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[发明专利]一种半导体设备及清洗晶圆的方法-CN201810877128.4在审
发明人：沈新林;王海宽;郭松辉;吴龙江;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-08-03 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体设备及清洗晶圆的方法，其中，半导体设备包括吸附盘、缓冲垫及动力系统，采用晶圆清洗设备进行晶圆清洗，通过位于吸附盘与晶圆之间的具有较低弹性模量系数的缓冲垫，降低晶圆划伤及破碎现象、降低晶圆与吸附盘的接触面积及有效降低缓冲垫在晶圆进行破真空时产生弹性形变的概率，从而降低破真空的难度；通过动力系统中的气体部，增强释放晶圆的压力，降低破真空的难度；通过动力系统中的液体部，增强晶圆的润湿性，从而减小晶圆的摩擦阻力，降低破真空的难度；有效降低晶圆破真空时，破片的风险以及消除机台频繁报警的问题
晶圆破真空半导体设备动力系统缓冲垫吸附盘清洗晶圆清洗设备机台低弹性模量弹性形变晶圆清洗摩擦阻力润湿性液体部划伤减小破片破碎报警释放概率

[实用新型]化学机械研磨后晶圆清洗设备-CN201820822785.4有效
发明人：黄郡 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种化学机械研磨后晶圆清洗设备，包括清洗装置、电机扭矩量测模块、清洗控制模块及故障检测分类模块。本实用新型所提供的化学机械研磨后晶圆清洗设备通过故障检测分类模块收集清洗刷电机扭矩数据，动态调节清洗刷与晶圆表面的距离，减少了晶圆表面缺陷数，增加了清洗刷使用寿命，提高了良品率。
化学机械研磨晶圆清洗设备故障检测分类本实用新型电机扭矩晶圆表面清洗刷清洗控制模块动态调节量测模块清洗装置使用寿命良品率缺陷数洗刷

[实用新型]晶圆清洗平台及半导体设备-CN201921735097.5有效
发明人：胡立元 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-10-16 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种晶圆清洗平台及半导体设备，包括：旋转平台；第一晶圆吸附装置，设置于所述旋转平台的中心处，且可沿垂直于所述旋转平台的上表面的方向升降运动；第二晶圆吸附装置，设置于所述旋转平台的上表面，且位于所述第一晶圆吸附装置的外围；清洗喷嘴，设置于所述旋转平台的上表面，所述清洗喷嘴的顶部与所述旋转平台的上表面的距离小于所述第二晶圆吸附装置的顶部与所述旋转平台的上表面的距离。晶圆清洗平台可以对伪晶圆的背面进行清洗，减少对半导体设备中的晶圆吸盘的污染，提高产品良率，提高生产效率，延长晶圆吸盘的使用寿命。
清洗平台半导体设备

[发明专利]晶圆清洗方法、装置及晶圆加工设备-CN202311076904.8在审
发明人：张宁宁;王永强;葛凡 -专利权人：江苏京创先进电子科技有限公司
申请日： 2023-08-25 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明揭示了晶圆清洗方法、装置及晶圆加工设备，其中，晶圆清洗方法将晶圆固定于真空吸附台上，清洗时，能够通过晶圆的转动与清洗机构配合，充分保证了晶圆顶面的全覆盖清洗，同时，第一清洗机构采用二流体水进行清洗，相对于单独用水或清洗液的清洗效果更好，并且在二流体水清洗后，进一步通过擦洗件与清洗液结合来对晶圆进行擦洗，有效避免了晶圆划伤的风险，同时相对于冲洗，擦洗的清洗质量更佳，并且使擦洗件的长度覆盖晶圆的晶圆材料本体能够有效地提高擦洗效率，保证擦洗时充分覆盖晶圆材料本体的顶面，擦洗后通过二流体水再次冲洗及干燥，有效保证了清洗质量达到要求。
清洗方法装置加工设备

[发明专利]一种臭氧清洗设备以及在半导体湿法清洗工艺中的应用-CN202310656000.6有效
发明人：王贝易;黄莉 -专利权人：盛奕半导体科技（无锡）有限公司
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明公开了一种臭氧清洗设备以及在半导体湿法清洗工艺中的应用，涉及到清洗设备领域，包括顶部开口的清洗箱，所述清洗箱的上方设置有能够垂直移动的清洗夹具模块；所述清洗夹具模块能够夹持晶圆并将晶圆移动至所述清洗箱内并在所述清洗箱内转动，所述清洗夹具模块包括夹持驱动组件、夹持转动组件、变形驱动组件、若干个变形组件和若干个夹持组件，所述夹持组件包括两个夹持条，所述夹持驱动组件能够驱动全部所述夹持组件中对应的两个夹持条移动，且两个夹持条移动的方向相反即能够在晶圆清洗时对晶圆进行多方位夹持，保证晶圆转动清洗时的稳定，又能够在清洗前后暴露部分晶圆，方便对晶圆进行转移。
一种臭氧清洗设备以及半导体湿法工艺中的应用

[发明专利]半导体工艺设备及晶圆清洗方法-CN202111258374.X在审
发明人：徐玉凯;王欢 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体工艺设备及晶圆清洗方法，涉及半导体装备及工艺领域。一种半导体工艺设备包括：装载腔室、传输腔室、连接腔室、传输装置和清洗装置；装载腔室与传输腔室之间通过连接腔室连接，传输装置用于经过连接腔室由装载腔室向传输腔室传输晶圆，并在经过连接腔室时停止在设置于连接腔室中的预设清洗工位处，清洗装置设置于连接腔室中，用于对传输至清洗工位的晶圆进行清洗。一种晶圆清洗方法包括：通过传输装置将晶圆由装载腔室传输至清洗工位；通过清洗装置对晶圆进行清洗；通过传输装置将清洗完成后的晶圆由清洗工位传输至传输腔室。本申请能够解决晶圆表面的杂质导致电阻率不合格的问题。
半导体工艺设备清洗方法

[发明专利]节能型晶圆生产用去胶清洗设备-CN202211225042.6有效
发明人：全宰弘;陈欣鑫;尹培云 -专利权人：亚新半导体科技（无锡）有限公司
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明涉及光刻胶清洗技术领域，具体为节能型晶圆生产用去胶清洗设备，对晶圆上的光刻胶进行清洗去除，清洗设备包括等离子清洗结构、湿法清洗结构、溶剂残留去除结构以及干燥处理结构，等离子清洗为前道清洗，湿法清洗结构为后道清洗，然后使用去离子水冲洗晶圆，烘干晶圆上的水分。等离子清洗结构包括等离子器、输送通道、处理室，等离子器通过输送通道与处理室连接，等离子器发射氧源往处理室内，晶圆放置到处理室壁面上，晶圆平面与输送通道输送的等离子出射方向平行。湿法清洗结构包括水洗仓、绕流柱、溶剂，水洗仓内设置流道，流道内过流溶剂，流道内还横置绕流柱，晶圆放置到流道内，晶圆位于绕流柱的沿溶剂流动方向的后方。
节能型生产用去胶清洗设备

[实用新型]边缘刻蚀设备-CN202120140290.5有效
发明人：吴镐硕;朴灵绪 -专利权人：苏州恩腾半导体科技有限公司
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供一种边缘刻蚀设备，包括设备腔体、一个氢氟酸刻蚀槽、至少两个去离子水清洗槽、干燥栈及晶圆移动装置；氢氟酸刻蚀槽、去离子水清洗槽、干燥栈及晶圆移动装置均位于设备腔体内，晶圆移动装置将在氢氟酸刻蚀槽内完成边缘刻蚀的晶圆移动到去离子水清洗槽中进行清洗，之后送到干燥栈进行干燥；氢氟酸刻蚀槽内设置有用于放置晶圆的第一载台及液体喷嘴，干燥栈内设置有用于放置晶圆的第二载台。本实用新型可以有效避免等待期间因晶圆表面残留的氢氟酸造成晶圆边缘的过度腐蚀，可以进一步提高晶圆表面清洁度，避免晶圆污染以及防止传送过程中液体滴落造成传送路径的污染，避免传片故障。
边缘刻蚀设备

[发明专利]晶圆清洗方法-CN202010248277.1在审
发明人：林楠;赵晓亮 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶圆的清洗方法，包括：将晶圆固定在喷淋设备的清洗台上；预处理，在预处理阶段旋转晶圆且在晶圆表面喷洒去离子水进行清洗；在晶圆表面喷洒基于氟化物的化学药剂；后处理，在后处理阶段旋转晶圆且在晶圆表面喷洒去离子水进行清洗本申请通过设置预处理旋转晶圆且在晶圆表面喷洒去离子水进行清洗，通过旋转晶圆能够使去离子水在晶圆表面充分展开，较为均匀地分布在晶圆表面，从而在喷洒化学药剂后，能够通过分布均匀的去离子水使化学药剂较为均匀地分布在晶圆表面，同时，通过设置后处理旋转晶圆且在晶圆表面喷洒去离子水进行清洗，从而能够进一步使化学药剂更为均匀地分布在晶圆表面，使刻蚀较为均匀。
清洗方法

[发明专利]清洗系统、晶圆清洗设备及晶圆浸润水洗方法-CN202011375471.2在审
发明人：史蒂文·贺·汪;金涛;樊芸;王铮 -专利权人：硅密芯镀（海宁）半导体技术有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种清洗系统、晶圆清洗设备及晶圆浸润水洗方法，其中清洗系统包括清洗槽、清洁喷嘴和排水口，所述清洁喷嘴和所述排水口均设在所述清洗槽内，所述排水口可封闭，所述清洗系统还包括进水口，所述进水口设在所述清洗槽内本技术方案中，晶圆的浸润和清洗在同一个槽内完成，不需要同时设置晶圆浸润槽和晶圆清洗槽，工序过程简单，使用方便，晶圆不需要浸泡之后移入清洗槽，避免晶圆因移动发生污染。
清洗系统设备浸润水洗方法

[实用新型]一种半导体晶圆高效清洗设备-CN202222499386.8有效
发明人：韩五静;王思远;王晨 -专利权人：安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： B08B3/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体晶圆高效清洗设备，涉及半导体晶圆清洗技术领域，包括清洗槽，所述清洗槽的内腔底部安装有超声波清洗板，所述清洗槽左右端均固定连接有可进行升降运动的驱动杆，且两个所述驱动杆的输出端均固定连接有安装板，两个所述安装板之间安装有可旋转的晶圆放置架。本清洗槽可利用驱动电机可带动晶圆放置架进行旋转，可使得晶圆的端面与清洗槽平行设置，相比传统晶圆与清洗槽垂直设置的方式，可增大气泡与晶圆的接触面积，进而提高对晶圆的清洗效率。
一种半导体高效清洗设备

[发明专利]晶圆的清洗组件、清洗设备及清洗方法-CN201911128954.X有效
发明人：白靖宇 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种晶圆的清洗组件、清洗设备及清洗方法。该清洗组件包括：晶圆放置位，用于放置晶圆；移动轨道，以竖直方向间隔设置于所述晶圆放置位的至少一侧；至少第一喷头，设置于所述移动轨道上并能够沿所述移动轨道移动，用于朝向所述晶圆的方向喷出清洗液体。
清洗组件设备方法

[实用新型]晶圆清洗装置及清洗设备-CN202122843198.8有效
发明人：王鑫;管昌新;刘旭华;张锐;李剑 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种晶圆清洗装置及清洗设备，晶圆包括端面和连接端面外围的侧面；晶圆清洗装置包括清洗槽，清洗槽包括底板和绕底板周向设置的侧板，侧板和底板围合形成用于容置晶圆的容置空间，侧板开设有排液孔，晶圆沿预设方向排布，排液孔的延伸方向与预设方向相交，其中，预设方向与晶圆的端面垂直。通过该设计，能够在有效对晶圆进行清洗的同时，减小清洗槽内的液体经由排液孔排出清洗槽时，晶圆因所受到的作用力过大而产生破裂的风险。
清洗装置设备

[发明专利]一种干法晶圆片清洗设备-CN202111568058.2有效
发明人：万帮勇;胡荪葳;张祥 -专利权人：智程半导体设备科技（昆山）有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种干法晶圆片清洗设备，包括清洗箱体和晶圆翻转装置，晶圆翻转装置设置于清洗箱体；清洗箱体中设置逐层折返的气体回路；晶圆翻转装置包括翻转机构和抬升机构，翻转机构滑动设置于清洗箱体，抬升机构连接翻转机构，抬升机构位于初始位置时晶圆片置于晶圆架板，抬升机构的行程大于晶圆的半径；翻转机构包括多个翻转器，各翻转器包括用于带动晶圆片翻转的蜗轮和带动蜗轮动作的蜗杆。本发明可提高干式清洗时反应气体的利用率，减少反应气体的浪费，同时在清洗箱体内部完成晶圆片的翻转，减少取出晶圆片进行翻转所需的辅助时间，提高工作效率。
一种干法晶圆片清洗设备

[发明专利]半导体清洗设备调度方法、系统、装置及存储介质-CN202210797348.2有效
发明人：朱东和;李杰;刘斌;郭宇翔;傅慧初;扶庆 -专利权人：埃克斯工业（广东）有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体清洗设备调度方法、系统、装置及存储介质，属于半导体制造技术领域。本发明确定待清洗晶圆，并基于待清洗晶圆确定预测死锁环，确定预测死锁环对应的控制库所，基于待清洗晶圆和控制库所进行工序排程模拟，利用预控制库所对可能出现的死锁情况进行有效预防，并判断工序排程模拟的模拟结果是否符合预设过泡时间约束，通过工序排程模拟预先进行工序排程，提早暴露可能存在的晶圆过泡风险，降低晶圆损坏概率，以在模拟结果符合过泡时间约束时，依据模拟结果控制半导体清洗设备执行清洗操作，降低半导体清洗设备执行清洗操作时死锁情况的出现概率和出现晶圆过泡的风险，提升了对半导体清洗设备调度的有效性。
半导体清洗设备调度方法系统装置存储介质