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[发明专利]单晶压电薄膜体声波谐振器、滤波器以及电子设备-CN202310810799.X在审
发明人： 杨清瑞;宋学毅;庞慰 -专利权人：天津大学
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本申请涉及半导体器件领域且提供一种单晶压电薄膜体声波谐振器、滤波器以及电子设备，该谐振器包括在第一方向上依次层叠的衬底、声反射层和单晶压电薄膜，该谐振器还包括：位于所述单晶压电薄膜的靠所述声反射层一侧的下叉指电极，所述下叉指电极包括第一叉指电极和第二叉指电极，所述第一叉指电极包括沿第二方向排列的第一指，所述第二叉指电极包括沿所述第二方向排列的第二指，所述第一指与所述第二指在所述第二方向上交替排列；以及位于所述单晶压电薄膜的靠所述声反射层一侧的第一匹配层，所述第一匹配层至少位于相邻的第一指和第二指之间。由此，通过在第一指与第二指之间设置匹配层，从而能够在确保谐振器的电极化率的同时，抑制寄生模式。
压电薄膜声波谐振器滤波器以及电子设备

[发明专利]封装结构及具有其的半导体器件、具有半导体器件的电子设备-CN201811224186.3有效
发明人： 杨清瑞;庞慰;孙崇玲;张孟伦 -专利权人：天津大学;诺思（天津）微系统有限责任公司
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件用封装结构，包括粘附层；和至少两个间隔开设置的密封条，其中：所述密封条朝向所述粘附层凸出且适于与所述粘附层抵接。相邻密封条之间可以设置连接梁。本发明还涉及具有该封装结构的半导体器件，该半导体器件包括上述的封装结构；第一基底；第二基底，与第一基底相对布置，其中：所述封装结构设置在所述第一基底与所述第二基底之间，第一基底、第二基底与封装结构围合成容纳空间。本发明还涉及一种具有上述半导体器件的电子设备。
封装结构具有半导体器件电子设备

[发明专利]具有空腔支撑结构的体声波谐振器、滤波器和电子设备-CN201910751463.4有效
发明人：张孟伦;庞慰;杨清瑞;张全德;徐利军 -专利权人：天津大学;诺思（天津）微系统有限责任公司
申请日： 2019-08-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明涉及体声波谐振器，包括：基底；声学镜空腔；底电极；顶电极；压电层，其中：声学镜空腔、底电极、压电层、顶电极在基底的厚度方向重叠的区域为谐振器的有效区域；且所述声学镜空腔内设置有支撑结构，所述支撑结构的下端设置于声学镜空腔的底部，所述支撑结构的上端在所述有效区域的高温区域与所述有效区域的下侧连接或接触，所述高温区域是指以有效区域的质心为圆心、r为半径的区域，所述半径r为高温区域所在有效区域的等效圆的半径的50％，所述等效圆为：以该有效区域的质心为圆心且圆的面积等于有效区域的面积的圆。本发明还涉及滤波器与电子设备。
具有空腔支撑结构声波谐振器滤波器电子设备

[发明专利]体声波谐振器、滤波器和电子设备-CN201910882208.3有效
发明人： 杨清瑞;庞慰;张孟伦 -专利权人：天津大学;诺思（天津）微系统有限责任公司
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：本发明涉及体声波谐振器，包括：基底；声学镜；底电极；顶电极；压电层，声学镜、底电极、压电层、顶电极在基底的厚度方向重叠的区域为谐振器的有效区域；与顶电极同层布置的附加结构，所述附加结构与顶电极在径向方向上具有将两者间隔开的间隙；和沿所述有效区域的边缘布置的插入层，所述插入层包括在谐振器的厚度方向上设置于所述附加结构的下方的第一插入部，且在所述谐振器的俯视图中，所述第一插入部与所述附加结构重叠，所述第一插入部由空气或介质材料形成。本发明还涉及滤波器与电子设备。
声波谐振器滤波器电子设备

[发明专利]具有粗糙面的体声波谐振器、滤波器和电子设备-CN201811355038.5有效
发明人：张孟伦;庞慰;刘伯华;杨清瑞 -专利权人：天津大学;诺思（天津）微系统有限责任公司
申请日： 2018-11-14 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种体声波谐振器，包括：基底；声学镜；底电极，设置在基底上方；顶电极，与所述底电极对置；和压电层，设置在底电极上方以及底电极与顶电极之间，其中：声学镜、底电极、压电层、顶电极在基底的厚度方向重叠的区域为谐振器的有效区域；所述谐振器邻近所述有效区域的边界且在边界之外设置有空气隙；所述空气隙对应的表面中的至少一个表面为粗糙面，该粗糙面的粗糙度大于该粗糙面所在部件的该粗糙面周围部分表面的粗糙度。本发明还涉及一种具有上述谐振器的滤波器，一种具有该滤波器的电子设备。
具有粗糙声波谐振器滤波器电子设备

[发明专利]带吸热与散热结构的体声波谐振器、滤波器和电子设备-CN201910736085.2有效
发明人：庞慰;杨清瑞;张孟伦 -专利权人：天津大学;诺思（天津）微系统有限责任公司
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明涉及体声波谐振器，包括基底，具有第一侧面和第二侧面；声学镜，所述声学镜为设置于基底的第一侧面的空腔结构；底电极；顶电极；压电层；吸热结构，设置于空腔结构底部；和散热结构，所述散热结构具有设置于所述基底中的传热路径，以及设置于基底的第二侧面的散热部件，其中：声学镜、底电极、压电层、顶电极在基底的厚度方向重叠的区域为谐振器的有效区域；所述吸热结构设置在声学镜中，且与所述底电极在谐振器的厚度方向上间隔开；且所述传热路径适于将来自吸热结构的热量传导到所述散热部件。本发明还涉及滤波器与电子设备。
吸热散热结构声波谐振器滤波器电子设备

[发明专利]体声波谐振器及其制造方法、滤波器及电子设备-CN201911197893.2有效
发明人：庞慰;杨清瑞;张孟伦 -专利权人：天津大学;诺思（天津）微系统有限责任公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明公开了一种体声波谐振器，包括：基底；声学镜；底电极，具有底电极引脚；顶电极，具有顶电极引脚；压电层，设置在底电极与顶电极之间，其中：由底电极、顶电极与压电层组成的三明治结构与基底上表面之间存在第一间隙，使得谐振器的主体谐振结构与基底无接触。谐振器还可包括保护结构层，具有第一部分与第二部分，第一部分连接到基底的上表面，第二部分的外端与第一部分的内端连接，第二部分沿着压电层延伸到压电层上方且第二部分的至少一部分与压电层在厚度方向上形成第二间隙，且第二部分在横向方向上与顶电极间隔开。本发明还公开了一种体声波谐振器的制造方法，一种具有上述谐振器的滤波器以及具有该滤波器或谐振器的电子设备。
声波谐振器及其制造方法滤波器电子设备

[发明专利]封装结构及其制造方法、半导体器件、电子设备-CN201811355048.9有效
发明人： 杨清瑞;庞慰;孙晨;张孟伦 -专利权人：天津大学;诺思（天津）微系统有限责任公司
申请日： 2018-11-14 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件用封装结构及其制造方法。所述半导体器件包括对置的第一晶圆与第二晶圆，所述封装结构包括：适于设置在第一晶圆上的第一键合层，第一键合层具有第一键合区；适于设置在第二晶圆上的第二键合层，第二键合层具有第二键合区，所述第一键合区与所述第二键合区适于彼此键合以形成密封；以及防脱辅助结构，所述防脱辅助结构设置到第一晶圆和/或第二晶圆，所述防脱辅助结构与键合区所在的晶圆表面的边缘相接，且所述防脱辅助结构至少一部分的表面粗糙度的取值范围为10‑80nm，对应的键合层延伸覆盖所述防脱辅助结构。本发明还涉及一种具有上述半导体器件的电子设备。
封装结构及其制造方法半导体器件电子设备

[发明专利]提高抗静电击穿能力的谐振器及滤波器和电子设备-CN201811551326.8有效
发明人： 杨清瑞;庞慰;张孟伦 -专利权人：天津大学;诺思（天津）微系统有限责任公司
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H03H9/54 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜体声波谐振器，包括：基底，设置有构成声学镜的空腔；和由顶电极、压电层和底电极构成的三明治结构，其中：声学镜、底电极、压电层、顶电极在基底的厚度方向重叠的区域为谐振器的有效区域；所述压电层在所述有效区域之外具有穿过压电层的释放孔；所述基底还设置有与所述空腔相通的释放通道，所述释放孔在所述基底的厚度方向上位于对应释放通道上方而与对应释放通道相通；且所述释放孔沿释放通道到底电极的延伸距离不小于6μm。本发明也涉及一种具有该谐振器的滤波器以及具有该滤波器的电子设备。
提高抗静电击穿能力谐振器滤波器电子设备

[发明专利]一种薄膜体声波谐振器-CN201811603844.X有效
发明人：张孟伦;庞慰;杨清瑞 -专利权人：天津大学;诺思（天津）微系统有限责任公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明涉及通信领域，提供一种薄膜体声波谐振器，包括位置关系依次相连的顶电极、压电层、底电极、声反射结构、基底以及厚度大于预设值的温度补偿层；其中，所述温度补偿层还用于调节所述薄膜体声波谐振器的面积。本发明与现有技术相比，使得薄膜体声波谐振器在具有较高机电耦合系数的同时，能够使其温度频率漂移系数保持不变，并且还可以使得薄膜体声波谐振器的面积增大。
一种薄膜声波谐振器

[发明专利]包括环形凸起梁檐结构的声学谐振器、滤波器和电子设备-CN201811616631.0有效
发明人： 杨清瑞;庞慰;张孟伦 -专利权人：天津大学;诺思（天津）微系统有限责任公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H03H9/00 文献下载
摘要：本发明涉及通信领域，提供一种包括环形凸起梁檐结构的声学谐振器、滤波器和电子设备，该谐振器包括位置关系依次相连的顶电极、压电层、底电极、声反射结构以及基底；顶电极的边缘具有檐部结构且檐部结构位于声学谐振器的有效区域内，檐部结构与压电层之间具有空气隙；顶电极的边缘还具有梁部结构且梁部结构的其中一部分位于声学谐振器的有效区域内，梁部结构与压电层之间具有空气隙；檐部结构对应的位置具有第一凸起结构，梁部结构对应的位置具有第二凸起结构。本发明与现有技术相比，能够有效的提高声学谐振器的品质因数或并联阻抗。
包括环形凸起结构声学谐振器滤波器电子设备

[发明专利]单晶压电薄膜体声波谐振器及其形成方法-CN201811603819.1有效
发明人：庞慰;孙崇玲;杨清瑞;张孟伦 -专利权人：天津大学;诺思（天津）微系统有限责任公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶压电薄膜体声波谐振器及其形成方法。该形成方法包括：在供体基底之上形成压电结构和底电极，其中底电极在压电结构之上；在转移基底的顶表面形成空腔；将压电结构和底电极脱离供体基底并且倒置转移到转移基底之上，并且其中，倒置转移完毕后底电极在转移基底之上并且覆盖空腔，压电结构在底电极之上；在压电结构之上形成顶电极。该方法简便易行，该谐振器性能良好。
压电薄膜声波谐振器及其形成方法

[发明专利]封装结构、半导体器件、电子设备-CN201811355758.1有效
发明人： 杨清瑞;庞慰;孙晨;张孟伦 -专利权人：天津大学;诺思（天津）微系统有限责任公司
申请日： 2018-11-14 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H03H9/54 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件用封装结构，所述半导体器件包括对置的第一基底与第二基底，所述封装结构包括：垫圈结构，所述垫圈结构自第二基底朝向第一基底凸出；和粘附层，设置在垫圈结构与第一基底相对的端面和/或设置在第一基底上与垫圈结构相对的表面，其中：所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面形状为：所述截面的宽度在垫圈结构的凸出方向上变小。本发明还涉及一种具有上述封装结构的半导体器件以及一种具有上述半导体器件的电子设备。
封装结构半导体器件电子设备

[发明专利]基于元素掺杂缩小有效面积的谐振器、滤波器和电子设备-CN201811551324.9有效
发明人：张孟伦;庞慰;杨清瑞 -专利权人：天津大学;诺思（天津）微系统有限责任公司
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H03H9/54 文献下载
摘要：本发明涉及一种减小谐振器的面积的方法，所述谐振器的阻抗值预定且所述谐振器具有由底电极、压电层和顶电极构成的三明治结构，所述方法包括步骤：在所述压电层中掺杂元素，以减小所述有效区域的面积。本发明还涉及一种具有预定阻抗值的谐振器，包括由底电极、压电层和顶电极构成的三明治结构，其中：在所述压电层中掺杂有元素；且所述谐振器的面积不大于参照谐振器的面积的80％，所述参照谐振器为与所述谐振器结构相同、具有所述预定阻抗值且压电层未掺杂元素的谐振器。本发明也涉及一种滤波器以及具有该滤波器的电子设备。
基于元素掺杂缩小有效面积谐振器滤波器电子设备

[发明专利]横向电场激励谐振器-CN202310328859.4在审
发明人：庞慰;宋学毅;杨清瑞;张孟伦 -专利权人：天津大学
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H03H9/24 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种横向电场激励谐振器。该横向电场激励谐振器包括：衬底105；单晶压电薄膜101，其被支撑于所述衬底105表面；电极层102，其设置于所述单晶压电薄膜101的至少一个表面，所述电极层102包括至少两组指电极102a，在第一方向x上，所述至少两组指电极102a交叉设置，各组指电极102a分别与对应的总线102b连接；第二介质层103，其设置于所述单晶压电薄膜101的至少一个表面；以及负载结构M1/D1，其设置于所述第二介质层103表面。本申请能够灵活地调节谐振器的振动频率。
横向电场激励谐振器

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