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[发明专利]一种发光二极管外延片的生长方法-CN201611118511.9有效
发明人：姚振;从颖;胡加辉 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：所述生长方法包括：在衬底上依次生长低温缓冲层、高温缓冲层、N型GaN层、N型插入层、有源层、电子阻挡层、P型GaN层；N型GaN层的生长温度＞N型插入层的生长温度＞有源层的生长温度；N型插入层包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层；第一子层为两种N型掺杂剂的掺杂浓度不同的GaN层交替层叠形成的超晶格结构，其N型掺杂剂的掺杂浓度小于N型GaN层中N型掺杂剂的掺杂浓度；第二子层为AlGaN层或者至少三层AlGaN层和至少三层GaN层交替层叠形成的超晶格结构；第三子层为InGaN层。本发明的N型插入层起到缓冲作用，有利于有源层生长。
一种发光二极管外延生长方法

[发明专利]GaN基绿光发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202311117820.4在审
发明人：张彩霞;印从飞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-09-01 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基绿光发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，所述GaN基绿光发光二极管外延片包括衬底，及依次层叠在所述衬底上的形核层、本征GaN层、N型GaN层、第一多量子阱层、第一插入层、第二多量子阱层、第二插入层、第三多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；所述第一插入层包括依次层叠的第一WSe2层、P型InGaN层和第二WSe2层；所述第二插入层包括依次层叠的第三WSe2层、P型BGaN层和第四WSe2层。
gan 基绿光发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]电池组-CN201110237978.6有效
发明人：柳在旭;洪镇泰 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2011-08-18 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01M2/30 文献下载
摘要：一种电池组包括：电池单元；保护电路模块，其中所述保护电路模块包括插入孔；用于将所述电池单元与所述保护电路模块联接的端子接线片，其中所述端子接线片的一部分被配置为插入所述保护电路模块的所述插入孔中；以及绝缘层，该绝缘层形成在所述端子接线片的表面上，从而所述绝缘层的一部分被插入所述插入孔中。
电池组

[实用新型]一种发光二极管外延片及发光二极管-CN202221194348.5有效
发明人：张彩霞;程金连;印从飞;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种发光二极管外延片及发光二极管，外延片包括：多量子阱层；生长于多量子阱层之上的插入层，插入层包括依次生长在多量子阱层上的第一子层、第二子层和第三子层，第一子层为InAlGaN层，第二子层为AlN层和MgN层交替层叠组成的周期性复合结构层，第三子层为P型InGaN层和AlGaN层交替层叠组成的周期性复合层；以及外延生长于插入层的第三子层之上的电子阻挡层。本实用新型通过在多量子阱层和电子阻挡层之间增加插入层，有效的增加了量子阱与电子阻挡层的晶格和能阶匹配，增加了空穴的注入和扩展，同时有部分电子阻挡层的作用，增加了载流子的复合效率，提升了发光二极管的发光效率
一种发光二极管外延

[发明专利]一种可以目测插入深度的水泥浇筑层探测针-CN202011280437.7在审
发明人：许雪峰 -专利权人：湖北春环建筑工程有限公司
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G01B5/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种可以目测插入深度的水泥浇筑层探测针，其包括针体，该针体的下端设置有针尖，还包括管状的针柄和滑动套设在针体外的阻尼盘；所述针柄的上端设置有颜料囊，针柄的外侧壁固定设置有连接块，连接块上安装有用于取样的托盘本发明中能够直接实现水泥层的厚度探测，同时能够实现标记。
一种可以目测插入深度水泥浇筑探测

[发明专利]石墨烯作为插入层的GaN/AlGaN异质结构及其制备方法-CN202110039389.0在审
发明人：刘志强;冯涛;梁萌;伊晓燕;张硕;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种石墨烯作为插入层的GaN/AlGaN异质结构及其制备方法，该GaN/AlGaN异质结构包括：衬底，氮化镓层设置在衬底上，石墨烯插入层，设置在氮化镓层上；势垒层，设置在石墨烯插入层上；帽层，设置在势垒层上
石墨作为插入 gan algan 结构及其制备方法

[发明专利]一种设有光学偏振插入层的半导体激光元件-CN202310246043.7在审
发明人：阚宏柱;李水清;请求不公布姓名;王星河;胡志勇;陈婉君;张江勇;蒙磊;季徐芳;陈三喜;刘紫涵;蔡鑫 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种设有光学偏振插入层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，有源层与上波层之间和有源层与下波导层之间设有光学偏振插入层，相比于现有技术，有源层与上波层之间和有源层与下波导层之间设有光学偏振插入层，可实现快速电荷转移，控制有源层发出激光的相位和偏振，实现精准的光学偏振调控，降低光场耗散，抑制光场模式泄漏，同时，改善光学灾变损伤
一种设有光学偏振插入半导体激光元件

[发明专利]具有插入层的体声波谐振器及滤波器-CN202310208461.7在审
发明人：高安明;姜伟 -专利权人：浙江星曜半导体有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有插入层的体声波谐振器及滤波器，涉及滤波器结构设计技术领域，包括衬底、声学镜、底电极、压电层、插入层以及顶电极，所述声学镜设置在衬底内或衬底上方，所述底电极设置在声学镜上方以及衬底上方，所述压电层设置在底电极上方以及衬底上方，所述插入层设置在压电层上方，所述顶电极设置在压电层上方以及插入层上方，所述顶电极或底电极上设置有连接部；所述顶电极、压电层、底电极以及声学镜四者投影重合的区域形成第一有效区域
具有插入声波谐振器滤波器

[发明专利]包括石墨烯层插入结构的硬掩模膜及其制造方法-CN202211334930.1在审
发明人：安星柱;吴世兰;金延昱 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种用于在半导体器件的制造工艺中使用的硬掩模膜，包括：第一石墨烯层；第一非晶碳层，形成在第一石墨烯层上；第二石墨烯层，形成在第一非晶碳层上；以及第二非晶碳层，形成在第二石墨烯层上。
包括石墨插入结构硬掩模膜及其制造方法

[发明专利]一种具有高电容插入层的半导体激光元件-CN202310378754.X在审
发明人：李水清;请求不公布姓名;王星河;陈婉君;黄军;蔡鑫;张江勇;胡志勇 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明涉及半导体光电器件的技术领域，具体涉及一种具有高电容插入层的半导体激光元件，结构上从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，上波导层与电子阻挡层之间和/或下波导层与下限制层之间具有至少一层高电容插入层；所述高电容插入层Nb2CTx、Ti3C22S4、CdIn2S4一种或任意组合构成；高电容插入层具有超高电容
一种具有电容插入半导体激光元件

[发明专利]基于石墨烯插入层结构的GaN基LED器件制备方法-CN201810689886.3有效
发明人：宁静;张弛;王东;张进成;沈雪;陈智斌;马佩军;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于石墨烯插入层结构的GaN基LED器件制备方法。在蓝宝石衬底上磁控溅射氮化铝薄膜得到基板；在金属衬底上生长石墨烯，将石墨烯转移到基板上，得到覆盖石墨烯的基板，并对其进行热处理；在热处理后的覆盖石墨烯基板上生长N型GaN，得到N型GaN基板；在N型GaN基板上生长多量子阱层；在多量子阱层上生长P型GaN层；在P型氮化镓上旋涂得到透明导电层；对P型GaN层、多量子阱层、N型GaN层进行干法刻蚀；生长SiO2保护层；干法刻蚀出电极区并生长电极本发明提高了石墨烯插入层和GaN外延层的质量，从而提升了LED的发光效率，可用于制作GaN基半导体器件。
基于石墨插入结构 gan led 器件制备方法

[发明专利]一种基于InGaN插入层实现GaN器件隔离的方法-CN201810771532.3有效
发明人：孙辉;胡腾飞;刘美华;林信南;陈东敏 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2018-07-13 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于InGaN插入层实现GaN器件隔离的方法，该方法包括：准备GaN外延片，GaN外延片的GaN沟道层和AlGaN势垒层之间形成二维电子气，在GaN外延片的隔离区之间设置InGaN插入层，InGaN插入层设置在AlGaN层外，InGaN插入层与AlGaN势垒层的异质结中诱导出极化负电荷，极化负电荷耗尽二维电子气中的电子以实现不同器件区的隔离。
一种基于 ingan 插入实现 gan 器件隔离方法

[发明专利]一种利用Al插入层外延生长NiSiGe材料的方法-CN201010532645.1无效
发明人：张苗;张波;薛忠营;王曦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2010-11-04 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用Al插入层外延生长NiSiGe材料的方法，该方法包括在SiGe层表面淀积一层Al薄膜，并在Al薄膜上淀积出一Ni层，然后进行退火工艺，使Ni层与SiGe层的SiGe材料进行反应，生成因为Al插入层的阻挡作用，NiSiGe层具有单晶结构，和SiGe衬底的界面很平整，可以达到0.3nm，可以大幅度提高界面的性质。
一种利用 al 插入外延生长 nisige 材料方法

[发明专利]用以改善磁隧道结元件短路的不连续镁插入层-CN201480008660.2有效
发明人：森山贵広;王郁仁;童儒颖 -专利权人：海德威科技公司
申请日： 2014-01-06 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有不连续镁或镁合金层的磁隧道结元件，其厚度为1～3埃并于下自旋阀配置中设置于自由层以及覆盖层之间，不连续镁层可用以阻挡于覆盖层的导体材料，由自由层扩散进入穿隧阻障层，来避免导体信道的型态的发生，进而避免穿隧阻障层的绝缘阵列产生短路；如此一来，磁阻率对应阻抗图式中的下尾部的百分比可最小化，尤其是经过高温退火过程，更能使磁隧道结阵列中的磁隧道结元件的效能大幅提高；从而不连续层可通过低功率物理气相沉积来形成
用以改善隧道元件短路连续插入

[实用新型]一种保暖鞋-CN201822057093.8有效
发明人：郑赟 -专利权人：温州市潮流实业有限公司
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： A43B7/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种保暖鞋，涉及一种鞋子，其技术方案要点包括有鞋底和鞋面，所述鞋底的侧边上开有呈闭合环形的凹槽，所述鞋底上套设有覆盖鞋面前部分的第一保暖层以及覆盖鞋面后部分的第二保暖层，所述第一保暖层下端设有插入至凹槽的第一插入块，所述第二保暖层下端设有插入至凹槽内第二插入块，所述第一插入块上设有公魔术贴，所述第二插入块上设有与公魔术贴配合的母魔术贴，本实用新型可调节鞋子的保温程度，适用于不同季节，提高实用性和舒适性。
保暖层本实用新型公魔术贴保暖鞋下端鞋面技术方案要点闭合环形母魔术贴可调节舒适性覆盖上套保温配合