/CoO纳米棒；二、复合。一种钴基化合物异质结复合材料作为锂硫电池的隔膜或正极使用。
一种化合物异质结复合材料及其应用

[发明专利]泡沫镍原位负载α-Co(OH)2-CN201910316757.4有效
发明人：米立伟;周少杰;卫武涛;崔世忠;陈卫华 -专利权人：中原工学院
申请日： 2019-04-19 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H01G11/86 文献下载
摘要：本发明公开了一种泡沫镍原位负载α‑Co(OH)2/α‑Ni(OH)2异质结纳米棒及制备方法与应用，先将具有一维纳米线的原位构筑在泡沫镍的表面，进一步将具有二维纳米片的α‑Ni(OH)2构筑在α‑Co(OH)2纳米线的表面，成功将具有纳米棒结构的α‑Co(OH)2/α‑Ni(OH)2异质结原位构筑在泡沫镍的表面，将其直接作为正极材料，不需要任何粘结剂，工艺简单、由该泡沫镍原位负载α‑Co(OH)2/α‑Ni(OH)2异质结纳米棒制备的超级电容器具有高的比容量、优异的倍率性能和卓越的循环稳定性等优点
泡沫原位负载 co oh base sub

[发明专利]一种溴化银-磷酸铋异质结复合光催化材料及其制备方法-CN201510007126.6在审
发明人：王丹军;郭莉;付峰;岳林林;张洁;申会东 -专利权人：延安大学
申请日： 2015-01-07 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： B01J27/186 文献下载
摘要：本发明公开了一种溴化银-磷酸铋异质结复合光催化材料，将溴化银纳米颗粒沉积在微米级棒状结构磷酸铋表面，其中溴化银是磷酸铋摩尔量的5.0～14.6at％。本发明制备的溴化银-磷酸铋异质结复合光催化材料无团聚，可见光催化活性相比磷酸铋和溴化银均显著提高，稳定性和重复使用性能良好，且制备工艺简单，材料形貌和尺寸容易控制。
一种溴化银磷酸铋异质结复合光催化材料及其制备方法

[发明专利]一种异质结电池制备方法-CN202010293089.0在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：苏州联诺太阳能科技有限公司
申请日： 2020-04-15 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结电池制备方法，异质结电池包括分别设置于所述异质结电池正面和/或背面的导电薄膜层，所述制备方法包括在所述异质结电池正面和/或背面的设定区域内通过喷墨工艺方法去除所述设定区域内的导电薄膜层该异质结电池制备方法通过在激光切割位置或异质结电池的边缘位置通过喷墨工艺方法去除该激光切割位置和边缘位置的导电薄膜层，可避免在激光切割过程中导电薄膜层掺杂到异质结电池内部，降低异质结电池的钝化性能，并影响异质结电池的效率；同时通过该喷墨工艺方法可达到对异质结电池边绝缘的目的，可降低边绝缘区域0.25~0.5mm，达到提升异质结电池效率的目的。
一种异质结电池制备方法

[发明专利]异质结太阳能电池片的制造方法及异质结太阳能电池片-CN202110169676.3在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业（有限合伙）
申请日： 2021-02-07 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种异质结太阳能电池片的制造方法和异质结太阳能电池片。异质结太阳能电池片的制造方法包括以下步骤：形成初始异质结太阳能电池片；分割初始异质结太阳能电池片，使得初始异质结太阳能电池片形成若干异质结太阳能电池片，异质结太阳能电池片具有分割面；分割初始异质结太阳能电池片的步骤包括本发明提供的异质结太阳能电池片的制造方法可提高异质结太阳能电池片的光电转化效率。
异质结太阳能电池制造方法

[发明专利]具有电极贯穿孔的硅异质结电池组及其制备方法-CN202111237278.7在审
发明人：田宏波;赵晓霞;黎力;王伟;王雪松;王彩霞;宗军;范霁红;孙金华 -专利权人：国家电投集团科学技术研究院有限公司
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有电极贯穿孔的硅异质结电池组及其制备方法，硅异质结电池组包括多个串联的硅异质结电池，硅异质结电池包括硅异质结主体、设置于硅异质结主体上表面和设置于硅异质结主体下表面的导电图形，硅异质结主体上沿其厚度方向设有电极贯穿孔，电极贯穿孔内填充有导电材料，电极贯穿孔的上端与硅异质结主体上表面的栅线相连，电极贯穿孔的下端与导电图形相连，导电图形与相邻的硅异质结电池下表面的栅线相连。本方发明实施例的硅异质结电池组可提高组件良率，还最大限度地提高了焊接性和导电性，有利于保证组件长期可靠性。
具有电极贯穿硅异质结电池组及其制备方法

[发明专利]一种异质结电池的处理方法-CN202210250868.1在审
发明人：程尚之;周肃;龚道仁;符欣 -专利权人：安徽华晟新能源科技有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种异质结电池的处理方法。所述的异质结电池的处理方法包括：提供异质结电池，所述异质结电池包括单晶半导体层和非晶半导体层；将所述异质结电池置于暗态环境中，在暗态环境中对所述异质结电池进行静置处理，直至所述异质结电池的效率稳定至第一效率；进行所述静置处理之后，对所述异质结电池进行光照处理，使所述异质结电池的效率上升至第二效率，所述第二效率大于所述第一效率。所述异质结电池的处理方法实现了对非晶半导体层内的缺陷以及潜在缺陷的钝化修复，避免了异质结电池因非晶半导体层内的缺陷和潜在缺陷的存在发生效率衰减。
一种异质结电池处理方法

[发明专利]一种基于p-GaN/CsPbBr3-CN202110737398.7有效
发明人：石增良;陈天朗;徐春祥;李竹新 -专利权人：东南大学
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于p‑GaN/CsPbBr3/n‑ZnO异质结的发光二极管及制备方法，二极管包括：n‑ZnO纳米棒阵列、CsPbBr3量子点、p‑GaN薄膜和合金电极；制备方法具体为：在硅衬底上生长ZnO纳米棒阵列，将CsPbBr3量子点均匀旋涂在ZnO纳米棒阵列上，然后在CsPbBr3量子点/ZnO阵列复合结构顶部加上GaN薄膜，并分别在n‑ZnO和p‑GaN上制备合金电极，构建p‑GaN/CsPbBr3/n‑ZnO异质结本发明构建了p‑GaN/CsPbBr3/n‑ZnO异质结发光二极管，发光中心位于375nm和520nm，CsPbBr3量子点的引入抑制了ZnO的表面态，改变了异质结发光二极管的发光颜色，随着注入电流的变化，其发光颜色也发生了改变。
一种基于 gan cspbbr base sub