“插入层”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3302271个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种插入绝缘埋层的InAlN-GaN HEMT器件-CN201920358484.5有效
发明人：任舰 -专利权人：淮阴师范学院
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种插入绝缘埋层的InAlN‑GaN HEMT器件，它涉及半导体功率器件制造领域。一种插入绝缘埋层的InAlN‑GaN HEMT器件它包含SiC衬底、GaN成核层、GaN缓冲层、绝缘埋层、AlN插入层、InAlN势垒层、GaN帽层、SiN钝化层、栅极、源极、漏极，SiC衬底上方为GaN成核层，GaN缓冲层设置在GaN成核层上方，绝缘埋层生长在GaN缓冲层和AlN插入层内部，InAlN势垒层生长在AlN插入层上表面，GaN帽层上表面设置SiN钝化层，栅极位于源极和漏极之间。
绝缘埋层钝化层上表面势垒层衬底漏极帽层源极半导体功率器件本实用新型逆压电效应输入电容阈值电压生长制造

[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法-CN201210167032.1无效
发明人：杨栋芳;肖田 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2012-05-25 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明提供一种有机电致发光器件，其包括衬底、阳极层、阴极层、以及设置在所述阳极层和阴极层之间的有机功能层，所述有机功能层包括发光层，所述发光层中设置有插入层，所述插入层将发光层分隔为多个子发光层，所述插入层对空穴的传输能力小于对电子的传输能力所述插入层的空穴迁移率低于所述子发光层的空穴迁移率。相应地，提供一种有机电致发光器件的制备方法。该有机电致发光器件发光效率高，使用寿命长。
一种有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]一种磁存储器及其制备方法-CN202110406826.8有效
发明人：彭文林;刘峻;杨海波;付志成;刘广宇 -专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请日： 2021-04-15 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种磁存储器，包括：依次堆叠的自旋轨道耦合层、插入层和磁隧道结；所述自旋轨道耦合层用于产生自旋极化载流子；所述磁隧道结包括自由铁磁层；且所述自由铁磁层与所述插入层相邻；其中，所述插入层具有面内磁各向异性且所述插入层的易磁化轴与所述自旋轨道耦合层的自旋极化载流子的极化方向大致平行所述插入层在所述磁存储器中起到了自旋流开关的作用，可以有效地降低非写入状态下漏电流对磁隧道结的影响，保护已存储的信息，提高器件的稳定性。另外，采用具有面内磁各向异性的材料作为插入层，可以实现无外加辅助场下自由铁磁层的磁化翻转，有助于器件的微型化和功耗的降低。
一种磁存储器及其制备方法

[实用新型]一种轮胎内衬层结构-CN202221830815.9有效
发明人：徐永强;李晓晨;蔡晔伦 -专利权人：赛轮集团股份有限公司
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： B60C13/00 文献下载
摘要：本实用新型属于轮胎领域，涉及矿用轮胎制造领域，具体涉及一种轮胎内衬层结构，包括依次贴合的气密层、第一过渡层、插入包和第二过渡层，第二过渡层贴合在胎体上；插入包由第一插入包和第二插入包搭接贴合组成，第一插入包和第二插入包的形状与尺寸均相同，其横截面为左右对称的梯形；第一过渡层由三个过渡层胶片搭接贴合组成，第二过渡层由四个过渡层胶片搭接贴合组成，过渡层胶片的宽度与厚度均相同。该新型的内衬层结构设计减少了所使用胶料的种类，从而降低了生产过程的复杂性，提高了生产效率，同时该内衬层结构还能够提高轮胎产品的耐久性能。
一种轮胎内衬结构

[实用新型]一种用于车轮的插入阻尼器-CN201721862417.4有效
发明人：陈照波;焦映厚;王忠龙;张斌 -专利权人：哈尔滨通达工业环保自动化有限公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： B60B17/00 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种用于车轮的插入阻尼器，所述插入阻尼器包括安装板(1)、金属层(2)和插入层(3)；所述金属层(2)与所述插入层(3)交替叠加形成夹层结构，所述安装板(1)上设置所述夹层结构，所述安装板(1)、插入层(3)和金属层(2)依次通过铆钉铆接在一起。通过插入阻尼原理，大幅增加了车轮的模态阻尼。同时本实用新型能够覆盖较宽的频段，对产生车轮噪声的整个频段都有较好的作用。
本实用新型安装板插入层金属层阻尼器车轮夹层结构频段车轮噪声交替叠加铆钉铆接模态阻尼阻尼原理覆盖

[发明专利]一种利用新型势垒层提高GaN增强型沟道迁移率的器件结构及实现方法-CN201710196720.3在审
发明人：王茂俊;沈波;陶明;刘少飞;郝一龙 -专利权人：北京大学
申请日： 2017-03-29 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用新型势垒层提高GaN增强型沟道迁移率的器件结构及其制作方法，所述结构包括衬底、GaN或AlN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN层插入层、GaN插入层、AlN插入层、AlGaN插入层、掩膜介质层、绝缘栅介质层以及源漏欧姆接触和栅金属。本发明在AlGaN势垒层中插入一组AlN/GaN，插入的GaN层作为热氧化、湿法腐蚀的停止层，在栅极下方保留了完整的AlGaN/GaN异质结构，避免了腐蚀和淀积介质层对沟道的损伤，降低了导通电阻，同时可以精确控制栅极下方势垒层的厚度
插入层介质层势垒层沟道迁移率器件结构增强型衬底异质结材料导通电阻控制栅极欧姆接触湿法腐蚀外延生长异质结构产业化绝缘栅可控性热氧化停止层栅金属淀积沟道漏极掩膜源极源漏制备损伤腐蚀保留制作

[实用新型]外延结构以及半导体器件-CN202223476195.6有效
发明人：李国强 -专利权人：广州市艾佛光通科技有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种外延结构以及半导体器件，外延结构包括依次层叠的衬底、AlN缓冲层、AlGaN插入层、AlInN插入层以及AlN外延层。上述外延结构通过在AlN外延层前设置缓冲层以及插入层与衬底之间进行过渡，避免影响AlN外延层表面的粗糙度，获得AlN外延层表面更为平整的外延结构。
外延结构以及半导体器件

[发明专利]一种翘曲可调的SiC基HEMT结构的制备方法及结构-CN201910534581.X有效
发明人：李仕强;王东盛;李亦衡;张葶葶;朱廷刚 -专利权人：江苏能华微电子科技发展有限公司
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明涉及一种翘曲可调的SiC基HEMT结构的制备方法，包括在SiC基衬底上生长第一缓冲层、在所述的第一缓冲层上生长第二缓冲层、在所述的第二缓冲层上生长势垒层，其特征在于：在所述的第一缓冲层生长所述的第二缓冲层之前，在所述的第一缓冲层上生长AlGaN插入层，所述的第二缓冲层生长在所述的AlGaN插入层上，所述的AlGaN插入层的生长厚度为5~100nm，在所述的AlGaN插入层中Al的组份为5%~50%。本发明通过引入AlGaN插入层成功实现了SiC基HEMT外延翘曲的灵活控制，可以通过控制AlGaN的厚度或者Al组分来灵活实现大范围增强或者减弱SiC基HEMT外延的应力。
一种可调 sic hemt 结构制备方法

[发明专利]一种含有BCP插入层的8-羟基喹啉铝/金属异质结热电子光电探测器及其制作方法-CN202010145549.5有效
发明人：翟爱平;赵成杰;崔艳霞;王文艳;李国辉;郝玉英;吴玉程 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2020-03-05 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10K30/60 文献下载
摘要：本发明涉及光电探测器制作领域，一种含有BCP插入层的8‑羟基喹啉铝/金属异质结的热电子光电探测器，由阳极层、有机半导体层、插入层、银纳米颗粒层、阴极层组成，阳极层为铟锡氧化物ITO，银纳米颗粒层和阴极层构成金属复合电极层，有机半导体层与金属复合电极层构成肖特基结，同时在肖特基结的界面插入很薄的BCP作为界面插入层。本发明还涉及该含有BCP插入层的8‑羟基喹啉铝/金属异质结的热电子光电探测器的制备方法。本发明中设计的光电探测器，在正向偏压的条件下，暗电流保持在几十皮安级别，而亮电流呈现开启状态。
一种含有 bcp 插入羟基喹啉金属异质结热电子光电探测器及其制作方法

[发明专利]一种具有低电子泄漏的砷化镓激光器及其制作方法-CN201510031845.1有效
发明人：李翔;赵德刚;江德生;刘宗顺;陈平;朱建军 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2015-01-22 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有低电子泄漏的砷化镓激光器及其制作方法，通过在n型波导层与有源区之间引入较厚的窄带隙插入层，降低了电子能量。本发明利用四元材料作为插入层，通过选择合适的材料组分，不仅使插入层带隙宽度降低，而且可以保持插入层的折射率和n型波导层折射率一致，避免了插入层的引入对光场分布的影响。因此，通过在n型波导层与有源区之间引入较厚的窄带隙插入层，大大改善了GaAs基激光器阈值电流、电光转换效率等性能。
一种具有电子泄漏砷化镓激光器及其制作方法

[发明专利]无需光刻的氮化镓外延材料制备方法及氮化镓外延材料-CN202210096716.0在审
发明人：宁静;武海迪;张进成;郭海滨;张希鹏;王东;马佩军;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种无需光刻的氮化镓外延材料制备方法及氮化镓外延材料，制备方法包括步骤：S1、在目标衬底上制备插入层；S2、在所述插入层上制备二氧化硅微纳球层，使得所述二氧化硅微纳球层在所述插入层上呈六边形规律排列；S3、在所述二氧化硅微纳球层上外延生长氮化镓层。该制备方法采用插入层和二氧化硅微纳球层共同形成复合插入层，利用复合插入层进行有效选择性阻挡，释放了衬底与氮化镓外延材料之间的应力，促使纵向位错湮灭，降低了位错密度，不使用昂贵复杂的光刻步骤却达到了与光刻相同的效果
无需光刻氮化外延材料制备方法

[发明专利]设置插入层以提升功率的体声波谐振器、滤波器及电子设备-CN202010597300.8有效
发明人：庞慰;郝龙;徐洋;张全德;马晓丹;杨清瑞 -专利权人：诺思（天津）微系统有限责任公司
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种体声波谐振器，包括基底；声学镜；底电极；顶电极；和压电层，其中：所述谐振器在顶电极的连接边还包括第一插入层，第一插入层在谐振器的厚度方向上设置在顶电极与基底之间，且所述声学镜的边缘在谐振器的横向方向上处于第一插入层的内端与外端之间；所述谐振器在顶电极的连接边还包括第一不导电介质层，第一不导电介质层在谐振器的厚度方向上设置在第一插入层与顶电极之间，所述第一不导电介质层的内端在横向方向上位于第一插入层的内端的内侧，所述第一不导电介质层的外端在横向方向上与第一插入层的外端齐平或者处于第一插入层的外端的外侧
设置插入提升功率声波谐振器滤波器电子设备

[实用新型]一种加热瑜伽垫-CN202122479728.5有效
发明人：周洪杰 -专利权人：周洪杰
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： A63B6/00 文献下载
摘要：本实用新型属于瑜伽垫技术领域，具体涉及一种加热瑜伽垫，本加热瑜伽垫包括：第一支撑层、发热层、第二支撑层、活动密封组件和可拆卸电源组件；其中发热层开设有插入槽，活动密封组件活动安装在插入槽处，且插入槽的槽底设置两个触点，两个触点分别与发热层的正、负极相连；可拆卸电源组件抵住活动密封组件进入插入槽内，以接触两个触点使发热层通电加热；当可拆卸电源组件从插入槽中移出后，活动密封组件复位将插入槽密封；本实用新型通过在发热层的插入槽处设置活动密封组件，能够实现可拆卸电源组件与发热层分离设置，方便搬运加热瑜伽垫，同时在不使用加热瑜伽垫时将插入槽密封，防止进水、进灰尘问题，克服容易出现短路、接触不良的问题。
一种加热瑜伽

[发明专利]插入结构和包括该插入结构的半导体封装-CN202211500173.0在审
发明人：张宇珹;朴媛智;安正勋;吴在熙;金知炯;丁少锋;洪锡俊;黄帝官 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：提供了一种插入结构和包括其的半导体封装，该插入结构包括：插入基板；在插入基板的上表面上的层间绝缘层；在层间绝缘层内的电容器结构；在垂直方向上穿透层间绝缘层的第一通路，第一通路连接到电容器结构；在层间绝缘层上的绝缘层；在垂直方向上穿透绝缘层的第二通路，第二通路连接到第一通路；以及贯穿通路，在垂直方向上完全穿透插入基板、层间绝缘层和绝缘层中的每个，贯穿通路的上表面与第二通路的上表面共面。
插入结构包括半导体封装

[发明专利]一种高阈值GaN增强型HEMT器件及其制备方法-CN202211261016.9在审
发明人：张涛;苏华科;许晟瑞;张进成 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种高阈值GaN增强型HEMT器件及其制备方法，其结构自下而上依次包括：衬底层，成核层，GaN缓冲层，AlGaN势垒层，其中，AlGaN势垒层上设置有源极，漏极，以及源极和漏极之间且与源极和漏极有间隔的插入层；插入层的材料为AlN或AlxGa1‑xN，其中，0.5≤x＜1；AlN插入层或AlGaN插入层中的Al组分含量大于AlGaN势垒层中的Al组分含量；插入层上设置有p型GaN层；p型GaN层上设置有栅极。本发明可以提升p‑GaN层的电离效率，实现更高阈值的增强型HEMT器件；此外还可以提升p‑GaN栅结构的栅控能力，提升器件的性能。
一种阈值 gan 增强 hemt 器件及其制备方法