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[发明专利]一种能同时产生光电效应与电致发光的器件及其制备方法-CN201710315022.0在审
发明人：杨昱 -专利权人：佛山市领卓科技有限公司
申请日： 2017-05-07 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种能同时产生光电效应与电致发光的器件及其制备方法，该材料由一种异质结纳米棒经封装而来，具体包含各向异性导电膜、Al电极、ZnO、异质结纳米棒、7,7',8,8'‑四氟‑2,3,5,6‑四氰二甲基对苯醌
一种同时产生光电效应电致发光器件及其制备方法

[发明专利]一种异质结纳米颗粒、其制备方法及应用-CN202310133252.0在审
发明人：林君;杨春征;马平安 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： B01J27/057 文献下载
摘要：本发明提供了一种异质结纳米颗粒、其制备方法及应用。所述异质结纳米颗粒由CuSe和CoSe2组成，为中空纳米球结构，所述中空纳米球表面有纳米棒和纳米片。本发明提供异质结纳米颗粒，以Cu2O为模板，通过与钴源和Se2‑溶液混合，反应后得到异质结纳米颗粒，其具有较大的比表面积和活性位点所述异质结纳米颗粒可用于制备光催化剂，应用于空气净化、水净化或光催化治疗等领域。
一种异质结纳米颗粒制备方法应用

[发明专利]一种纳米有序互穿全氧化物异质结薄膜太阳电池及其制备方法-CN201710672262.6有效
发明人：吴璠;陈伟敏;唐志鲜;蒋岚;康鑫 -专利权人：湖州师范学院
申请日： 2017-08-08 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米有序互穿全氧化物异质结薄膜太阳电池及其制备方法，利用垂直生长于FTO衬基上的CuO纳米棒阵列作为光子吸收材料和空穴传输材料，TiO₂纳米晶体薄膜为电子传输材料，制备了CuO/TiO₂纳米有序互穿异质结，并制成以FTO为阴极和Al膜为阳极的太阳电池。发现CuO/TiO₂纳米有序互穿异质结太阳电池的开路电压达到0.41V、短路电流密度为7.81uA/cm²；与CuO/TiO₂双层平面异质结太阳电池相比，CuO/TiO₂纳米有序互穿异质结的路电压提高了1.78倍，短路电流密度增加了16.27倍。
一种纳米有序互穿全氧化物异质结薄膜太阳电池及其制备方法

[发明专利]基于二氧化钛纳米棒阵列/硅异质结的紫外光探测器及其制备方法-CN201610021366.6在审
发明人：凌翠翠;韩治德;韩雪;郭天超 -专利权人：中国石油大学（华东）
申请日： 2016-01-14 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明具体提供了一种纳米二氧化钛纳米棒阵列和n型硅基底形成的n-n同型异质结材料的高性能紫外光探测器。首先利用溅射方法在n型硅基底上生长二氧化钛纳米点薄膜；然后通过水热法方法诱导种子层生成二氧化钛纳米棒阵列；最后通过磁控溅射法制备透光金属层电极薄膜。本发明利用二氧化钛纳米棒阵列/硅异质结的放大效应制备的二氧化钛纳米棒阵列/硅异质结紫外光探测器具有工艺简单，成本低廉，无需加热器，能在室温下工作，且具有耗能低，灵敏度高，响应、恢复时间短的特点，对紫外光具有良好的检测性能
基于氧化纳米阵列硅异质结紫外光探测器及其制备方法

[发明专利]一种Z型异质结光电极的制备方法和用途-CN202111010586.6在审
发明人：白亚杰;范伟强;白红叶 -专利权人：江苏大学
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： C25B1/27 文献下载
摘要：本发明属于纳米材料合成技术领域，特指一种Z型异质结光电极的制备方法和用途。本发明首先采用水热反应在FTO基片上制备出BiVO4纳米棒阵列，继而再使用电沉积法在BiVO4表面形成一层PANI，最终形成BiVO4/PANI异质结光电极。所述异质结光电极可用于可见光下光电催化氮气还原反应。
一种型异质结光电极制备方法用途

[发明专利]一种MOF衍生的B/A/B结构氧化物异质结及其制备方法和应用-CN202210404530.7在审
发明人：任家桐;张衡;韦丁;谭博军;王琼林 -专利权人：西安近代化学研究所
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： B01J23/889 文献下载
摘要：本发明公开了一种MOF衍生的B/A/B结构氧化物异质结及其制备方法和应用。所述MOF衍生的B/A/B结构氧化物异质结呈亚微米棒形貌，其中间层A为MnCo双金属氧化物，两端层B为Mg或Ni的氧化物，制备方法为：先将MnCo‑MOF分散在含一定浓度金属醋酸盐的无水乙醇溶液中，通过低温液相反应得到B/A/B结构MOF异质结，再在空气气氛下进行高温煅烧，得到B/A/B结构氧化物异质结。本发明制备的B/A/B结构氧化物异质结形貌、组成和结构新颖，能维持MOF异质结前体的元素分布特征，解决了从MOF出发难以制备B/A/B结构氧化物异质结的问题，且整个制备和后处理过程仅需使用无水乙醇一种有机溶剂所得B/A/B结构氧化物异质结在光还原二氧化碳反应中体现出优越的催化活性、选择性和稳定性。
一种 mof 衍生结构氧化物异质结及其制备方法应用

[发明专利]一种光电器件及其制备方法-CN201710315015.0在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：苏州市皎朝纳米科技有限公司
申请日： 2017-05-07 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：本发明公开了一种能同时产生光电效应与电致发光的器件及其制备方法，该材料由一种硫化镉/碲化镉异质结纳米棒经封装而来，具体包含各向异性导电膜、Al电极、ZnO、异质结纳米棒、7,7',8,8'‑四氟‑2,3,5,6
一种光电器件及其制备方法

[发明专利]一种二氧化钛异质结光阳极的制备方法及其应用-CN201310012822.7有效
发明人：赵国华;田弘毅;曹同成;张亚男 -专利权人：同济大学
申请日： 2013-01-14 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： C03C17/23 文献下载
摘要：本发明涉及一种二氧化钛异质结光阳极的制备方法及其应用，该方法包括以下步骤：(1)对掺氟二氧化锡导电玻璃去除表面油脂粉尘；(2)将经步骤(1)处理的掺氟二氧化锡导电玻璃加入水热溶液中进行水热处理，得到金红石相二氧化钛纳米棒；(3)将金红石相二氧化钛纳米棒加入溶剂热溶液中进行溶剂热处理，然后用无水乙醇冲洗，晾干，并退火热处理后，得到二氧化钛异质结光阳极；以二氧化钛异质结光阳极作为光阳极，采用三电极体系，利用模拟太阳光氧化降解有机废水与现有技术相比，本发明制得的二氧化钛异质结光阳极为纳米阵列，具有高度分布的异质结构、较高的比表面积、较大的活性晶面暴露、较强的太阳光光电催化活性。
一种氧化钛异质结光阳极制备方法及其应用

[发明专利]TiO2-CN202111474994.7在审
发明人：陈昕琪;程普佳;张颖洁;吴璠 -专利权人：湖州师范学院
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种TiO2/BiFeO3/BiOI三元纳米异质结光电极及其制备方法和应用，基于TiO2/BiFeO3/BiOI三元纳米异质结光电极及其制备方法，电极组成包括有导电玻璃衬基、TiO2:Sub>2纳米棒阵列的表面，再通过多次溶液旋涂和退火的方式在纳米棒中间填充BiOI光吸收层。本发明所得到的TiO2/BiFeO3/BiOI三元纳米异质结光电极产生的光电流比参比BiOI/TiO2二元纳米异质结产生光电流高出近8倍。
tio base sub

[发明专利]法拉第异质结阵列电极及其制备方法和光可充电电池-CN202210697619.7在审
发明人：谷建民;高静;袁一鸣;李蕾;赵小宇;王德松 -专利权人：燕山大学
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种法拉第异质结阵列电极及其制备方法和光可充电电池，该法拉第异质结阵列电极的制备方法，所述方法利用强相互作用的静电自组装和晶格匹配策略，以导电基底为基，将光活性材料生长于所述导电基底形成光活性材料纳米棒阵列电极，将法拉第材料生长于所述光活性材料纳米棒阵列电极上，制得法拉第异质结阵列电极。该制备方法简单易行，且制得的法拉第异质结阵列电极具有紧密集成界面，由此能够实现高效的界面电荷传输，在对其进行光电化学测试时，展示出超快的电荷传输速率和较高的比电容；与此同时，以其为电极组装形成的光可充电电池
法拉第异质结阵列电极及其制备方法充电电池

[发明专利]一种多元金属氮化物异质结纳米棒阵列复合电催化剂及其制备方法和应用-CN202210425361.5在审
发明人：蔡凤明;余芳;廖礼玲;李东阳;周海青 -专利权人：湖南师范大学
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：本发明提供了一种多元金属氮化物异质结纳米棒阵列复合电催化剂及其制备方法和应用，该复合电催化剂生长于泡沫镍导电基底上，包括MoO3‑x纳米棒以及生长于MoO3‑x纳米棒表面的Fe3N/Ni3N纳米颗粒；制备方法包括以下步骤：(1)采用水热反应在泡沫镍上生长NiMoO4纳米棒；在NiMoO4纳米棒上沉积铁基氧化物，得镍钼铁氧化物前驱体/泡沫镍复合材料；(2)将镍钼铁氧化物前驱体/泡沫镍复合材料进行热氨化处理，得到多元金属氮化物异质结纳米棒阵列电催化剂。本发明通过在NiMoO4纳米棒上沉积铁基氧化物、加热氨化处理，得到的异质结纳米棒阵列复合电催化剂在碱性海水等中表现出优异的OER和HER反应活性。
一种多元金属氮化物异质结纳米阵列复合催化剂及其制备方法应用

[发明专利]一种智能穿戴用热电能源转换材料及其制备方法-CN202110949957.0有效
发明人：郭洋;刘志福 -专利权人：上海未乐科技有限公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H10N10/852 文献下载
摘要：本发明涉及一种智能穿戴用热电能源转换材料及其制备方法，所述异质结由碲纳米棒和银纳米颗粒组成。本发明所采用的方法为一步溶剂热合成，方法简单高效；其异质结具有超高的Seebeck系数，在热电转换与温度传感领域有重要的科学价值和广阔的应用前景。
一种智能穿戴热电能源转换材料及其制备方法

[发明专利]一种Ⅱ型异质结WO3-CN201810401629.5有效
发明人：潘伦;崔娅;邹吉军;张香文;王莅 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-04-28 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种Ⅱ型异质结WO3‑ZnWO4薄膜光电阳极，在电极本体上生长有WO3纳米棒阵列，所述WO3纳米棒阵列上包覆有ZnWO4纳米颗粒。本发明还公开了Ⅱ型异质结WO3‑ZnWO4薄膜光电阳极的制备方法及在用于光电化学分解水的用途。
一种型异质结 wo base sub

[发明专利]一种ZIF8衍生半导体异质结-银SERS基底及其制备方法和应用-CN202110748445.8在审
发明人：张茂峰;叶诚;陈子海;陈伟 -专利权人：合肥工业大学;安徽盛海堂中药饮片有限公司
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明涉及纳米光子检测技术领域，公开了一种ZIF8衍生半导体异质结‑银SERS基底的制备方法及应用，所述ZIF8衍生半导体异质结‑银SERS基底为三维四方纳米棒阵列结构，其以TiO2@ZnO异质结构作为基底，所述TiO2@ZnO异质结构的表面均匀附着有银纳米颗粒。本发明提供的利用水热法在FTO膜材中生长出均匀有序的三维TiO2纳米棒，然后通过浸渍法在TiO2表面生长ZIF‑8，进而经过煅烧得到TiO2@ZnO异质结构，最后通过银镜反应将银纳米颗粒附着在TiO2@ZnO异质结构表面，得到的ZIF8衍生半导体异质结
一种 zif8 衍生半导体异质结 sers 基底及其制备方法应用

[发明专利]氧化石墨烯片和TiO₂棒异质结材料的制备方法-CN201610395142.1在审
发明人：谢宇;郭若彬 -专利权人：南昌航空大学
申请日： 2016-06-07 - 公布日： 2016-09-28 - 主分类号： B01J21/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧化石墨烯片和TiO₂棒异质结材料的制备方法，采用氧化法制备石墨烯，然后用水热法制备TiO₂纳米棒，采用水热法通过控制水热温度和时间，得到具有优异光催化性能的氧化石墨烯片和TiO₂棒异质结材料。
氧化石墨 tio sub 棒异质结材料制备方法