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[发明专利]一种复合透明导电薄膜-CN201210326857.3有效
发明人：徐苗;徐华;赵铭杰;王琅;兰林锋;彭俊彪 -专利权人：广州新视界光电科技有限公司
申请日： 2012-09-06 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合透明导电薄膜，其包括相互叠加的两层或两层以上的透明薄膜，相邻的两层透明薄膜之间设有一层插入层；所述的透明薄膜为ITO薄膜、AZO薄膜、IZO薄膜中的一种。本发明采用ITO/插入层/ITO的多层复合结构有效地抑制了ITO薄膜随着厚度的增加而呈结晶态，进而得到可使用弱酸对其刻蚀图案化的复合透明导电薄膜；通过增加ITO/插入层……插入层/ITO这样的多层结构的层数，能够有效的降低透明导电薄膜的方块电阻；作为插入层的氧化物薄膜通常对于可见光部分具有良好的透过率，因此，使用该结构并不会影响透明导电薄膜的透过率特性。
一种复合透明导电薄膜

[发明专利]一种提高多层膜结构自旋轨道矩翻转效率的方法及多层膜结构、磁隧道结与磁随机存储器-CN202110985984.3在审
发明人：聂天晓;王海宇;殷加亮 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：上述方法是在多层膜结构的铁磁层和氧化物层之间设置第一金属插入层，增强界面自旋轨道耦合强度。本发明还提供了一种多层膜结构，包括非铁磁层、铁磁层、第一金属插入层和氧化物层。本发明还提供了一种磁隧道结，包括非铁磁层、第一铁磁层、第一金属插入层、势垒层、第二铁磁层；或者非铁磁层、第二金属层、第一铁磁层、第一金属插入层、势垒层、第二铁磁层。本发明通过插入超薄金属的方式，利用氧化工程效应改变非铁磁层和铁磁层的界面，以增强界面自旋轨道耦合效应，提高翻转效率。
一种提高多层膜结构自旋轨道翻转效率方法隧道随机存储器

[实用新型]一种半导体发光元件-CN201922185521.X有效
发明人：刘士伟;王庆;郑高林;林素慧;彭康伟;何安和;洪灵愿 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：一种半导体发光元件，包括：第一导电型半导体层、第二半导体层以及第一导电型半导体层和第二半导体层之间的发光层；第一电极，形成在第一导电型半导体层上，包括打线电极以及扩展条，其中打线电极包括反射层、阻挡层和打线层，扩展条包括反射层和阻挡层，反射层用于反射来自发光层的光，阻挡层用于阻挡反射层的扩散，打线层用于外部打线连接；其中所述的打线电极包括应力缓冲层插入阻挡层中或者插入反射层与阻挡层之间，用于缓冲阻挡层的应力；所述的扩展电极无应力缓冲层插入阻挡层中或者插入反射层与阻挡层之间。
一种半导体发光元件

[发明专利]具有梯形结构的N型插入层的LED外延片及其生长方法-CN201310099202.1有效
发明人：李刚;郭丽彬;蒋利民 -专利权人：合肥彩虹蓝光科技有限公司
申请日： 2013-03-26 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有梯形结构的N型插入层的LED外延片及其生长方法。所述外延片的结构自下而上依次为衬底、低温GaN缓冲层、GaN非掺杂层、第一N型GaN层、N型AlGaN插入层、第二N型GaN层、多量子阱层、低温P型GaN层、P型AlGaN层、高温P型GaN层和P型接触层；所述N型AlGaN插入层为梯形结构。具体为，在第一N型GaN层上生长由N型AlGaN层a、b和c组成的N型AlGaN插入层，所述N型AlGaN层a、b、c中Ga的摩尔组分含量保持不变，Al的摩尔组分含量依次为逐渐升高、保持不变、逐渐降低。本发明通过在N型GaN层中插入梯形结构的N型AlGaN层，一方面有效降低量子阱区域的位错密度，另一方面减少因N型AlGaN层的引入而对电子纵向迁移的影响，从而提高氮化镓基LED的发光效率。
具有梯形结构插入 led 外延及其生长方法

[发明专利]隧穿磁阻器件和隧穿磁阻读头-CN201610283732.5有效
发明人： Z.高;S.吴 -专利权人： HGST荷兰公司
申请日： 2016-04-29 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：隧穿磁阻(TMR)器件具有薄的MgO隧穿势垒层和自由铁磁多层。自由铁磁多层包括CoFeB第一铁磁层、具有负磁致伸缩的面心立方(fcc)NiFe补偿层、以及在CoFeB层和fcc NiFe补偿层之间的体心立方(bcc)NiFe插入层。可选的铁磁纳米层可以位于MgO势垒层和CoFeB层之间。可选的非晶分隔层可以位于CoFeB层和bcc NiFe插入层之间。bcc NiFe插入层(以及可选的非晶分隔层，如果使用的话)防止fcc NiFe层在退火期间不利地影响MgO层和CoFeB层的晶体形成。bcc NiFe插入层还增大TMR并降低自由铁磁多层的Gilbert阻尼常数。
磁阻器件

[发明专利]一种基于AlGaN的深紫外LED发光器-CN201910334428.2有效
发明人：谷怀民;李继航;石恒志;袁瑞 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明涉及光电二极管领域，提供一种基于AlGaN的深紫外LED发光器，从下至上依次包括衬底、N型层、N型插入层、量子阱有源区、电子阻挡层、P型层，还包括从N型层引出的n型欧姆电极以及从P型层引出的p型欧姆电极与现有技术相比，由于在N型层和多量子阱区之间插入了这种N型插入层，这种结构主要可以储蓄电子起到促进电子注入有源区的作用，其次在该插入层区域，价带的对空穴的阻挡势垒高度有所提升，可以对空穴注入N型层有较好的抑制作用该插入层对有源区中的载流子有着较好的限制作用，进而促进电子空穴发生辐射复合，提升辐射复合效率，最终深紫外LED的光输出功率和内量子效率都有了明显提升。
一种基于 algan 深紫 led 发光

[发明专利]仪表板的部分发泡部结合结构-CN200510008830.X无效
发明人：李钟吉;周尚律 -专利权人：德洋产业株式会社
申请日： 2005-02-23 - 公布日： 2005-09-07 - 主分类号： B29C44/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种仪表板的部分发泡部结合结构，该结构在中心层与外壳层之间形成聚氨酯泡沫，以便将中心层与外壳层结合为一体。将中心层和外壳层安装在发泡模具上，在封闭模具的同时，通过形成在中心层上的外壳插入部，使之易于插入外壳层。而且，该插入的外壳层的端部在外部插入部的内侧被弹性支撑或其端部通过外壳插入部的狭窄槽导入，将中心层与外壳层的结合结构形成不泄漏发泡液的复合密封结构，在切断发泡液泄漏的同时，使之易于进行利用发泡模具的聚氨酯发泡作业
仪表板部分发泡结合结构

[发明专利]发光器件及其制备方法、显示基板和显示装置-CN202210174355.7在审
发明人：袁德 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：所述发光器件包括：位于衬底基板上，且依次层叠的第一电极、空穴传输层、发光层、插入层、空穴阻挡层、电子传输层和第二电极；其中，插入层的材料的LUMO能级比空穴阻挡层的材料的LUMO能级低，以使所述插入层在所述发光器件的电流密度小于预设电流密度时
发光器件及其制备方法显示显示装置

[发明专利]一种硅基LED外延结构及其制备方法和应用-CN202110915336.0在审
发明人：李国强 -专利权人：广州市众拓光电科技有限公司
申请日： 2021-08-10 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：所述硅基外延结构从下至上包括硅基衬底、第一缓冲层、AlGaN1插入层、第二缓冲层、AlGaN2插入层、非故意掺杂层、N型层、量子阱发光层、P型电子阻挡层和P型AlGaN层。本发明通过设置AlGaN1插入层和AlGaN2插入层，避免了硅基衬底和GaN之间的晶格失配以及热形变差产生的应力会使LED外延片发生翘曲现象，控制了硅基外延结构的翘曲，从而提高了波长良品率。
一种 led 外延结构及其制备方法应用

[实用新型]一种隔热保温墙体-CN202320721339.5有效
发明人：黄兵;黄海;黄文瑛;薛向阳 -专利权人：南通鼎仑建设工程有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： E04B2/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种隔热保温墙体，包括墙基底，所述墙基底一侧固定安装有保温层，所述保温层一侧固定连接有隔热层，所述隔热层一侧固定连接有防水板，所述保温层、隔热层、防水板之间贯穿连接有连接杆，所述连接杆一端固定连接有插入部，所述插入部插入墙基底内部。本实用新型，设置了墙基底、保温层、隔热层、防水板、连接杆、插入部、定位部、隔板，插入部打入墙基底内部以实现连接杆的固定，定位部分别抵住墙基底、保温层、隔热层、防水板，隔板穿过连接杆与定位部固定连接，隔板对保温层、隔热层、防水板进行限位固定，即使长时间在室外风吹雨淋，隔板对保温层、隔热层、防水板的限定依旧稳定，进而隔热保温墙体效用稳定。
一种隔热保温墙体

[发明专利]DIMM插入电子凸轮插入轮廓-CN202011030714.9在审
发明人：约瑟夫·赖兴巴赫;杰弗里·肯德尔 -专利权人：谷歌有限责任公司
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： G06F1/18 文献下载
摘要：本公开涉及DIMM插入电子凸轮插入轮廓。该技术涉及一种用于将内存模块插入到电路板上的内存插槽中的内存插入机。该内存插入机可以包括：插入控制器和可移动地安装到一个或多个垂直引导件的一个或多个插入杆。该插入控制器可以被配置成通过控制所述一个或多个插入杆在所述一个或多个垂直引导件上的移动来向内存插槽中的内存模块施加插入力。随着插入杆朝向内存插槽移动，所述一个或多个插入杆的移动可以具有逐渐下降的减速度。
dimm 插入电子凸轮轮廓

[发明专利]插入夹具和插入方法-CN201410424833.0有效
发明人：糟谷昌史;盛和裕 -专利权人：矢崎总业株式会社
申请日： 2014-08-26 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： H02G1/08 文献下载
摘要：提供一种插入夹具和插入方法，该插入夹具和插入方法能够将电线和编织部一起穿过外套构件而插入。插入夹具(11)包括电线保持部(21)，该电线保持部要装接至电线(12)的端部；以及引导部(31)，该引导部(31)用于将编织部(15)保持在电线保持部(21)与引导部(31)之间。电线保持部(21)和引导部(31)插入到波纹管(14)内以使电线(12)和编织部(15)穿过波纹管(14)而插入。
插入夹具方法

[发明专利]插入方法和插入装置-CN201410479779.X有效
发明人：大野健一;松本丰;川野真一;植野大辅 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2014-09-18 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H02K15/085 文献下载
摘要：本发明提供一种插入方法和插入装置，能够将排列成圆环状的多个导电体分别高效且可靠地插入到定子铁芯的各槽隙中。其是将大致U字形状的线圈构件(40)插入到呈圆环状排列在定子铁芯(60)上的槽隙(61)中的插入方法，该线圈构件(40)由设置于大致顶点部分的转向部(42)、和设置在转向部(42)的两端的直线状的腿部(41)构成，该插入方法包括：使多个线圈构件(40)在转向部(42)互相错开地重叠的状态下呈圆环状集合而形成集合体(50)的线圈构件排列工序(S3)；利用转向部(42)支承集合体(50)的支承工序(S42)；以及使集合体(50)和定子铁芯(60)接近以将集合体(50)的各线圈构件(40)的腿部(41)插入槽隙(61)的插入工序(S45)。
线圈构件集合体转向部定子铁芯插入装置呈圆环状槽隙腿部支承插入工序成圆环状互相错开插入槽导电体直线状集合

[发明专利]插入作业精确插入治具-CN201310238334.8有效
发明人：李文 -专利权人：昆山杰迪克电子有限公司
申请日： 2013-06-17 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： H01R43/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种插入作业精确插入治具，它包括底座和盖板，所述底座左右两侧设有水平滑槽，所述水平滑槽内装有接插头孔距调整螺丝，所述盖板安装于所述底座上，所述盖板包括侧板，所述侧板设于所述盖板左右两侧，所述侧板穿设有所述接插头孔距调整螺丝本发明结构简单，实用性强，可以精确的进行插入作业，从而避免了不良件的产生，同时由于可以准确的定位，提高了生产效率，降低作业员工作强度。
插入作业精确

[实用新型]插入作业精确插入治具-CN201320343960.9有效
发明人：李文 -专利权人：昆山杰迪克电子有限公司
申请日： 2013-06-17 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01R43/26 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种插入作业精确插入治具，它包括底座和盖板，所述底座左右两侧设有水平滑槽，所述水平滑槽内装有接插头孔距调整螺丝，所述盖板安装于所述底座上，所述盖板包括侧板，所述侧板设于所述盖板左右两侧，本实用新型结构简单，实用性强，可以精确的进行插入作业，从而避免了不良件的产生，同时由于可以准确的定位，提高了生产效率，降低作业员工作强度。
插入作业精确

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