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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]双金属硫化物异质结修饰隔膜及其制备方法和应用-CN202211441501.4在审
发明人：郭大营;王锦毅;陈锡安 -专利权人：温州大学
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01M50/451 文献下载
摘要：本发明双金属硫化物异质结修饰隔膜及其制备方法和应用，其技术方案是由一步水热法合成具有NiS2‑WS2异质结纳米片自组装构筑三维花状结构的双金属硫化物异质结材料；然后将双金属硫化物异质结材料制成浆料均匀涂覆在商业聚合物隔膜一侧表面，最终制得双金属硫化物异质结修饰隔膜，并应用在锂硫电池；本发明的双金属硫化物异质结修饰隔膜中的NiS2‑WS2异质结能够改善界面活性，增加表面催化活性位点，优化对多硫化物的吸附能力并促进催化转化，从而有效提高锂硫电池的倍率性能与循环稳定性能。
双金属硫化物异质结修饰隔膜及其制备方法应用

[发明专利]异质结纳米材料、电子传输薄膜和显示器件-CN202111220878.2在审
发明人：朱佩;陈亚文 -专利权人：广东聚华印刷显示技术有限公司
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种异质结纳米材料、电子传输薄膜和显示器件。该异质结纳米材料包括：第一金属硒化物及复合于第一金属硒化物上的第二金属硒化物，第二金属硒化物为银掺杂的金属硒化物，第一金属硒化物及第二金属硒化物之间形成异质结。该异质结纳米材料含有第一金属硒化物及复合于第一金属硒化物上的第二金属硒化物，第二金属硒化物为银掺杂的金属硒化物，第一金属硒化物及第二金属硒化物之间形成异质结，从而有利于自由电子迁移，使得异质结纳米材料具有较高的电导率；此外，该异质结纳米材料相比于单纯的金属硒化物纳米材料具有更好的光散射作用。
异质结纳米材料电子传输薄膜显示器件

[发明专利]极化超结的Ⅲ族氮化物二极管器件及其制作方法-CN201711383701.8有效
发明人：于国浩;陈扶;宋亮;郝荣晖;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种极化超结的Ⅲ族氮化物二极管器件及制作方法。所述器件包括：包括第一、第二半导体的第一异质结，所述第一异质结构中形成有二维电子气；包括所述第二半导体和第三半导体的第二异质结，所述第二异质结中形成有二维空穴气；形成于所述第二半导体上的第四半导体，所述第四半导体与第三半导体在水平方向上紧密连接；所述第四半导体为p型掺杂，可以将所述第一异质结中的二维电子气耗尽；与第一异质结连接的阳极和阴极，所述阳、阴极与所述第一异质结中二维电子气电连接，所属阳极同时与第四半导体形成电连接。
极化氮化物二极管器件及其制作方法

[发明专利]一种基于石墨烯的异质结同位素电池-CN202010868066.8有效
发明人：柳伟平;韩运成;王晓彧;张佳辰;李桃生 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于石墨烯的异质结同位素电池，包括石墨烯异质结能量转换结构和与所述石墨烯异质结能量转换结构相配合的放射源，所述石墨烯异质结能量转换结构包括衬底材料层，设置在所述衬底材料层的背面的背电极，设置在所述衬底材料层的正面的石墨烯层，所述石墨烯层与所述衬底材料层之间形成异质结。本发明采用石墨烯与半导体材料形成异质结，异质结金属层的石墨烯的厚度仅几个纳米，减小了金属层对源层的吸收阻挡作用，并且石墨烯的功函数较高，能与半导体材料形成较大的内建电场，有利于开路电压的提升，同时石墨烯还能作为电极材料
一种基于石墨异质结同位素电池

[实用新型]异质结光伏组件-CN202123338076.X有效
发明人：刘衿因;邓士锋;杨智;许涛 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;常熟阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种异质结光伏组件,包括自上而下依次设置的上层玻璃、上层封装胶膜、电池串列、下层封装胶膜和下层玻璃，所述电池串列包括若干通过焊带依次连接相邻异质结电池形成的电池串、连接于延伸出电池串端部的焊带部分的汇流条，其中，所述异质结光伏组件还包括设置于所述汇流条和下层封装胶膜之间的隔离件，所述隔离件覆盖汇流条，并且靠近异质结电池的一侧边缘位于所述汇流条和相邻汇流条的异质结电池之间，本实用新型的异质结光伏组件通过在汇流条和下层封装胶膜之间设置位置合适的隔离件，可有效地避免汇流条上的焊带接触到下层玻璃，同时不影响异质结光伏组件的外观和电学性能。
异质结光伏组件

[实用新型]异质结电池不良品的返工处理系统-CN202123121669.0有效
发明人：张乔林;周守亮;王永洁;余义;苏世杰 -专利权人：通威太阳能（安徽）有限公司
申请日： 2021-12-11 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种异质结电池不良品的返工处理系统，该返工处理系统包括：粗抛槽，用于对异质结电池不良品进行粗抛处理；第一预清洗槽，用于盛装含有臭氧的酸洗液以对经过粗抛处理后的异质结电池不良品进行第一预清洗处理；第二预清洗槽，用于盛装含有双氧水的碱洗液以对经过第一预清洗处理后的异质结电池不良品进行第二预清洗处理；制绒槽，用于对经过第二预清洗处理后的异质结电池不良品进行制绒处理。该返工处理系统能够有效地去除异质结电池不良品表面的非晶硅薄膜层，提高返工效果，解决了传统的异质结电池不良品的返工工艺中非晶硅层去除不干净的问题。
异质结电池不良返工处理系统

[发明专利]制造半导体器件的方法以及利用该方法制造的产品-CN200710193701.1有效
发明人：林哲也;星正胜;田中秀明;山上滋春 -专利权人：日产自动车株式会社
申请日： 2007-11-22 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：该半导体器件包括：半导体衬底；异质半导体区，其与半导体衬底异质邻接；栅极绝缘层，其接触半导体衬底和异质半导体区的异质结；栅电极，其形成在栅极绝缘层上；电场缓和区，其与接触栅极绝缘层的异质结的异质结驱动端间隔开预定距离，并且接触半导体衬底和栅极绝缘层；源电极，其接触异质半导体区；以及漏电极，其接触半导体衬底。在异质半导体区形成掩模层，并且通过至少使用部分第一掩模层来形成电场缓和区和异质结驱动端。
制造半导体器件方法以及利用产品

[发明专利]异质结太阳能电池及其制备方法-CN201710606906.1在审
发明人：杨黎飞;张闻斌;李杏兵 -专利权人：协鑫集成科技股份有限公司;协鑫集成科技（苏州）有限公司
申请日： 2017-07-24 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及一种异质结太阳能电池，其包括电池主体以及设置在所述电池主体上的电极；所述电极包括第一电极以及第二电极；所述第一电极包括若干平行设置的覆膜铜线；所述覆膜铜线的侧面焊接贴合于所述电池主体一侧表面上该异质结太阳能电池，采用覆膜铜线至少部分代替银浆，从而减低了银浆的使用量，从而降低了异质结太阳能电池的成本。本发明特别适用于异质结异质结太阳能电池，可以进一步减少低温银浆的使用量，由于低温银浆的成本大大高于高温银浆的成本，故而可以更加有效降低异质结异质结太阳能电池的成本。本发明还提供了一种异质结太阳能电池的制备方法。
异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]切片硅异质结太阳能电池及制备方法、太阳能电池组件-CN202110417597.X在审
发明人：王文静;徐晓华;龚道仁;姚真真 -专利权人：安徽华晟新能源科技有限公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及切片硅异质结太阳能电池、制备方法及太阳能电池组件。该制备方法包括：对整片硅异质结太阳能电池切割形成切片硅异质结太阳能电池主体；还包括：在切片硅异质结太阳能电池主体的被切割侧表面形成侧接触含硅薄膜，侧接触含硅薄膜的介电常数范围为1－10；其中，切片硅异质结太阳能电池主体至少包括晶硅基底该方法在异质结太阳能电池被切割后，通过含硅薄膜对侧表面的缺陷和悬挂键进行钝化，减少硅异质结太阳能电池效率的切割损失，提高硅异质结太阳能电池效率；同时还通过含硅薄膜取代一定厚度的透明导电层，减少使用ITO
切片硅异质结太阳能电池制备方法组件

[发明专利]基于二维材料的异质结器件及包含其的光电探测器和方法-CN202210023364.6在审
发明人：朱瑞;朱健;郝成龙;谭凤泽 -专利权人：深圳迈塔兰斯科技有限公司
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本申请提供了一种基于二维材料的异质结器件和包含其的光电探测器及方法，属于光学技术领域。该基于二维材料的异质结器件，包括纳米结构层和二维材料层；其中，所述纳米结构层包括多个阵列排布的纳米结构，所述纳米结构为金属；所述二维材料层包括至少一层各向异性二维材料；所述纳米结构设置于所述至少一层各向异性二维材料的一侧，使所述纳米结构层与所述二维材料层形成异质结。通过本申请实施例提供的基于二维材料的异质结器件，通过各向异性二维材料和金属纳米结构形成异质结提高了该异质结的响应度和偏振敏感度，缩短了该异质结器件的响应时间，从而提高了包含该异质结器件的光电探测器的性能
基于二维材料异质结器件包含光电探测器方法

[发明专利]一种高耐压增强型的双异质结栅极HEMT及其制备方法-CN202210382860.0在审
发明人：尹以安;李佳霖 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种高耐压增强型的双异质结栅极HEMT及其制备方法，其包括依次层叠于衬底上的成核层、缓冲层、p型埋层、沟道层、插入层和势垒层，势垒层上设置有双异质结栅极、源极和漏极，其中双异质结栅极由PNP双异质结帽层和位于双异质结帽层上的栅极金属层组成该器件中双异质结栅极与势垒层接触能够耗尽沟道的二维电子气，使得器件阈值电压提高，且在器件想达到导通状态时，PNP型双异质结作为两个面对面的二极管，这两个二极管会消耗一定的压降，使得达到沟道层的电压减小，进而使得器件的阈值电压进一步提高，且PNP型双异质结能够防止电子从栅极进入沟道层，从而减小了栅极泄漏电流，提高器件的击穿电压。
一种耐压增强双异质结栅极 hemt 及其制备方法

[发明专利]一种双相二氧化锰异质结的制备方法及应用-CN202110784071.5有效
发明人：王诗文;丁军伟;姬东方;方少明;吴诗德;柳文庆;冯朴;赖智龙;曹小玉;张勇;闫继;韩莉锋;郭东杰 -专利权人：郑州轻工业大学
申请日： 2021-07-12 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C01G45/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种双相二氧化锰异质结的制备及其锌离子电池应用，该方法以二价锰盐为锰源，过硫酸钾为氧化剂，通过依次室温沉降‑水热反应的方法，得到双相二氧化锰异质结(包括α‑β双相二氧化锰异质结、α‑γ双相二氧化锰异质结、α‑δ双相二氧化锰异质结、β‑γ双相二氧化锰异质结、β‑δ双相二氧化锰异质结等)；得到的双相二氧化锰异质结用于锌离子电池正极材料时，克服了直接采用纯相二氧化锰时存在的锰溶解、容量低和容量衰减等问题，比容量高于
一种二氧化锰异质结制备方法应用

[发明专利]一种利用电阻进行耦合和匹配的单片低噪声放大器-CN200910243741.1无效
发明人：刘新宇;程伟;金智;王显泰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-12-23 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H03F1/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用电阻进行耦合和匹配的单片低噪声放大器，采用异质结双极型晶体管作为有源器件，包括第一级放大电路和第二级放大电路，第一级放大电路采用共发射极放大器拓扑结构，其有源器件为第一异质结双极型晶体管，第一异质结双极型晶体管的基极是该放大器的信号输入端，第一异质结双极型晶体管的集电极是第一级放大电路的信号输出端；第二级放大电路采用达林顿对管结构，其有源器件为第二异质结双极型晶体管和第三异质结双极型晶体管，其中第二异质结双极型晶体管的基极是达林顿结构的输入端，第二异质结双极型晶体管和第三异质结双极型晶体管的集电极是达林顿结构的输出端。
一种利用电阻进行耦合匹配单片低噪声放大器

[发明专利]一种钙钛矿-硅异质结叠层太阳能电池及其制作方法-CN202010797706.0有效
发明人：徐琛 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2020-08-10 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开一种钙钛矿‑硅异质结叠层太阳能电池及其制作方法，涉及叠层太阳能电池技术领域，以使硅异质结底电池pn结与介孔型无机空穴传输层共存。该钙钛矿‑硅异质结叠层太阳能电池的制作方法包括：提供硅异质结底电池；在硅异质结底电池上形成隧穿复合层；加热硅异质结底电池，同时利用喷涂工艺将无机空穴传输纳米颗粒悬浮液喷涂在隧穿复合层上，溶剂挥发，形成介孔型无机空穴传输层
一种钙钛矿硅异质结叠层太阳能电池及其制作方法

[其他]混合太阳能电池-CN201390000632.7有效
发明人：罗尔夫·斯坦格尔;托马斯·米勒 -专利权人：新加坡国立大学
申请日： 2013-05-29 - 公布日： 2015-09-16 - 主分类号： H01L31/078 文献下载
摘要：提供了混合太阳能电池，包括：产生过量电荷载流子的吸收层；同质结接触部，其形成在吸收层的第一侧上；钝化层，其形成在吸收层的与第一侧相对的第二侧上；以及掺杂异质结接触部，其形成在吸收层的第二侧上在钝化层之上，钝化层包括一个或多个接触部开口，并且掺杂异质结接触部包括沉积在钝化层之上的掺杂异质结层，掺杂异质结层包括分别在一个或多个接触部开口内形成的一个或多个异质结突起接触部，并且钝化吸收层的表面的异质结突起接触部的表面区域与钝化吸收层的表面的整个表面区域的百分比是
混合太阳能电池

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