[实用新型]边缘刻蚀设备有效

专利信息
申请号: 202120140290.5 申请日: 2021-01-19
公开(公告)号: CN213958925U 公开(公告)日: 2021-08-13
发明(设计)人: 吴镐硕;朴灵绪 申请(专利权)人: 苏州恩腾半导体科技有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 余明伟
地址: 215024 江苏省苏州市苏州工业园*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型提供一种边缘刻蚀设备,包括设备腔体、一个氢氟酸刻蚀槽、至少两个去离子水清洗槽、干燥栈及晶圆移动装置;氢氟酸刻蚀槽、去离子水清洗槽、干燥栈及晶圆移动装置均位于设备腔体内,晶圆移动装置将在氢氟酸刻蚀槽内完成边缘刻蚀的晶圆移动到去离子水清洗槽中进行清洗,之后送到干燥栈进行干燥;氢氟酸刻蚀槽内设置有用于放置晶圆的第一载台及液体喷嘴,干燥栈内设置有用于放置晶圆的第二载台。本实用新型可以有效避免等待期间因晶圆表面残留的氢氟酸造成晶圆边缘的过度腐蚀,可以进一步提高晶圆表面清洁度,避免晶圆污染以及防止传送过程中液体滴落造成传送路径的污染,避免传片故障。
搜索关键词: 边缘 刻蚀 设备
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州恩腾半导体科技有限公司,未经苏州恩腾半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202120140290.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top