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[发明专利]用于车辆的内部的屏幕组件、用于控制屏幕部件在车辆的内部的位置的方法、数据处理设备和用于车辆的内部的屏幕系统-CN202310389002.3在审
发明人： A·塞达哈特阿莫利;O·布兰克 -专利权人：沃尔沃汽车公司
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B60R11/02 文献下载
摘要：本公开涉及用于车辆内部的屏幕组件(22)。屏幕组件(22)包括配置为布置在车辆的仪表板(28)内部或中控台内部的底座部件(24、24a、24b)。屏幕组件(22)还包括屏幕部件(26)，其包括配置为向车辆的使用者显示信息的屏幕单元(30)。平移引导装置(64)以运动学方式布置在屏幕部件(26)与底座部件(24、24a、24b)之间，使得屏幕部件(26)相对于底座部件(24、24a、24b)能平移运动。此外，第一旋转引导装置(78)以运动学方式布置在屏幕部件(26)与底座部件(24、24a、24b)之间，使得屏幕部件(26)能倾斜。还提出了用于控制屏幕部件(26)在车辆内部的位置的方法。还说明了一种数据处理设备和用于车辆内部的屏幕系统。
用于车辆内部屏幕组件控制部件位置方法数据处理设备系统

[发明专利]半导体芯片及其形成方法、芯片系统及其形成方法-CN202310071179.9在审
发明人： H·庄;O·布兰克;P·A·卡洛;M·丁克尔;J·霍格劳尔;D·赫茨尔;林维安;G·T·内鲍尔;R·奥特伦巴;M·普埃尔兹;沈盈博;X·施勒格尔;陈志文;H·B·泰奥 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体芯片。所述半导体芯片可以包括：正面，其包括控制芯片触点和第一受控芯片触点；背面，其包括第二受控芯片触点；背面金属化部，其形成在所述背面之上并且与所述第二受控芯片触点接触；以及至少部分地沿着所述背面的外边缘在所述背面金属化部的接触部分和所述背面的外边缘之间延伸的止挡区域，其中，所述接触部分被配置成通过裸片附接材料附接到导电结构，其中，所述止挡区域的表面相对于所述接触部分的表面凹陷，和/或所述止挡区域的表面相对于所述裸片附接材料具有比所述接触部分更低的可润湿性。
半导体芯片及其形成方法系统

[发明专利]具有增强的电荷载流子迁移率的沟槽功率器件-CN202211563655.0在审
发明人： S·罗伊;H-J·舒尔兹;O·布兰克;J·A·莫泽;T·艾辛格 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本公开涉及具有增强的电荷载流子迁移率的沟槽功率器件。功率晶体管器件包括：半导体衬底；延伸到半导体衬底中的栅极沟槽；提供在栅极沟槽中的晶体管栅极；以及绝缘结构，形成在晶体管栅极和栅极沟槽的侧壁之间。绝缘结构被配置成将晶体管栅极与沿着栅极沟槽的侧壁延伸的沟道区电绝缘。绝缘结构包括压电材料层。
具有增强电荷载流子迁移率沟槽功率器件

[发明专利]晶片、电子部件和使用加衬和封闭的分离沟槽的方法-CN202211200602.2在审
发明人： O·布兰克;T·波尔斯特;S·莱奥芒 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：公开了一种处理晶片(100)的方法，其中，所述方法包括：为所述晶片(100)提供分离相邻的电子部件(102)的分离框架(104)；在所述分离框架(104)中形成分离沟槽(106)；用侧壁衬里(108)至少部分地加衬于所述分离沟槽(106)的侧壁(110)，用于部分地填充所述分离沟槽(106)，同时在所述分离沟槽(106)中保留有空隙体积区(112)；以及通过封闭结构(116)封闭所述分离沟槽(106)的外部开口(114)。
晶片电子部件使用封闭分离沟槽方法

[发明专利]包括器件的半导体管芯-CN202211149486.6在审
发明人： A·芬尼;O·布兰克;A·费拉拉;S·泰根 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体管芯（20），包括在管芯（20）的有源区域（21）中的器件（1），该器件（1）包括在垂直延伸到半导体本体（20）中的场电极沟槽（7）中形成的场电极区（10），其中场电极区（10）包括在场电极沟槽（7）中垂直堆叠在彼此上面的第一和第二场电极（11，12），横向位于管芯（20）的有源区域（21）和横向边缘区（23）之间的边缘终止结构（22），该边缘终止结构（22）包括第一和第二屏蔽电极（31，32），其横向连续布置在有源区域（21）和横向边缘区（23）之间，以逐步降低边缘区（23）和有源区域（21）之间的电势。
包括器件半导体管芯

[发明专利]具有嵌入电极中的应变诱导材料的功率半导体器件-CN202210703693.5在审
发明人： S·卡纳;S·罗伊;H-J·舒尔茨;O·布兰克;M·斯塔特穆勒;G·德尼夫;G·加拉索 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：具有嵌入电极中的应变诱导材料的功率半导体器件。描述了一种半导体器件。该半导体器件包括：半导体衬底；在半导体衬底上或半导体衬底中的电极结构，该电极结构包括电极和将电极与半导体衬底分离的绝缘材料；以及嵌入在电极中的应变诱导材料。电极结构邻接半导体衬底的区，在半导体器件的操作期间电流在第一方向上流过该区。电极在第一方向上处于拉伸或压缩应力下。应变诱导材料增强或至少部分地抵消电极在第一方向上的应力。还描述了生产半导体器件的方法。
具有嵌入电极中的应变诱导材料功率半导体器件

[发明专利]晶体管器件和制备晶体管器件的方法-CN202080095758.1在审
发明人： O·布兰克;C·A·布拉兹;高琰;O·吉勒曼特;F·希尔勒;D·拉福雷特;P·拉格;C·欧瓦拉德;E·普瑞;叶俐君 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2020-02-07 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：在实施例中，晶体管器件包括半导体本体，半导体本体包括多个晶体管单元，多个晶体管单元包括：第一导电类型的漂移区；与漂移区形成第一pn结的第二导电类型的本体区，第二导电类型与第一导电类型相反；与本体区形成第二pn结的第一导电类型的源极区；延伸到半导体本体的主表面中并且包括柱状场板的柱状场板沟槽；以及延伸到半导体本体的主表面中并且包括栅极电极的栅极沟槽结构。本体区的深度和掺杂水平中的至少之一在晶体管单元内局部地变化，以改进晶体管单元内的VGSTH均匀性。
晶体管器件制备方法

[发明专利]半导体功率器件及其制造方法-CN202210146233.7在审
发明人： O·布兰克;A·芬尼;A·费拉拉;F·希尔勒;S·泰根 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开涉及半导体功率器件及其制造方法。本公开涉及一种功率器件，其具有沟道区、形成在沟道区旁边用于控制沟道形成的栅极区、垂直形成在沟道区下方的漂移区、形成在垂直延伸到漂移区中的场电极沟槽中的场电极，其中，场电极包括第一和第二场电极结构，第一场电极结构电容地耦合到漂移区的第一区段，并且第二场电极结构电容地耦合到漂移区的垂直布置在第一区段上方的第二区段，第一和第二场电极结构形成有垂直重叠并且适于平衡第一和第二场电极结构之间以及场电极和漂移区之间的电容耦合。
半导体功率器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN202080048908.3在审
发明人： E·卡里曼诺维奇;G·诺鲍尔;O·布兰克;A·费拉拉 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：在一些实施例中，半导体器件包括半导体管芯，半导体管芯包括具有源极电极、漏极电极和栅极电极的竖向晶体管器件，半导体管芯具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。第一金属化结构位于第一表面上，并且包括耦合到源极电极的至少一个源极焊盘、耦合到漏极电极的至少一个漏极焊盘和耦合到栅极电极的至少一个栅极焊盘。第二金属化结构位于第二表面上，并且包括导电结构和电绝缘层，并且形成半导体器件的最外表面。第二金属化结构的最外表面被通过电绝缘层与半导体管芯电绝缘。
半导体器件

[发明专利]用于功率半导体器件的接触结构-CN202110708319.X在审
发明人： O·布兰克 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：公开了用于功率半导体器件的接触结构。一种晶体管器件包括：将上方的接触焊盘电连接到下方的沟槽中的场电极的场板接触；以及将接触焊盘电连接到由沟槽界定的半导体台面的台面接触。每个场板接触被划分成彼此分离的场板接触分段。每个台面接触被划分成彼此分离的台面接触分段。在相邻于沟槽的端部的第一区域中，垂直于沟槽行进的第一线与场板接触的第一场板接触分段和台面接触的第一台面接触分段相交。在与第一区域向内间隔开的第二区域中，垂直于沟槽行进的第二线与场板接触的第二场板接触分段和台面接触的第二台面接触分段相交。
用于功率半导体器件接触结构

[发明专利]半导体管芯和制造半导体管芯的方法-CN202110151108.0在审
发明人： O·布兰克;C·阿尔斯塔特;I·诺伊曼 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：公开了半导体管芯和制造半导体管芯的方法。本申请涉及一种半导体管芯(1)，其具有：半导体本体(2)，其包括有源区(3)；绝缘层(4)，其被形成在半导体本体(2)上；钠阻止部(5)，其被形成在绝缘层(4)中，钠阻止部(5)被布置在与绝缘层(4)竖向地相交并且围绕有源区(3)延伸的绝缘层凹槽(20)中，其中钠阻止部(5)由填充绝缘层凹槽(20)的钨材料(15)形成。
半导体管芯制造方法

[发明专利]半导体晶体管器件以及制造半导体晶体管器件的方法-CN202110158123.8在审
发明人：叶俐君;O·布兰克;H·霍费尔;M·胡茨勒;R·西米尼克 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：公开了半导体晶体管器件以及制造半导体晶体管器件的方法。本申请涉及一种半导体晶体管器件(1)，其具有：源极区(2)；本体区(3)，其包括在竖向方向(10)上延伸的沟道区(3.1)；漏极区(4)；栅极区(6)，被布置成在横向方向(11)上在沟道区(3.1)旁边；以及由导电材料(9)制成的本体接触区(7)，其中本体接触区(7)形成本体接触区域(8)，本体接触区(7)经由本体接触区域(8)与本体区(3)电接触，并且其中本体接触区域(8)相对于竖向方向(10)和横向方向(11)倾斜。
半导体晶体管器件以及制造方法

[发明专利]具有对准焊盘的半导体器件以及制造该半导体器件的方法-CN202110123543.2在审
发明人： D·毛雷尔;C·阿尔斯泰特;T·贝雷德尔;O·布兰克;J·博斯特延奇克;A·克莱因比希勒;J·利格尔;N·舒尔策-奥尔默特 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：公开了具有对准焊盘的半导体器件以及制造该半导体器件的方法。半导体器件包括半导体衬底，半导体衬底包括在其上布置有多个管芯焊盘和至少一个对准焊盘的主表面，至少一个对准焊盘用于针对半导体晶片探测的光学处理控制。对准焊盘具有比多个管芯焊盘的硬度小的硬度。
具有对准半导体器件以及制造方法

[发明专利]半导体器件和具有包括热生长部分和沉积部分的场电介质的沟槽场板场效应晶体管-CN201610230409.1有效
发明人： O·布兰克;M·克莱因丁斯特;S·克兰普;R·谢米尼克 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2016-04-14 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件和具有包括热生长部分和沉积部分的场电介质的沟槽场板场效应晶体管。其中，半导体器件包括补偿结构(190)，该补偿结构(190)从第一表面(101)延伸到半导体部分(100)中。半导体部分(100)的在补偿结构(190)中相邻的补偿结构之间的部分形成半导体台面(170)。将补偿结构(190)中的场电极(165)与半导体部分(100)分隔开的场电介质(161)包括热生长部分(161a)，热生长部分(161a)直接邻接半导体部分(100)。场电介质(161)的非完全致密的沉积部分(161b)的密度比热生长部分(161a)的密度低。
半导体器件具有包括生长部分沉积电介质沟槽场效应晶体管

[发明专利]功率MOSFET和制造功率MOSFET的方法-CN201510528105.9有效
发明人： O·布兰克;M·胡茨勒;D·拉福雷特;C·乌夫拉尔;R·西米尼克;叶俐君 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2015-07-14 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及功率MOSFET和制造功率MOSFET的方法。功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)包括在半导体衬底(100)的主表面(110)中栅极沟槽(130)中的栅极电极(132)，栅极沟槽(130)平行于主表面延伸。功率MOSFET进一步包括在主表面(110)中场板沟槽(140)中的场电极(142)，场板沟槽(140)具有在第一方向上的延伸长度，该延伸长度小于在垂直于第一方向的第二方向上的延伸长度的两倍，并且在第一方向上的延伸长度大于在第二方向上的延伸长度的一半，其中第一和第二方向平行于主表面(110)。栅极电极(132)包括栅极电极材料，栅极电极材料包括金属。
功率 mosfet 制造方法

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