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[发明专利]绝缘栅双极性晶体管-CN201611108931.9有效
发明人：大河原淳;妹尾贤 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2016-12-06 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种IGBT，具体提供一种使具有矩形沟槽的IGBT的饱和电流降低的技术。该IGBT具备：矩形沟槽，其具有第一沟槽～第四沟槽；栅电极，其被配置在矩形沟槽内。发射区具备：第一发射区，其与第一沟槽相接；第二发射区，其与第三沟槽相接。体接触区具备：第一体接触区，其与第二沟槽相接；第二体接触区，其与第四沟槽相接。表层体区在从各个连接部起至发射区的范围内与沟槽相接。
绝缘极性晶体管

[发明专利]一种增加VDMOS沟道密度的布图结构和布图方法-CN201811005873.6在审
发明人：赵少峰 -专利权人：赵少峰
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种增加VDMOS沟道密度的布图结构和布图方法,所述结构包括沿第一方向和第二方向重复排列的多个元胞：每个元胞包括第一沟槽栅、第二沟槽栅、第三沟槽栅和接触孔；每个元胞的第二沟槽栅与在第一方向上相邻一个元胞的第一沟槽栅为相互重合的同一沟槽栅；第一沟槽栅与第二沟槽栅平行设置，第三沟槽栅和接触孔置于第一沟槽栅与第二沟槽栅之间；第一方向为垂直第一沟槽栅与第二沟槽栅的方向；第二方向为平行第一沟槽栅与第二沟槽栅的方向；接触孔至第一沟槽栅、第二沟槽栅的间距、接触孔至元胞内的第三沟槽栅的间距以及相邻元胞内第三沟槽栅的间距均不小于第一最小间距；第三沟槽栅至第一沟槽栅、第二沟槽栅的间距均不小于第二最小间距。
沟槽栅元胞接触孔布图结构沟道平行设置相邻元胞重复排列重合垂直平行

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201610404085.9有效
发明人：松浦仁 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2016-06-08 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：半导体器件包括沟槽栅电极、将它们彼此耦合的发射极耦合部、布置在混合子单元区以及无源单元区中的层间绝缘膜，和穿透它的接触沟槽。而且，接触沟槽在混合子单元区与发射极耦合部的延伸方向的交叉区中被分割。而且，设置n+型发射极区以便与分割的接触沟槽的端部隔开。借助在交叉区中未形成接触沟槽的这种构造，可减小接触沟槽的加工失败。而且，因为设置n+型发射极区以便与接触沟槽的端部分开，因此可提高半导体器件的击穿电阻。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种增加VDMOS沟道密度的蛇形布图结构和布图方法-CN201811004844.8在审
发明人：赵少峰 -专利权人：无锡摩斯法特电子有限公司
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种增加VDMOS沟道密度的蛇形布图结构和布图方法,布图结构包括沿第一方向和第二方向重复排列的多个元胞：元胞包括：第一沟槽栅、第二沟槽栅、第三沟槽栅和两个接触孔；第一沟槽栅与第二沟槽栅沿第二方向相互平行设置，第三沟槽栅为S型，置于第一沟槽栅与第二沟槽栅之间；一个接触孔置于第三沟槽栅与第二沟槽栅之间，另一个接触孔置于第三沟槽栅与第一沟槽栅之间；其中，接触孔至第一沟槽栅、第二沟槽栅和第三沟槽栅的间距均不小于第一最小间距；第三沟槽栅至第一沟槽栅、第二沟槽栅的间距均不小于第二最小间距；每个元胞的第二沟槽栅与在第一方向上相邻一个元胞的第一沟槽栅为相互重合的同一沟槽栅；第一方向与第二方向相垂直。
沟槽栅接触孔元胞布图结构蛇形沟道平行设置重复排列重合垂直

[实用新型]一种增加VDMOS沟道密度的蛇形布图结构-CN201821420851.1有效
发明人：赵少峰 -专利权人：无锡摩斯法特电子有限公司
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型实施例涉及一种增加VDMOS沟道密度的蛇形布图结构,布图结构包括沿第一方向和第二方向重复排列的多个元胞：元胞包括：第一沟槽栅、第二沟槽栅、第三沟槽栅和两个接触孔；第一沟槽栅与第二沟槽栅沿第二方向相互平行设置，第三沟槽栅为S型，置于第一沟槽栅与第二沟槽栅之间；一个接触孔置于第三沟槽栅与第二沟槽栅之间，另一个接触孔置于第三沟槽栅与第一沟槽栅之间；其中，接触孔至第一沟槽栅、第二沟槽栅和第三沟槽栅的间距均不小于第一最小间距；第三沟槽栅至第一沟槽栅、第二沟槽栅的间距均不小于第二最小间距；每个元胞的第二沟槽栅与在第一方向上相邻一个元胞的第一沟槽栅为相互重合的同一沟槽栅；第一方向与第二方向相垂直。
沟槽栅接触孔元胞布图结构蛇形沟道本实用新型平行设置重复排列重合垂直

[发明专利]自对准沟槽MOSFET的结构和方法-CN201980013918.0有效
发明人：哈姆扎·耶尔马兹 -专利权人：艾鲍尔半导体
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：所述结构包括形成在p本体区中的多个MOS栅极沟槽和自对准p+接触沟槽的阵列。MOS栅极沟槽的沟槽深度比所述自对准p+接触沟槽的沟槽深度深。在每个MOS栅极沟槽下方形成P掺杂屏蔽区。
对准沟槽 mosfet 结构方法

[发明专利]具有前侧接触和垂直沟槽隔离的半导体器件及其制作方法-CN200580035334.1无效
发明人：沃尔夫岗·劳舍尔 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2005-10-13 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： H01L21/74 文献下载
摘要：一种在绝缘体上半导体(SOI)衬底(20)中形成接触柱(36)和周围隔离沟槽(28)的方法。所述方法包括：从衬底(20)的有源层(6)向绝缘层(4)刻蚀接触孔(26)和周围隔离沟槽(28)；对沟槽(28)进行掩模，然后进一步将接触孔(26)刻蚀到底部衬底层(2)；用未掺杂的本征多晶硅(34)填充沟槽(28)和接触孔(26)；然后关于填充接触孔(26)的多晶硅材料实行掺杂工艺，形成原位高掺杂接触柱(36)，而填充沟槽(28)的材料保持非导电。所述方法能够同时形成隔离沟槽和接触柱，从而避免器件制作工艺的不适当干扰。
具有接触垂直沟槽隔离半导体器件及其制作方法

[发明专利]半导体器件的金属线及其制造方法-CN200710128411.9无效
发明人：洪韺玉;李东奂 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-07-05 - 公布日： 2008-01-09 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种半导体器件的金属线，包括接触塞、多个第一沟槽、第一金属线、多个第二沟槽以及第二金属线。所述接触塞形成在半导体衬底上并通过第一绝缘层彼此绝缘。多个第一沟槽形成在第一绝缘层中并连接接触塞的第一接触塞。第一金属线形成在第一沟槽内并连接第一接触塞。多个第二沟槽形成在第一金属线和第一绝缘层上，并且包括连接接触塞的第二接触塞的第二绝缘层。第二金属线形成在第二沟槽内并连接第二接触塞。
半导体器件金属线及其制造方法

[发明专利]沟槽栅IGBT芯片的制作方法-CN201810397165.5在审
发明人：姚尧;罗海辉;肖强 -专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2018-04-28 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽栅IGBT芯片的制作方法，包括步骤一：在晶圆基片上形成有源沟槽和虚栅沟槽，虚栅沟槽设置于有源沟槽之间；步骤二：在有源沟槽和虚栅沟槽内表面形成第二氧化层，并在有源沟槽和虚栅沟槽内填充多晶硅，形成实沟槽栅和虚沟槽栅；步骤三：在晶圆基片上表面以及实沟槽栅和虚沟槽栅上形成绝缘介质层；步骤四：对绝缘介质层上的第一预设位置进行刻蚀，至少裸露出下方对应的虚沟槽栅和实沟槽栅与虚沟槽栅之间的部分晶圆基片，形成第一接触窗口。本申请通过在有源沟槽之间插入一个或多个虚栅沟槽，利用虚栅沟槽自身的宽度以及虚栅沟槽之间的间距来增加金属接触孔的尺寸，从而降低金属接触窗口的形成工艺以及金属填孔的工艺难度。
沟槽栅虚栅晶圆绝缘介质层沟槽内表面基片上表面金属接触孔工艺难度接触窗口金属接触预设位置多晶硅氧化层刻蚀填孔填充制作裸露金属申请

[发明专利]MOS控制的功率半导体器件的台面接触和制造功率半导体器件的方法-CN202210176756.6在审
发明人： A·卡莫斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本发明涉及MOS控制的功率半导体器件的台面接触和制造功率半导体器件的方法。一种功率半导体器件包括：半导体本体，包括第一表面和台面部分，其中，台面部分包括本体区和第一表面的表面部分；至少两个沟槽，从第一表面沿着垂直方向延伸到半导体本体中，其中，两个沟槽中的每个包括沟槽电极和使沟槽电极与半导体本体绝缘的沟槽绝缘体，并且其中，台面部分沿着第一横向方向在第一垂直截面中由两个沟槽横向限制；接触插塞，与本体区接触，其中，接触插塞和两个沟槽中的第一沟槽的沟槽电极在第一垂直截面中至少部分地横向重叠；以及保护结构：具有布置在第一沟槽内的部分，布置在接触插塞和第一沟槽的沟槽电极之间，可以是电绝缘结构或保护器件结构。
mos 控制功率半导体器件台面接触制造方法

[发明专利]直接接触的沟槽结构-CN201110254322.5有效
发明人： B.埃拉塔里;F.希尔勒 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L21/763 文献下载
摘要：直接接触的沟槽结构。半导体结构包括第一导电性的半导体基板、基板上的第二导电性的外延层以及夹置在基板和外延层之间的第二导电性的埋层。第一沟槽结构穿过外延层和埋层延伸到基板且包括侧壁绝缘和在第一沟槽结构的底部与基板电学接触的导电材料。第二沟槽结构穿过外延层延伸到埋层且包括侧壁绝缘和在第二沟槽结构的底部与埋层电学接触的导电材料。绝缘材料的区域横向地从第一沟槽结构的导电材料延伸到第二沟槽结构的导电材料且纵向地延伸到基本第二沟槽结构的深度。
直接接触沟槽结构

[发明专利]用于三维存储器器件的直通阵列导电通孔结构及其制造方法-CN201980075808.7在审
发明人： J·凯;M·乔杜里;富山文昭;J·阿尔斯迈耶;东谷方明 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：背侧沟槽、壕沟沟槽和接触开口通过该交替堆叠形成，并且随后分别用牺牲背侧沟槽填充材料结构、牺牲壕沟沟槽填充结构和牺牲接触开口填充结构填充。该牺牲壕沟沟槽填充结构用管状介电壁结构替换。该牺牲背侧沟槽填充材料结构用背侧沟槽填充结构替换。该牺牲接触开口填充结构用导电通孔结构替换。该背侧沟槽、该壕沟沟槽和该接触开口的同时形成减小了处理步骤和成本。
用于三维存储器器件直通阵列导电结构及其制造方法

[发明专利]晶体管及其形成方法-CN201110139441.6有效
发明人：赵猛 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-05-26 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶体管，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面的栅极结构；位于所述栅极结构两侧的所述半导体衬底内的沟槽，所述沟槽包括位于所述栅极结构两侧且与所述栅极结构接触的第一沟槽、位于所述第一沟槽的底部且与第一沟槽接触的第二沟槽、位于所述第二沟槽底部且与所述第二沟槽接触的第三沟槽，其中，所述第二沟槽向所述栅极结构的一侧突出；位于所述沟槽内的应力层。
晶体管及其形成方法

[发明专利]一种沟槽栅IGBT及其制作方法-CN201710667268.4有效
发明人：肖婷;何昌;史波 -专利权人：珠海零边界集成电路有限公司;珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2017-08-07 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽栅IGBT及其制作方法，在沟槽栅IGBT的第一沟槽栅上设置一接触区，在制作隔离层时仅仅对隔离层对应该第一接触区的部分进行刻蚀挖空，而无需对隔离层对应第一沟槽栅其他区域的部分进行刻蚀挖空处理，保证第一沟槽栅的顶面边缘与沟槽栅衬底结构的表面接触部分质量较高，改善沟槽栅IGBT容易出现漏电的问题，提高其可靠性。此外，本发明提供的沟槽栅IGBT无需增加相邻沟槽栅之间的间距，因而沟槽栅IGBT的沟槽栅的密度可以优化为较大的密度，保证沟槽栅IGBT的饱和电流密度较高。
一种沟槽 igbt 及其制作方法

[实用新型]一种沟槽栅IGBT-CN201720982042.9有效
发明人：肖婷;何昌;史波 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2017-08-07 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种沟槽栅IGBT，在沟槽栅IGBT的第一沟槽栅上设置一接触区，在制作隔离层时仅仅对隔离层对应该第一接触区的部分进行刻蚀挖空，而无需对隔离层对应第一沟槽栅其他区域的部分进行刻蚀挖空处理，保证第一沟槽栅的顶面边缘与沟槽栅衬底结构的表面接触部分质量较高，改善沟槽栅IGBT容易出现漏电的问题，提高其可靠性。此外，本实用新型提供的沟槽栅IGBT无需增加相邻沟槽栅之间的间距，因而沟槽栅IGBT的沟槽栅的密度可以优化为较大的密度，保证沟槽栅IGBT的饱和电流密度较高。
一种沟槽 igbt