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[发明专利]一种二硒化钨的制备方法-CN202210686584.7在审
发明人：逄金波;杨嘉丽;孙德辉;刘晓燕;周伟家;刘宏 -专利权人：济南大学
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硒化钨的制备方法，包括：在基底上沉积金属钨得到钨薄膜；将硒粉分散于溶剂中得到含硒分散液，将含硒分散液旋涂于钨薄膜上，干燥后在保护气氛下利用微波活化辅助电阻丝加热，得到基底/二硒化钨薄膜；在基底/二硒化钨薄膜旋涂PDMS溶液，干燥后得到基底/二硒化钨/PDMS薄膜，然后进行碱刻蚀去掉基底，将剩下的二硒化钨/PDMS薄膜转移到目标基底上，用溶剂将PDMS薄膜溶掉，得到二硒化钨薄膜。本发明利用金属薄膜蒸镀‑后续硒化热处理的方法，不但硒分子前驱体与钨金属膜固相反应合成成本低廉，还利用金属薄膜预制层的全覆盖特点，得到全覆盖的少层或多层二硒化钨薄膜，实现高质量晶圆级二硒化钨的大规模生产。
一种二硒化钨制备方法

[发明专利]一种二维硒化钨的生长方法-CN202211536717.9在审
发明人：王广;吕志权;周溯媛;杨鸣;彭刚 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明属于材料技术领域，具体涉及一种二维硒化钨的生长方法，以硒化钨为靶材，加热；加热到目标温度时，通入保护气体，进行化学气相沉积，将硒化钨沉积在衬底上，生长完成后，迅速降温以阻止合成的硒化钨受到刻蚀，得到二维硒化钨；在加热过程中，从衬底向靶材通入保护气体；本申请的二维硒化钨可以通过控制温度，得到不同的晶体形态，且底层的硒化钨的尺寸较好；本申请的硒化钨晶体的均匀性较好，各层之间的耦合作用差异较大；两层硒化钨之间具有均匀的应变分布和层间耦合，二维硒化钨的整体质量较高。
一种二维硒化钨生长方法

[发明专利]二硫化钨/二硒化钨电极材料、制备方法及其应用-CN202310145892.3在审
发明人：孔德斌;冯文婷;智林杰;韩俊伟;岳金书 -专利权人：中国石油大学（华东）
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明属于钾离子电池电极材料技术领域，公开了二硫化钨/二硒化钨电极材料、制备方法及其应用，将高温反应获得的二硫化钨/二硒化钨块体材料与小尺寸离子液体或有机小分子机械混合，离子液体或小分子作为插层剂插入二硫化钨/二硒化钨分子层间中调控层间结构，获得扩层且剥离的超分散二硫化钨/二硒化钨材料；在超分散的二硫化钨/二硒化钨材料中引入铁磁性金属阳离子，获得铁磁性金属阳离子掺杂的超分散二硫化钨/二硒化钨电极材料。本发明利用“插层剥离‑阳离子掺杂”相结合的策略获得具有大层间距、小尺寸、少层数、超分散且具有一定铁磁性特性的二硫化钨/二硒化钨电极材料，用于钾离子电池负极材料，容量可达336mAh·g
硫化二硒化钨电极材料制备方法及其应用

[发明专利]一种基于二硒化钨的微型压阻式应力传感器-CN201811326761.0在审
发明人：李鹏;耿策洋 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：一种基于二硒化钨的微型压阻式应力传感器，结构从上到下依次为氮化硼层、金属电极、二硒化钨层和柔性基底；二硒化钨层两端与金属电极相连；二硒化钨层的上表面被氮化硼层完全覆盖；所述二硒化钨层为二维材料，即厚度方向仅有单层原子或少数几层原子，少数几层为1‑10层；本发明采用二硒化钨作为核心敏感材料，利用二硒化钨对应力敏感的特性(压阻特性)进行应力检测，氮化硼作为保护层，使应力传感器的抗弯折能力强、具有较大的量程、灵敏度高、体积小、易加工、
二硒化钨应力传感器氮化硼层金属电极压阻式长期稳定性从上到下二维材料敏感材料柔性基底压阻特性应力检测保护层氮化硼抗弯折灵敏度能力强上表面体积小易加工单层量程敏感

[实用新型]基于二硒化钨的微型压阻式应力传感器-CN201821836232.0有效
发明人：李鹏;耿策洋 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：基于二硒化钨的微型压阻式应力传感器，结构从上到下依次为氮化硼层、金属电极、二硒化钨层和柔性基底；二硒化钨层两端与金属电极相连；二硒化钨层的上表面被氮化硼层完全覆盖；所述二硒化钨层为二维材料，即厚度方向仅有单层原子或少数几层原子，少数几层为1‑10层；本实用新型采用二硒化钨作为核心敏感材料，利用二硒化钨对应力敏感的特性(压阻特性)进行应力检测，氮化硼作为保护层，使应力传感器的抗弯折能力强、具有较大的量程、灵敏度高、体积小、易加工
二硒化钨应力传感器氮化硼层金属电极压阻式本实用新型长期稳定性从上到下二维材料敏感材料柔性基底压阻特性应力检测保护层氮化硼抗弯折灵敏度能力强上表面体积小易加工单层量程敏感

[发明专利]一种二硒化钨或二硒化钼/金纳米粒子复合材料及其制备方法-CN202111397417.2在审
发明人：洪诚毅;陈玲玲;黄志勇 -专利权人：集美大学
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： B01J27/057 文献下载
摘要：本发明涉及一种二硒化钨或二硒化钼/金纳米粒子复合材料的制备方法，该方法包括：将二硒化钨纳米片溶液或二硒化钼纳米片溶液匀速搅拌并保持冰浴，之后向二硒化钨纳米片溶液或二硒化钼纳米片溶液中逐滴滴加四氯金酸，反应20min，离心，收集沉淀，得到二硒化钨或二硒化钼/金纳米粒子复合材料。该方法绿色简单、成本低、效率高、生产周期短，制备的二硒化钨/金纳米粒子复合材料有更高的过氧化物酶催化活性，在生物小分子物质如葡萄糖的检测上具有广泛的应用前景。
一种二硒化钨二硒化钼纳米粒子复合材料及其制备方法

[发明专利]可调双频太赫兹吸收器-CN201910346269.8有效
发明人：李九生;陈旭生;李达 -专利权人：中国计量大学上虞高等研究院有限公司
申请日： 2019-04-26 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01Q17/00 文献下载
摘要：它包括二硒化钨图案、二硒化钨线、金属电极、介质层和金属基底；二硒化钨图案、二硒化钨线和金属电极处于顶层，二硒化钨图案由四个样式相同但尺寸依次增大的十字图案以2×2阵列形式排列组成，每个十字图案由两个相同的椭圆同心十字交叉而成；十字图案通过二硒化钨线连接，十字图案被二硒化钨线分为两组，每组连接不同的金属电极，两组之间相互独立，二硒化钨图案的下层为介质层，介质层的下层为金属基底，金属电极和金属基底通过电压源相连。通过外加电场调节二硒化钨的费米能级，从而改变吸收峰的中心频率和吸收效率，实现可调谐太赫兹波双频带吸收。
可调双频赫兹吸收

[发明专利]一种二硒化钨纳米片及其制备方法-CN202211055704.X在审
发明人：程迎春;苗东鹏;罗小光;刘凡 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硒化钨纳米片及其制备方法，属于二维半导体材料制备技术领域，解决了现有技术制备二硒化钨纳米片造价高、制备过程难控制等的技术问题。采用钨酸钠水溶液作为钨源，在衬底表面旋涂钨酸钠水溶液，与硒源在加热条件下进行二硒化钨纳米片的生长，可大大减少前驱体源的使用，使生产成本更为低廉，同时，采用前驱体源钨酸钠，在高温下钠离子可同样促进二硒化钨的生长
一种二硒化钨纳米及其制备方法

[发明专利]化学气相沉积生长多层二硒化钨单晶薄膜的方法-CN202310938576.1在审
发明人：张伟;窦富良;李栋婵;李军;李诚达 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明为一种化学气相沉积生长多层二硒化钨单晶薄膜的方法。该方法在以硒粉、三氧化钨为前驱体的基础之上加入氯化钠作为辅助生长剂，采用双温区加热可以控制硒粉、三氧化钨与氯化钠混合物各自的温度，制备大面积多层的硒化钨单晶薄膜；同时提供了一种硒化钨薄膜转移的方法，通过湿法转移技术，将二硒化钨薄膜从基底上面剥离下来，转移到更适合特定应用的基底上。本发明生长的硒化钨晶体具有高质量和均匀性，可以实现对硒化钨的形貌和尺寸、材料纯度和成分的控制；转移工艺简单且质量好。
化学沉积生长多层二硒化钨单晶薄膜方法

[发明专利]场效应晶体管及其制备方法-CN202211004902.3在审
发明人：岳德武;王新中;刘新科 -专利权人：深圳信息职业技术学院
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L31/103 文献下载
摘要：场效应晶体管包括：衬底；二硒化钨层，形成于衬底上；源极和漏极，形成于二硒化钨层上；其中，源极和漏极之间的沟道下方的二硒化钨层具有水平同质PN结，水平同质PN结由相邻的本征N+型二硒化钨层和P+型掺杂二硒化钨层形成，P+型掺杂二硒化钨层上形成有钨氧化物外延层。
场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种基于二硒化钨的柔性离子传感器-CN201810550806.6在审
发明人：李鹏 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：一种基于二硒化钨的柔性离子传感器，属于MEMS技术领域。其特征在于，所述传感器阵列采用二硒化钨作为敏感材料；传感器结构从上到下依次为离子载体、氮化硼层、二硒化钨层、柔性基底。二硒化钨层两端与金属电极相连；离子载体的厚度为20‑200微米；氮化硼层为单层或多层；金属电极材料选用Au、Ag、Cu、Al、Pt中的任意一种，厚度为20‑200纳米；二硒化钨层为单层或多层；二硒化钨层的上表面被离子载体和氮化硼层完全覆盖本发明采用二硒化钨作为敏感材料、氮化硼作为保护层、离子载体作为选择层，可提升柔性离子传感器的灵敏度、稳定性、选择性，并使传感器具有优良的抗弯折能力，且易于加工。
二硒化钨离子载体离子传感器氮化硼层敏感材料单层多层金属电极材料传感器结构传感器阵列从上到下金属电极柔性基底保护层传感器氮化硼抗弯折灵敏度上表面选择层加工

[实用新型]基于二硒化钨的柔性离子传感器-CN201820835809.X有效
发明人：李鹏 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：基于二硒化钨的柔性离子传感器，属于MEMS技术领域。其特征在于，所述传感器阵列采用二硒化钨作为敏感材料；传感器结构从上到下依次为离子载体、氮化硼层、二硒化钨层、柔性基底。二硒化钨层两端与金属电极相连；离子载体的厚度为20‑200微米；氮化硼层为单层或多层；金属电极材料选用Au、Ag、Cu、Al、Pt中的任意一种，厚度为20‑200纳米；二硒化钨层为单层或多层；二硒化钨层的上表面被离子载体和氮化硼层完全覆盖本实用新型采用二硒化钨作为敏感材料、氮化硼作为保护层、离子载体作为选择层，可提升柔性离子传感器的灵敏度、稳定性、选择性，并使传感器具有优良的抗弯折能力，且易于加工。
二硒化钨离子载体离子传感器氮化硼层敏感材料单层多层金属电极材料本实用新型传感器结构传感器阵列从上到下金属电极柔性基底保护层传感器氮化硼抗弯折灵敏度上表面选择层加工

[发明专利]熔融盐辅助化学气相沉积生长多层二硒化钨单晶的方法-CN202010181843.1在审
发明人：吴燕庆;宋健;李学飞 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2020-03-16 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本发明属于二维材料领域，公开了一种熔融盐辅助化学气相沉积生长多层二硒化钨单晶的方法，该方法是利用预先设定的温度条件，在小反应室处于预先设定的温度条件下时，卤化物能够熔融与钨源材料反应生成熔点低于钨源材料的中间产物，载气气流则能够携带硒源材料产生的气态硒元素与中间产物产生的气态钨元素在衬底上基于化学气相沉积的原理生长多层二硒化钨单晶。本发明通过对制备方法关键的反应参与物和反应腔室进行改进，使用卤化物与钨源材料混合参与反应，利用卤化物熔融盐与钨源材料反应生成熔点低于钨源材料的中间产物，能够有效控制化学气相沉积生长多层二硒化钨单晶，可控性好且能够制得较大尺寸的多层二硒化钨单晶
熔融辅助化学沉积生长多层二硒化钨单晶方法

[发明专利]纳米二硒化钨修饰金电极光致电化学传感器检测多巴胺的方法-CN201910183755.2有效
发明人：混旭;姚婷;李劲松;张跃;赵继宽;钟华;张慧 -专利权人：青岛科技大学
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： G01N27/327 文献下载
摘要：本发明属于分析化学与光致电化学传感器领域，具体涉及纳米二硒化钨修饰金电极光致电化学传感器检测多巴胺的方法。以二氯苯为剥离剂，超声剥离二硒化钨，得到纳米二硒化钨，以其修饰电极，并利用多巴胺对纳米二硒化钨修饰电极光致电化学信号的增强作用，实现对多巴胺高灵敏度测定。方法简单，成本低。
纳米二硒化钨修饰极光致电化学传感器检测多巴胺方法

[发明专利]一种钒掺杂二硒化钨/MXene异质结双向电催化剂及其制备方法-CN202210083801.3有效
发明人：李运勇;王炜龙;王伟;单炯威;张冰 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C25B1/04 文献下载
摘要：本申请提供了一种钒掺杂二硒化钨/MXene异质结结构材料及其制备方法和应用，所述钒掺杂二硒化钨/MXene异质结结构材料是由钒掺杂二硒化钨在MXene材料表面原位垂直生长而形成的异质结纳米片。本申请还提供了一种钒掺杂二硒化钨/MXene异质结双向电催化剂及其制备方法，对开发出成本低廉的新型高效双功能电催化剂具有重要意义。
一种掺杂二硒化钨 mxene 异质结双向催化剂及其制备方法

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