“翟爱平”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果27个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]基于OAM单像素波前探测的空间信息传输装置及方法-CN202310939646.5在审
发明人：王东;路雨欣;高泽芳;何鹏;翟爱平;赵文静 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01V8/10 文献下载
摘要：本发明属于单像素成像技术与空间光通信交叉领域，在现有的基于OAM信息传输技术中，需要较复杂的复用或键控技术和OAM光束解调技术，增加了通信系统的复杂性。本发明提供一种基于OAM单像素波前探测的空间信息传输装置及方法，利用不同类型的调制基对待传输目标信息以空间二维形式编码，依次发送到自由空间，结合单像素波前探测原理实现空间信息传输。与现有技术相比，本发明的发送端不需要额外的复用技术或键控技术，接收端不需要OAM光束解调技术，传输装置简单，且调制基也能够根据实际需要灵活选择而不仅仅局限于OAM模式，能够实现在复杂环境中的信息传输，具有可宽波段工作等优点，为空间信息传输提供了一种全新的技术方案。
基于 oam 像素探测空间信息传输装置方法

[发明专利]单像素OAM模间共路干涉方法-CN202310355828.8在审
发明人：王东;高磊;何鹏;翟爱平;赵文静 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G01J9/02 文献下载
摘要：一种单像素OAM模间共路干涉方法，以0阶OAM基模作为参考分量并进行必要的相移，以包括0阶OAM基模在内的其他阶OAM模式作为调制基，对未知光场的波前进行采样，配置空间波前成像的分辨率M×N，单像素成像的采样率s，移相步数φ，从OAM模式种类中任选其一作为对目标空间波前成像的调制基；计算生成s×M×N个分辨率为M×N的OAM调制模式，生成分辨率为M×N的所选OAM模式0阶基模；对生成的0阶OAM基模按照移相步数进行多步移相；对步骤2中生成的s×M×N个OAM模式分别叠加移相后的0阶OAM基模，使两种模式发生模间干涉，产生最终的调制模式。
像素 oam 模间共路干涉方法

[发明专利]基于散斑关联性实现非侵入式大视场成像的方法-CN202310291994.6在审
发明人：王东;汪旭东;赵文静;翟爱平 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H04N23/698 文献下载
摘要：本发明属于光学散射成像技术领域，当使用基于光学记忆效应的方法来实现透过散射介质成像时，一旦成像目标大小超出记忆效应范围，通常会导致成像失败，从而限制成像系统的视场。本发明提出一种直接利用关联性来扩大视场的方法，直接利用子目标Oi的散斑自相关及子目标Oi与子目标Oi+1的散斑互相关计算子目标图像O’i与O’i+1之间的相对位置，确定子目标图像O’i与O’i+1之间相对位置的移位向量，利用散斑之间的关联性确定子目标图像O’i的正确翻转方向，避免预估成像系统的点扩散函数PSF，从而提高效率。当目标大小超出光学记忆效应范围时，使用所提出的方法，更高效地实现透过散射介质的非侵入式大视场成像。
基于关联性实现侵入视场成像方法

[发明专利]一种含有BCP插入层的8-羟基喹啉铝/金属异质结热电子光电探测器及其制作方法-CN202010145549.5有效
发明人： 翟爱平;赵成杰;崔艳霞;王文艳;李国辉;郝玉英;吴玉程 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2020-03-05 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10K30/60 文献下载
摘要：本发明涉及光电探测器制作领域，一种含有BCP插入层的8‑羟基喹啉铝/金属异质结的热电子光电探测器，由阳极层、有机半导体层、插入层、银纳米颗粒层、阴极层组成，阳极层为铟锡氧化物ITO，银纳米颗粒层和阴极层构成金属复合电极层，有机半导体层与金属复合电极层构成肖特基结，同时在肖特基结的界面插入很薄的BCP作为界面插入层。本发明还涉及该含有BCP插入层的8‑羟基喹啉铝/金属异质结的热电子光电探测器的制备方法。本发明中设计的光电探测器，在正向偏压的条件下，暗电流保持在几十皮安级别，而亮电流呈现开启状态。
一种含有 bcp 插入羟基喹啉金属异质结热电子光电探测器及其制作方法

[发明专利]一种基于散射介质实现超分辨显微成像方法及其装置-CN202110538402.7有效
发明人：王东;赵文静;翟爱平;张腾 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G01N21/47 文献下载
摘要：本发明属于光学显微成像、散射光学以及计算成像交叉领域。基于散射介质实现超分辨显微成像装置主要由照明装置1、载物台2、待观测目标3、散射介质4、光阑5、面阵探测器6和中央处理器7构成。其中，面阵探测器6与散射介质4之间的距离，需要通过考虑探测的散斑图满足奈奎斯特定理来确定；待观测目标3到散射介质4的距离，由显微成像具体的视场和分辨率来确定。光阑5紧靠散射介质4；待观测目标3置于载物台2上，由中央处理器7控制照明装置1主动引入稀疏且随机点光源照明。本发明还涉及基于散射介质实现超分辨显微成像方法。
一种基于散射介质实现分辨显微成像方法及其装置

[发明专利]一种基于生物组织独特光散射特性的光学加密装置及方法-CN202110588686.0有效
发明人：王东;张腾;韩青;赵文静;翟爱平 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G01N21/49 文献下载
摘要：本发明属于光学信息处理及光学图像加密的交叉领域；基于生物组织光散射特性的光学加密技术，使得密文的自相关函数和明文的自相关函数近似相等，加密系统易受到利用相位恢复算法的全密文攻击，安全性受到极大的威胁；本发明提供一种基于生物组织独特光散射特性的光学加密装置及方法，动态散射介质2作为随机相位掩膜置于投影输入装置和面阵光电探测器之间构成光学加密装置形成一个加密系统，利用动态散射介质的不相关特性记录密钥，能够有效抵御系统全密文攻击，通过生物组织结合新型光学加密方法，安全系数高，用算法实现加密解密，更加灵活，本发明可广泛应用于视频图像的加密处理，加密解密效率高。
一种基于生物组织独特散射特性光学加密装置方法

[发明专利]一种透过散射介质非侵入式大视场成像方法及装置-CN202211446193.4在审
发明人：王东;张腾;赵文静;翟爱平 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G02B27/00 文献下载
摘要：本发明属于光学散射成像技术领域，基于光学记忆效应实现透过散射介质成像时，当成像目标超出记忆效应范围时，通常会导致成像失败，从而限制其成像视场。本发明提出一种基于PSF预估及相关运算实现透过散射介质非侵入式大视场成像方法及装置，当目标过大超出记忆效应范围时，利用相位恢复算法重建隐藏在散射介质的目标O的子目标Oi的图像，基于点扩散函数预估及自相关与互相关运算，获得所有子目标的方位，根据方位对子目标进行图像拼接，实现非侵入式大视场成像；本发明还能够超出记忆效应范围进行非侵入式大视场超分辨成像，能够同时兼顾成像视场与成像分辨率。在生物医学成像和光学显微成像等领域有广泛应用。
一种透过散射介质侵入视场成像方法装置

[发明专利]一种基于半绝缘型4H-SiC基底的垂直MSM结构光电成像系统-CN202210798053.7在审
发明人：崔艳霞;冀莹泽;李国辉;刘浩坤;潘登;翟爱平;许并社 -专利权人：太原理工大学;山西浙大新材料与化工研究院
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于半绝缘型4H‑SiC基底的垂直金属‑半导体‑金属(MSM)结构光电成像系统。该装置是以垂直结构的Al或TiN电极碳化硅光电探测器阵列(1)为核心，且包括电压测量模块、扫描选通控制模块、运算/显示模块与电源模块，构成一种基于半绝缘型4H‑SiC基底的垂直MSM结构光电成像系统。该系统可以对紫外到近红外宽光谱图案进行成像，其中垂直结构的Al或TiN电极碳化硅光电探测器阵列的一个阵元就是一个像素点。对于整个光电探测器阵列来说，由扫描选通控制模块负责扫描选通每个像素点，此时电压测量模块负责测量电流大小。采集到的数据交由运算/显示模块保存、处理和显示，最终完成图案成像功能。
一种基于绝缘 sic 基底垂直 msm 结构光电成像系统

[发明专利]波长调谐单像素探测气体扩散和浓度分布的方法及装置-CN202011364447.9有效
发明人：王东;苏杰;赵文静;翟爱平;何鹏 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G01N15/06 文献下载
摘要：本发明属于单像素成像与气体浓度检测领域；在工业生产过程中，有害气体泄漏事故时有发生，气体泄漏危害生命安全和设备的运行，现有检测方法成本高检测范围小，存在巨大检测盲区，本发明提供一种波长调谐单像素探测气体扩散和浓度分布的方法及装置，将波长调谐与锁相放大用于单像素成像，利用气体对特定波长的红外光吸收的特性，实现气体扩散和浓度空间分布的差分探测成像，获得气体扩散的三维信息，提高探测成像信噪比和气体扩散浓度分布检测的精度，具有低成本、高灵敏度、无分辨率限制、大监测范围等优点，不需要为制冷，使用寿命长。
波长调谐像素探测气体扩散浓度分布方法装置

[发明专利]一种耐强光的陶瓷纳米结构增强型4H-SiC基光功率计-CN202210707094.0在审
发明人：耿路路;崔艳霞;翟爱平;李国辉 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种耐强光陶瓷纳米结构增强型4H‑SiC基全光谱光功率计。该装置是以陶瓷纳米结构增强型碳化硅基光电探头(1)为核心，集成了电流测量模块(2)、控制/通信/运算/显示模块(3)与电源模块(4)，构成一款耐强光全光谱光功率计。该装置中的光电探头在已有贵金属纳米结构增强型碳化硅基光电探测器设计中，使用热容系数更高、熔点更高的氮化钛陶瓷纳米结构来代替贵金属纳米结构，可降低器件在强光照射之后引起的温升，避免器件在光照温升后造成的纳米结构熔化与损坏，保障器件在强光照射下能正常工作。本专利提供的光功率计是基于内光电发射效应制成的，较之光伏效应制成的光功率计能耐受更强的光，较之热敏电阻效应制成的光功率计具有更快的测量速度。
一种强光陶瓷纳米结构增强 sic 功率

[发明专利]一种自适应采样的单像素成像方法-CN202010715801.1有效
发明人：王东;徐灿文;翟爱平;赵文静 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： G06T3/40 文献下载
摘要：本发明属于单像素成像技术领域；目前压缩成像的方法需要对已知的目标场景多次尝试不同的采样率进行成像后，选取合适的采样率，更换场景后采样率不一定仍是最合适的，无法兼顾成像质量和效率；本发明提供一种自适应采样的单像素成像方法，对不同的目标场景进行自适应采样的单像素成像，在具有能量集中和稀疏性的变换域，实时检测成像时变换域上每条频带的离散程度以及离散程度变化的趋势，根据变化趋势确定是否停止采样，减少测量数和内存的占用量，自适应性更强，达到同时兼顾成像时间和成像质量的要求。
一种自适应采样像素成像方法

[发明专利]一种垂直结构TiN增强型4H-SiC基宽谱光电探测器及制备方法-CN202210662844.7在审
发明人：李国辉;胡鲲;潘登;翟爱平;王文艳;田媛;崔艳霞;许并社 -专利权人：太原理工大学;山西浙大新材料与化工研究院
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L31/102 文献下载
摘要：本发明属于半导体光电探测器领域，公开了一种垂直结构TiN增强型4H‑SiC基宽谱光电探测器及制备方法，包括：自上而下依次设置的顶电极层、TiN‑NCCs层、半导体层、Al2O3层和底电极层，所述顶电极层为半透明金属电极，TiN‑NCCs层为TiN纳米凹凸结构，半导体层为4H‑SiC基底，底电极层为不透光金属电极。本发明在4H‑SiC半导体层两侧分别设置顶电极和底电极，形成了垂直结构的光电探测器，而且通过在4H‑SiC半导体层与顶电极层的界面处引入TiN纳米颗粒，增加了器件在宽谱范围内的亮电流，此外，引入0.6nm Al2O3层作为修饰层，可以抑制器件由于引入TiN‑NCCs而导致的暗电流升高，提升了宽光谱探测器的性能。
一种垂直结构 tin 增强 sic 基宽谱光电探测器制备方法

[发明专利]一种PS纳米球辅助的4H-SiC基热载流子型光电探测器及制备方法-CN202210668510.0在审
发明人：崔艳霞;李梦辉;胡鲲;王文艳;潘登;李国辉;翟爱平;许并社 -专利权人：太原理工大学;山西浙大新材料与化工研究院
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L31/102 文献下载
摘要：本发明属于半导体光电探测器领域，具体涉及一种PS纳米球辅助的4H‑SiC基热载流子型光电探测器及其制备方法，探测器包括自上而下依次设置的顶电极层、PS:TiN‑NPs层、半导体层、底电极层，所述顶电极层为半透明金属电极，PS:TiN‑NPs层包括单层排布在半导体层上的PS纳米球阵列和溅射在PS纳米球阵列表面的TiN纳米颗粒层，所述PS纳米球阵列为多个PS纳米球颗粒在半导体层表面呈周期性排布形成，所述半导体层为4H‑SiC基底，底电极层为不透光金属电极。本发明提供了器件在可见‑近红外宽谱范围内的亮电流，提升了探测器的探测性能。
一种 ps 纳米辅助 sic 载流子光电探测器制备方法

[发明专利]相控阵共路干涉单像素探测实现空间波前传感装置与方法-CN202210586682.3在审
发明人：王东;高磊;赵文静;翟爱平 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G01J1/44 文献下载
摘要：本发明属于空间波前测量与单像素成像交叉领域。目前的单像素成像技术实现波前传感存在复杂、稳定性差、损失成像分辨率且降低光利用效率等缺陷，导致复场成像性能不高。本发明提供一种相控阵共路干涉单像素探测实现空间波前传感的装置与方法，利用相控阵的结构特征和纯相位调制特性，并结合单像素探测技术，灵活调节干涉中信号光与参考光的强度比例，实现波前复振幅更高性能的测量。本发明装置简单、稳定性高，成像分辨率显著提高，且具有光能利用效率高、灵活方便、结构简单优点，适合于宽光谱、尤其是阵列探测器昂贵或尚不存在情形下的波前复振幅测量，在定量相位显微成像、自适应光学、透过散射介质成像、量子光场测量等领域具有广阔应用前景。
相控阵干涉像素探测实现空间传感装置方法

[发明专利]基于8-羟基喹啉铝/金属异质结的热电子光电探测器-CN201911073466.3有效
发明人：李国辉;赵成杰;崔艳霞;翟爱平;梁强兵;王文艳;张叶;冀婷;郝玉英 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2019-11-06 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及光电探测器制作领域，一种基于8‑羟基喹啉铝/金属异质结的热电子光电探测器，由阳极层、有机半导体层、银纳米颗粒层、阴极层组成，阳极层为铟锡氧化物ITO，银纳米颗粒层和阴极层构成金属复合电极层，有机半导体层与金属复合电极层构成肖特基结。本发明还涉及基于8‑羟基喹啉铝/金属异质结的热电子光电探测器的制备方法，本发明中设计的光电探测器，在正向偏压的条件下，暗电流保持在几十皮安级别，而亮电流呈现开启状态。
基于羟基喹啉金属异质结电子光电探测器

1
2
下一页»
尾页
共 27 条