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[实用新型]一种内外圈接触角不等的角接触球轴承-CN201020633942.0无效
发明人：郭笑男;郭晓红;杨国吉;徐芳超;张海秀 -专利权人：瓦房店金峰轴承制造有限公司
申请日： 2010-11-30 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： F16C19/02 文献下载
摘要：一种内外圈接触角不等的角接触球轴承，有内圈、外圈、内圈外圈之间滚珠，内圈外面、外圈内面带有滚珠滚道的沟槽，内圈外圈之间滚珠两端分别镶嵌在内圈外圈的沟槽，内圈沟槽与滚珠的接触角小于或大于外圈沟槽与滚珠的接触角高速时由于离心力的作用，外圈接触角变小或变大、内圈接触角变大或变小这一实际情况，就可以使内、外圈接触角近似相等，这样才能真正发挥出高速轴承的设计特性来。
一种外圈接触角不等接触球轴承

[实用新型]一种集成肖特基的功率器件-CN202122260921.X有效
发明人：朱袁正;叶鹏;周锦程;刘晶晶;杨卓 -专利权人：无锡新洁能股份有限公司
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种集成肖特基的功率器件，芯片表面设有五类沟槽，第一类沟槽互相平行且均匀分布，第二类沟槽环绕第一类沟槽设置，第一类沟槽的两端各有一条第二类垂直沟槽，第三类沟槽分布于第二类沟槽的外侧，与第一垂直沟槽垂直并且第三类沟槽的一端与第一垂直沟槽连通，互相平行且均匀分布的第四类沟槽分布于第二类沟槽的外侧并与第二垂直沟槽垂直，并且第四类沟槽的一端与第二垂直沟槽连通，第五类沟槽位于相邻的第四类沟槽之间，并且第五类沟槽的两端分别与相邻的两条第四类沟槽连通，相邻的第五类沟槽之间的外延层区域为肖特基接触区，源极金属通过第四类通孔与肖特基接触区内的外延层肖特基接触，能够加快反向恢复，降低能量损耗。
一种集成肖特基功率器件

[发明专利]用于功率半导体器件的接触结构-CN202110708319.X在审
发明人： O·布兰克 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：公开了用于功率半导体器件的接触结构。一种晶体管器件包括：将上方的接触焊盘电连接到下方的沟槽中的场电极的场板接触；以及将接触焊盘电连接到由沟槽界定的半导体台面的台面接触。每个场板接触被划分成彼此分离的场板接触分段。每个台面接触被划分成彼此分离的台面接触分段。在相邻于沟槽的端部的第一区域中，垂直于沟槽行进的第一线与场板接触的第一场板接触分段和台面接触的第一台面接触分段相交。在与第一区域向内间隔开的第二区域中，垂直于沟槽行进的第二线与场板接触的第二场板接触分段和台面接触的第二台面接触分段相交。
用于功率半导体器件接触结构

[发明专利]半导体器件、半导体存储器件和电子系统-CN202210920818.X在审
发明人：闵柱盛;白在馥;韩智勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H10B43/50 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：下绝缘膜，在基板上包括第一沟槽和第二沟槽；在第一沟槽中的第一布线；在第二沟槽中的第二布线；盖绝缘膜，包括绝缘凹陷部分和绝缘衬垫部分；在盖绝缘膜上的上绝缘膜；以及上接触，穿透盖绝缘膜并连接到第一布线绝缘凹陷部分在第二沟槽中，绝缘衬垫部分沿着下绝缘膜的上表面延伸。上接触包括在第一沟槽中的接触凹陷部分、连接到接触凹陷部分的扩展部分、以及在上绝缘膜内部连接到扩展部分的插塞部分。
半导体器件半导体存储器件电子系统

[发明专利]沟槽型肖特基二极管的制备方法-CN201310188099.8有效
发明人：刘远良 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-05-20 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽型肖特基二极管的制备方法，包括1）在硅片上刻蚀形成沟槽，在沟槽内壁进行第一氧化硅生长后，在沟槽内填充多晶硅，再将沟槽外的多晶硅进行完全刻蚀去除，在硅片上沉积介质膜；2）通过接触孔光刻定义接触区域，利用刻蚀将接触区域的介质膜先刻蚀至硅表面后，将硅和沟槽内的第一氧化硅一同刻蚀；3）在硅片上成长第二氧化硅；4）将第二氧化硅刻蚀去除；5）在硅片上沉积第一金属，并在硅表面和多晶硅表面形成金属硅化物，从而形成肖特基接触；6）在硅片上沉积第二金属，通过光刻、刻蚀，第二金属与第一金属直接接触连接。本发明可改善沟槽型肖特基二极管接触孔形成工艺，防止沟槽电介质膜遭到破坏，提高产品可靠性。
沟槽型肖特基二极管制备方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201711203694.9有效
发明人：大须贺祐喜;原田博文 -专利权人：艾普凌科有限公司
申请日： 2017-11-27 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体装置具备：衬底；漏极区，其被设置在衬底的背面侧；基极层，其设置于漏极区与衬底正面之间；沟槽，其从衬底正面到达漏极区；栅绝缘膜，其覆盖从沟槽的底面至第一高度的沟槽内侧；栅电极，其隔着栅绝缘膜而在沟槽内被埋至与该沟槽相同的高度；绝缘膜，其在沟槽内被埋至高于第一高度的第二高度；源电极，其被埋入沟槽内的剩余部分中；基极接触区，其被设置为距衬底的正面比第二高度浅；源极区，其一个侧面与源电极相接触，上表面与基极接触区的底面的一部分相接触，一个侧面与沟槽的侧面相接触并且一部分与源电极相接触；以及衬底的背面上的漏电极。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]连接器和连接器组件-CN201880042728.7有效
发明人：太田稔男 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2018-06-20 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01R4/2433 文献下载
摘要：本发明提供一种连接器，其包括外壳、覆盖件和多个接触件。外壳包括外壳前部，该外壳前部具有多个第一沟槽部分；以及外壳后部，该外壳后部具有从第一沟槽部分偏移的多个第二沟槽部分和多个第三沟槽部分。覆盖件被构造成与外壳前部组合，并且包括多个第四沟槽部分，该多个第四沟槽部分包括通孔。每个接触件包括压力连接部分，该压力连接部分设置在对应的通孔中，并且被构造成接触插入覆盖件中的线材；第一区段，该第一区段设置在对应的第一沟槽部分中；第二区段，该第二区段设置在对应的第二沟槽部分中，并且在端部处包括第一接触部分；以及第三区段，该第三区段设置在对应的第三沟槽部分中，并且在端部处包括第二接触部分。
连接器组件

[发明专利]肖特基二极管及其制作方法-CN201810876807.X在审
发明人：刘美华;林信南;刘岩军 -专利权人：深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2018-08-03 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种肖特基二极管及其制作方法，所述肖特基二极管包括：硅外延片，形成多个沟槽；氧化层；多晶硅层，填充所述多个沟槽的除所述氧化层之外的空间；介质层；阳极金属层，延伸至肖特基接触孔内以覆盖所述肖特基接触孔的底部，所述肖特基接触孔贯穿所述介质层；以及阴极金属层；所述肖特基接触孔在所述硅外延片上的投影以及所述介质层在所述硅外延片上的投影覆盖至少一个所述沟槽；所述硅外延片内部还形成有至少一个沟槽缓冲部，所述至少一个沟槽缓冲部与被所述肖特基接触孔在所述硅外延片上的投影覆盖的所述沟槽一一对应设置，每一个所述沟槽缓冲部包围与其对应的所述沟槽的下部。
肖特基接触硅外延片肖特基二极管缓冲部介质层投影覆盖氧化层一一对应设置阳极金属层阴极金属层多晶硅层耐压填充制作投影包围贯穿延伸覆盖优化

[发明专利]一种新型沟槽结构的功率MOSFET器件及其制造方法-CN201110241526.5有效
发明人：朱袁正;叶鹏;丁磊 -专利权人：无锡新洁能功率半导体有限公司
申请日： 2011-08-22 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型沟槽结构的功率MOSFET器件及其制造方法，其元件区的元胞采用沟槽结构，元胞沟槽内设有绝缘氧化层，元胞沟槽内的第二绝缘栅氧化层的厚度大于第一绝缘栅氧化层的厚度；元胞沟槽内淀积有导电多晶硅，第一导电多晶硅在元胞沟槽内延伸的距离大于第二导电多晶硅延伸的距离；元胞沟槽的槽口由绝缘介质层覆盖，源极接触孔内填充有第二接触孔填充金属，第二接触孔填充金属与第一导电类型注入区及第二导电类型层欧姆接触；元胞沟槽上方设有源极金属，源极金属与第二接触孔填充金属电性连接；第一导电多晶硅与源极金属等电位连接。
一种新型沟槽结构功率 mosfet 器件及其制造方法

[实用新型]一种新型沟槽结构的功率MOSFET器件-CN201120306569.2有效
发明人：朱袁正;叶鹏;丁磊 -专利权人：无锡新洁能功率半导体有限公司
申请日： 2011-08-22 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种新型沟槽结构的功率MOSFET器件，其元件区的元胞采用沟槽结构，元胞沟槽内设有绝缘氧化层，元胞沟槽内的第二绝缘栅氧化层的厚度大于第一绝缘栅氧化层的厚度；元胞沟槽内淀积有导电多晶硅，第一导电多晶硅在元胞沟槽内延伸的距离大于第二导电多晶硅延伸的距离；元胞沟槽的槽口由绝缘介质层覆盖，源极接触孔内填充有第二接触孔填充金属，第二接触孔填充金属与第一导电类型注入区及第二导电类型层欧姆接触；元胞沟槽上方设有源极金属，源极金属与第二接触孔填充金属电性连接；第一导电多晶硅与源极金属等电位连接
一种新型沟槽结构功率 mosfet 器件

[发明专利]一种跨尺度多形貌复合织构刀具-CN201910899749.7有效
发明人：杨泽檀;符永宏;张洋 -专利权人：江苏大学
申请日： 2019-09-23 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： B23B27/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种跨尺度多形貌复合织构刀具，所述刀具表面根据刀屑移动位置依次分为刀屑粘结区、刀屑滑移区和刀屑非接触区，所述刀屑粘结区内设有凹凸复合形貌，所述刀屑滑移区内设有凹腔形貌，所述刀屑粘结区、刀屑滑移区和刀屑非接触区均设有沟槽所述沟槽包括纳米级沟槽、储油沟槽和微米级导油沟槽；若干所述纳米级沟槽贯穿所述刀具粘结区和滑移区；所述刀屑非接触区设有储油沟槽和微米级导油沟槽，所述微米级导油沟槽、储油沟槽和纳米级沟槽依次导通。
一种尺度形貌复合刀具

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202110351086.2有效
发明人：于业笑 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，包括：提供衬底；于所述衬底内形成栅极沟槽，所述栅极沟槽包括第一沟槽及第二沟槽；所述第二沟槽位于所述第一沟槽上方，且与所述第一沟槽相连通，所述第二沟槽的宽度大于所述第一沟槽的宽度；于所述栅极沟槽内形成栅极字线。本发明的半导体结构的制备方法通过制备上部比下部宽的栅极沟槽，可以得到上部比较宽的栅极字线，由于栅极字线的上部比较宽，便于第一互连结构与栅极字线的对准接触，可以确保第一互连结构与栅极字线具有足够大的接触面积，从而减小第一互连结构与栅极字线的接触电阻，提高存储器件的电性，使得存储器件具有较好的读写速度和存储效率。
半导体结构及其制备方法

[发明专利]半导体器件的接触的制造方法及具有该接触的半导体器件-CN201010215145.5有效
发明人：钟汇才;梁擎擎 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-06-22 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：半导体器件的接触的制造方法以及具有该接触的半导体器件，所述方法在源/漏区上形成了下部为多个接触孔、上部为沟槽接触的接触结构，所述接触孔具有较小的孔径，所述沟槽接触具有较大的接触面积，孔径较小的接触孔与接触面积较大的沟槽接触，易于和上层的金属层相连接，从而提高了接触的导电性能，进而提高了器件的整体性能。
半导体器件接触制造方法具有

[发明专利]相变存储器的制备方法-CN201610240350.4有效
发明人：伏广才;李志超;周耀辉 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2016-04-18 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明的相变存储器的制备方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底的表面包括第一介质层及位于第一介质层中、用于引出电极的连接塞；沉积第二介质层，第二介质层覆盖第一介质层以及连接塞；去除部分连接塞及部分第一介质层上的第二介质层，形成沟槽；沉积覆盖沟槽的底壁、沟槽的侧壁及第二介质层的底部接触电极，沉积位于沟槽内并覆盖底部接触电极的外延层和位于沟槽内并覆盖外延层的第三介质层；去除沟槽中的第一介质层上的底部接触电极、外延层及第三介质层，随后沉积第四介质层以填满沟槽；依次沉积相变材料层和顶部接触电极，相变材料层及顶部接触电极依次覆盖底部接触电极。本发明中，避免底部接触电极被氧化，提高底部接触电极的接触性能。
相变存储器制备方法

[发明专利]一种沟槽栅控二极管及其制造方法-CN202310288706.1在审
发明人：欧阳钢 -专利权人：杭州芯迈半导体技术有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种沟槽栅控二极管及其制造方法，沟槽栅控二极管包括：第一掺杂类型的衬底；第一掺杂类型的外延层，位于所述衬底第一表面；第一掺杂类型的电流扩展层，位于所述外延层上；沟槽，从所述电流扩展层的表面向着所述电流扩展层内部延伸；肖特基接触层，位于所述沟槽的脊部；阳极电极，所述阳极电极在所述沟槽的脊部与所述肖特基接触层接触；阴极欧姆接触层，位于所述衬底的第二表面，所述第一表面和所述第二表面相对；以及阴极电极，与所述阴极欧姆接触层接触
一种沟槽二极管及其制造方法

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