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[发明专利]纵向沟槽MOS器件的制备方法-CN201010027318.0无效
发明人：金勤海;沈今楷 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-01-20 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种纵向沟槽MOS器件的制备方法，其为在纵向沟槽MOS器件的沟槽形成之后，进行氮离子注入将氮离子注入到沟槽上部的侧壁；而在纵向沟槽MOS器件的接触孔刻蚀之后，进行离子注入工艺在接触孔下方形成接触孔注入区，接触孔注入区从体区延伸至漂移区内，接触孔注入区的导电类型与体区的导电类型相同。采用本发明的方法能提高所制备的纵向沟槽MOS器件的击穿电压。
纵向沟槽 mos 器件制备方法

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN202180005621.7在审
发明人：原田祐一;野口晴司;小宫山典宏;伊仓巧裕;樱井洋辅 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，其具备：第一导电型的漂移区，其设置于半导体基板；第二导电型的基区，其设置于漂移区的上方；第一导电型的发射区，其设置于基区的上方；多个沟槽部，其在半导体基板的正面侧沿预先确定的排列方向排列；沟槽接触部，其在多个沟槽部中的相邻的两个沟槽部之间，设置于半导体基板的正面侧；以及第二导电型的接触层，其设置于沟槽接触部的下方，且掺杂浓度比基区的掺杂浓度高，沟槽接触部的下端比发射区的下端深，在沟槽接触部的侧壁，发射区与接触层接触。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201910832446.3在审
发明人：石逸群;叶顺闵 -专利权人：聚力成半导体(重庆)有限公司
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：自基底的第二侧形成一漏极沟槽以及一接触沟槽。漏极沟槽自基底的第二侧朝向第一侧延伸而贯穿基底，接触沟槽自基底的第二侧朝向第一侧延伸而贯穿基底，且漏极沟槽与接触沟槽由同一制造工艺一并形成。在漏极沟槽中形成一漏极。在接触沟槽中形成一背部接触结构。
半导体装置制造方法

[发明专利]具有自对准节接触孔的半导体器件及其制造方法-CN03143823.7有效
发明人：金志永;朴济民 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2003-07-25 - 公布日： 2004-02-11 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：多个用于定义有源区的沟槽形成在半导体衬底上，用多个沟槽掩模。间隙填充绝缘层形成在最终结构上以便填充沟槽和沟槽掩模定义的间隙区。接下来，沟槽掩模和间隙填充绝缘层被构图来形成用于定义狭缝开口的沟槽掩模图形和间隙填充绝缘图形，它延伸跨过并且露出有源区。栅图形形成在狭缝开口中，并且沟槽掩模图形被除去以形成露出有源区的接触开口。接下来，接触栓塞被形成以填充接触开口。这里，接触开口是自对准地采用在沟槽掩模和间隙填充绝缘层之间的蚀刻选择性形成的。最终的接触开口是长方体形状的空口。
具有对准接触半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种半导体结构的制备方法-CN201811379697.2有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构的制备方法，包括步骤：提供器件结构，所述器件结构形成有接触沟槽，所述接触沟槽的底部显露所述器件结构的接触表面，于所述接触沟槽的侧壁及底部沉积侧墙材料；刻蚀所述侧墙材料，以在所述接触沟槽的侧壁形成侧墙结构，所述接触沟槽底部显露的所述接触表面残留有所述侧墙材料；采用干法刻蚀去除所述接触表面残留的所述侧墙材料，所述干法刻蚀气体包括氧气、四氟化碳和氮气；于所述接触沟槽内填充导电材料层。本发明的一种半导体结构的制备方法能增加干法刻蚀过程中等离子体的浓度，抑制氧原子的再结合，提高接触沟槽底部均匀性，防止过刻蚀，提高干法刻蚀效率，提升半导体结构的良率，提升半导体结构的电性性能。
一种半导体结构制备方法

[发明专利]制造半导体结构的方法及对应的半导体结构-CN200610108000.9无效
发明人：哈里·海德勒;罗兰·依尔西格勒 -专利权人：奇梦达股份公司
申请日： 2006-08-02 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种制造具有晶片贯通接触的半导体结构的方法，以及对应的半导体结构。所述方法包括：提供具有体区(1a)和有源区(1b)的半导体晶片(1)；在半导体晶片中形成多个接触沟槽(5a－5f)，接触沟槽从有源区的上表面(0)延伸进入体区；在接触沟槽的侧壁和底上形成第一电介质隔离层(8)；在多个接触沟槽中提供第一导电填充(10)；在半导体晶片中形成对准的通孔(V)，通孔从体区的背侧(B)延伸进入多个接触沟槽，并暴露多个接触沟槽的导电填充；在通孔的侧壁上提供第二电介质隔离层(15)；以及在通孔中提供与多个接触沟槽的被暴露的导电填充相接触的第二导电填充(20)，从而形成晶片贯通接触。
制造半导体结构方法对应

[发明专利]半导体装置-CN202210238651.9在审
发明人：西康一;曾根田真也 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：有源沟槽(8)从半导体衬底(1)的上表面起将发射极层(6)及基极层(5)贯通。哑沟槽(9)夹着有源沟槽而从半导体衬底(1)的上表面起将接触层(7)及基极层贯通。栅极沟槽电极(10)隔着栅极绝缘膜(11)形成于有源沟槽的内部。哑栅极沟槽电极(12)隔着栅极绝缘膜形成于哑沟槽的内部。填埋绝缘膜(13)在有源沟槽的内部形成于栅极沟槽电极之上，并且在哑沟槽的内部形成于哑栅极沟槽电极之上。填埋绝缘膜的上端比半导体衬底的上表面低。发射极电极(14)在半导体衬底的上表面及有源沟槽的内壁处与发射极层接触，在半导体衬底的上表面及哑沟槽的内壁处与接触层接触。
半导体装置

[实用新型]一种低噪音球轴承-CN201620201758.6有效
发明人：胡林林;郭长建;姜芝强;赵海平 -专利权人：上海人本双列轴承有限公司;上海人本集团有限公司
申请日： 2016-03-16 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： F16C33/58 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种低噪音球轴承，包括轴承外圈、轴承内圈以及钢球，所述轴承外圈的内圆周面上设有外圈沟槽，轴承内圈的外圆周面上设有内圈沟槽，外圈沟槽与内圈沟槽对应配合构成引导钢球的滚道，钢球置于滚道内，内圈沟槽包括沿着轴向顺次连接的3段沟槽段，3段沟槽段分别为与钢球接触的中间沟槽段，以及与钢球非接触的左沟槽段、右沟槽段，左沟槽段和右沟槽段分别连接中间沟槽段的两端，左沟槽段和右沟槽段的曲率半径大于中间沟槽段的曲率半径。本实用新型减少钢球与内圈沟道接触区域，具有润滑效果好，噪音低，运转灵活，使用寿命长的优点。
一种噪音球轴承

[实用新型]新型微沟槽IGBT结构-CN202021525797.4有效
发明人：俞义长;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种新型微沟槽IGBT结构，包括衬底和多个真栅极单元，相邻真栅极单元之间设有至少两个假沟槽单元和至少一个假栅极单元，并且假栅极单元设置于两个假沟槽单元之间，其中，真栅极单元和假沟槽单元分别对应设有接触孔，真栅极单元与相邻的假沟槽单元之间、以及假沟槽单元与假栅极单元之间分别对应设有接触孔，并且真栅极单元与相邻的假沟槽单元之间设有的接触孔还与相邻的假沟槽单元中设有的接触孔相连合并。本实用新型能够具有较小尺寸的合并接触孔，从而能够有效抑制接触孔刻蚀工艺的负载效应，并改善器件的一致性，此外，还能够提高器件的可制造性。
新型沟槽 igbt 结构

[发明专利]用于P-通道沟槽MOSFET的源极镇流-CN201910045713.2有效
发明人：雷燮光 -专利权人：万国半导体（开曼）股份有限公司
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种沟槽金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管(MOSFET)器件，包括一个第一导电类型的衬底、一个第二导电类型的本体区、一个形成在栅极沟槽中的栅极电极，在本体区和衬底中延伸，形成在本体区中的一个轻掺杂源极区和一个重掺杂源极区，以及一个沟槽接头，延伸到形成在接触沟槽中的本体区。制备一个第二导电类型的接触注入物，包围着接触沟槽的底部以及接触沟槽的侧壁部分，在接触沟槽的侧壁部分，它与轻掺杂源极区相接触，形成一个PN结。
用于通道沟槽 mosfet 源极镇流

[发明专利]沟槽功率器件及制作方法-CN201610554280.X有效
发明人：杨彦涛;夏志平;陈元金;陈文伟;李庆华 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2016-07-12 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明揭示了一种沟槽功率器件及制作方法。本发明提供的一种沟槽功率器件及制作方法，通过在第一沟槽和第二沟槽的上部形成具有一定厚度第一介质层，使得沟槽栅极区域距离半导体衬底表面有一定距离，再淀积第一阻止层定义出接触孔在半导体衬底表面的最小尺寸，从而在进行接触孔刻蚀时，可以使接触孔的线宽进一步做的更小。并且保证接触孔到第一沟槽和第二沟槽的间距，从而使接触孔与第一沟槽和第二沟槽的套刻有足够的余量，实现更小线宽的器件结构的生产，同时使产品的参数和可靠性满足要求。
沟槽功率器件制作方法

[实用新型]沟槽功率器件-CN201620745746.X有效
发明人：杨彦涛;夏志平;陈元金;陈文伟;李庆华 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2016-07-12 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种沟槽功率器件。本实用新型提供的一种沟槽功率器件，通过在第一沟槽和第二沟槽的上部形成具有一定厚度第一介质层，使得沟槽栅极区域距离半导体衬底表面有一定距离，再淀积第一阻止层定义出接触孔在半导体衬底表面的最小尺寸，从而在进行接触孔刻蚀时，可以使接触孔的线宽进一步做的更小。并且保证接触孔到第一沟槽和第二沟槽的间距，从而使接触孔与第一沟槽和第二沟槽的套刻有足够的余量，实现更小线宽的器件结构的生产，同时使产品的参数和可靠性满足要求。
沟槽功率器件

[发明专利]用于先进集成电路结构制造的具有锥变栅极或沟槽接触部的有源栅极上接触结构-CN202111357798.1在审
发明人： C·H·华莱士;M·K·哈兰;A·C-H·韦 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：描述了具有锥变栅极或沟槽接触部的有源栅极上接触(COAG)结构。在示例中，一种集成电路结构包括在衬底上方的多个栅极结构，其中，多个栅极结构中的各个栅极结构上具有在侧壁间隔体之间的导电帽盖。多个导电沟槽接触结构与多个栅极结构交替，其中，多个导电沟槽接触结构中的各个导电沟槽接触结构上具有在侧壁间隔体之间的导电帽盖。导电结构与在多个栅极结构中的一个栅极结构上的导电帽盖和侧壁间隔体或者与在多个导电沟槽接触结构中的一个导电沟槽接触结构上的导电帽盖和侧壁间隔体直接接触。
用于先进集成电路结构制造具有栅极沟槽接触有源

[发明专利]沟槽栅功率MOSFET及其制造方法-CN201610024795.9有效
发明人：邵向荣 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2016-01-15 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽栅功率MOSFET，包括：半导体外延层，表面形成有硬质掩膜层，硬质掩膜层中形成有由第一次沟槽掩膜板同时定义出的栅极沟槽图形和源区接触孔图形；栅极沟槽的尺寸由栅极沟槽图形定义，源区接触孔的底部区域完全由硬质掩膜层的源区接触孔图形定义；在栅极沟槽中形成有栅介质层和多晶硅栅；在硬质掩膜层表面和多晶硅栅表面形成有层间膜；源区接触孔的顶部区域穿过层间膜并由接触孔掩膜板定义，源区接触孔由顶部区域和底部区域自对准叠加形成，源区接触孔的顶部区域和栅极沟槽之间组成无套准偏差的结构本发明还公开一种沟槽栅功率MOSFET的制造方法。本发明能缩小栅极沟槽的间距、提高沟道密度。 1
源区接触孔栅极沟槽硬质掩膜层功率MOSFET 顶部区域沟槽栅表面形成底部区域多晶硅栅层间膜掩膜板半导体外延层套准偏差栅介质层次沟槽接触孔自对准沟道叠加制造穿过

[发明专利]在有源区接触沟槽中具有集成肖特基二极管的MOS器件-CN200810182319.5有效
发明人： A·巴哈拉;王晓彬;潘继;S-P·魏 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2008-11-21 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及在有源区接触沟槽中具有集成肖特基二极管的MOS器件。提供一种形成在半导体衬底上的半导体器件，其包括：漏极；覆盖所述漏极的外延层；以及有源区。所述有源区包括：本体，所述本体置于所述外延层中，并具有本体顶表面和本体底表面；源极，所述源极嵌入在所述本体中，并从所述本体顶表面延伸至所述本体中；栅极沟槽，所述栅极沟槽延伸至所述外延层中；栅极，所述栅极置于所述栅极沟槽中；有源区接触沟槽，所述有源区接触沟槽通过所述源极和所述本体的至少一部分延伸至所述漏极中，其中所述有源区接触沟槽比所述本体底表面浅；以及有源区接触电极，所述有源区接触电极置于所述有源区接触沟槽内。
有源接触沟槽具有集成肖特基二极管 mos 器件