[实用新型]边缘刻蚀设备有效
申请号: | 202120140290.5 | 申请日: | 2021-01-19 |
公开(公告)号: | CN213958925U | 公开(公告)日: | 2021-08-13 |
发明(设计)人: | 吴镐硕;朴灵绪 | 申请(专利权)人: | 苏州恩腾半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 215024 江苏省苏州市苏州工业园*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型提供一种边缘刻蚀设备,包括设备腔体、一个氢氟酸刻蚀槽、至少两个去离子水清洗槽、干燥栈及晶圆移动装置;氢氟酸刻蚀槽、去离子水清洗槽、干燥栈及晶圆移动装置均位于设备腔体内,晶圆移动装置将在氢氟酸刻蚀槽内完成边缘刻蚀的晶圆移动到去离子水清洗槽中进行清洗,之后送到干燥栈进行干燥;氢氟酸刻蚀槽内设置有用于放置晶圆的第一载台及液体喷嘴,干燥栈内设置有用于放置晶圆的第二载台。本实用新型可以有效避免等待期间因晶圆表面残留的氢氟酸造成晶圆边缘的过度腐蚀,可以进一步提高晶圆表面清洁度,避免晶圆污染以及防止传送过程中液体滴落造成传送路径的污染,避免传片故障。 | ||
搜索关键词: | 边缘 刻蚀 设备 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造