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[发明专利]一种半导体器件-CN201810301083.6在审
发明人：汪广羊 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，包括半导体衬底，半导体衬底中形成有体区和漂移区，体区内形成有源区，漂移区内形成有漏区；场氧化层，场氧化层位于漂移区上且漂移区包围至少部分场氧化层；场板结构，场板结构跨设在半导体衬底和场氧化层上，并延伸到体区上；多个接触孔，接触孔深入场氧化层中，其中靠近源区的接触孔深入场氧化层中的深度大于靠近漏区的接触孔深入场氧化层中的深度。通过形成深入场氧化层的接触孔，并控制靠近源区的接触孔深入场氧化层中的深度大于靠近漏区的接触孔深入场氧化层中的深度，既增强了漂移区耗尽，又最大限度地优化了器件的击穿电压和导通电阻。
场氧化层接触孔漂移区衬底漏区半导体半导体器件场板结构靠近源体区漂移导通电阻击穿电压耗尽源区包围延伸优化

[发明专利]P型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管-CN200910032751.0无效
发明人：孙伟锋;贾侃;钱钦松;李海松;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2009-06-19 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种P型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括衬底，其上设埋氧化层，埋氧化层上设P型掺杂半导体区，P型掺杂半导体区上设N阱和P型漏区，N阱上设P型源区和N型接触区，P阱表面设栅氧化层且自N阱延伸至P型掺杂半导体区，N阱表面的P型源区、N型接触区和栅氧化层以外区域及P型掺杂半导体区表面的P型漏区以外区域设场氧化层，栅氧化层表面设多晶硅栅且延伸至场氧化层的表面，场氧化层、N型接触区、P型源区、多晶硅栅及P型漏区的表面设氧化层，P型源区、N型接触区、多晶硅栅和P型漏区上连金属层，在N阱和P型漏区之间的P型掺杂半导体区上设上槽区，在P型掺杂半导体区和埋氧化层的接触的地方设下槽区。
绝缘体横向扩散金属氧化物半导体晶体管

[发明专利]N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管-CN200910032752.5无效
发明人：钱钦松;刘斯扬;孙伟锋;徐申;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2009-06-19 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括衬底，其上设埋氧化层，埋氧化层上设N型掺杂半导体区，N型掺杂半导体区上设P阱和N型漏区，P阱上设N型源区和P型接触区，P阱表面设栅氧化层且自P阱延伸至N型掺杂半导体区，P阱表面的N型源区、P型接触区和栅氧化层以外区域及N型掺杂半导体区表面的N型漏区以外区域设场氧化层，栅氧化层表面设多晶硅栅且延伸至场氧化层的表面，场氧化层、P型接触区、N型源区、多晶硅栅及N型漏区的表面设氧化层，N型源区、P型接触区、多晶硅栅和N型漏区上连金属层，在P阱和N型漏区之间的N型掺杂半导体区上设上槽区，在N型掺杂半导体区和埋氧化层的接触的地方设下槽区。
绝缘体横向扩散金属氧化物半导体晶体管

[发明专利]N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管-CN200910032305.X有效
发明人：易扬波;李海松;王钦;杨东林;陶平 -专利权人：苏州博创集成电路设计有限公司
申请日： 2009-06-10 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，在衬底上设埋氧化层，埋氧化层上设N型掺杂半导体区，N型掺杂半导体区上设P阱和N型漏区，P阱上设N型源区和P型接触区，P阱表面设栅氧化层，P阱表面的N型源区、P型接触区和栅氧化层以外区域及N型掺杂半导体区表面的N型漏区以外区域设场氧化层，栅氧化层表面设多晶硅栅，场氧化层、P型接触区、N型源区、多晶硅栅及N型漏区的表面设氧化层，N型源区、P型接触区、多晶硅栅和N型漏区上连金属层，在P阱和N型漏区之间的N型掺杂半导体区上表面设上槽区，在N型掺杂半导体区和埋氧化层的接触部位设下槽区。
绝缘体横向扩散金属氧化物半导体晶体管

[发明专利]P型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管-CN200910032304.5有效
发明人：易扬波;李海松;王钦;杨东林;陶平 -专利权人：苏州博创集成电路设计有限公司
申请日： 2009-06-10 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及P型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括衬底，其上设埋氧化层，埋氧化层上设P型掺杂半导体区，P型掺杂半导体区上设N阱和P型漏区，N阱上设P型源区和N型接触区，N阱表面设栅氧化层，N阱表面的P型源区、N型接触区和栅氧化层以外区域及P型掺杂半导体区表面的P型漏区以外区域设场氧化层，栅氧化层表面设多晶硅栅，场氧化层、N型接触区、P型源区、多晶硅栅及P型漏区的表面设氧化层，P型源区、N型接触区、多晶硅栅和P型漏区上连金属层，在N阱和P型漏区之间的P型掺杂半导体区上表面设上槽区，在P型掺杂半导体区和埋氧化层的接触部位设下槽区。
绝缘体横向扩散金属氧化物半导体晶体管

[实用新型]一种景观封闭池塘补水处理生态过滤系统-CN202222595783.5有效
发明人：程胜梓;靳胜利;李攀根;李海洋;候雄志;王国民;刘国伟 -专利权人：天津绿茵景观生态建设股份有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C02F9/00 文献下载
摘要：本实用新型属于水处理技术领域，尤其是一种景观封闭池塘补水处理生态过滤系统，包括由上游缓冲区、上游生物接触氧化处理区、中间反应区、中游生物接触氧化处理区、下游过滤区、下游生物接触氧化处理区、终端净化区和终止过渡区组成的坝体，相邻的区之间均设置有透水砖墙，所述上游生物接触氧化处理区、中游生物接触氧化处理区和下游生物接触氧化处理区的内部均设置有多功能管道组件。该景观封闭池塘补水处理生态过滤系统，通过设置多级过滤处理区，降低了水流对底泥的冲击，也在补水处减少外部带来的点源污染，同时在各级处理区均匹配不同功能和形态的水生植物，实现水体净化和污染拦截的同时，也提高了入水口的景观观赏性
一种景观封闭池塘水处理生态过滤系统

[发明专利]集吸附-生物氧化-膜分离技术为一体的短流程微污染原水处理组合系统-CN201110385730.4无效
发明人：邓慧萍;倪炯;金国水;尤晓明;何音腩 -专利权人：同济大学
申请日： 2011-11-29 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： C02F9/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种集吸附-生物氧化-膜分离技术为一体的短流程微污染原水处理组合系统，该系统包括原水箱、生物接触氧化区、过渡区和膜反应区，原水箱通过吸水隔膜泵和管道连接生物接触氧化区顶部一侧进水口，气泵通过气动碟阀和管道连接生物接触氧化区顶部一侧进气口，所述进气口连接进气管，进气管插入生物接触氧化区底部；生物接触氧化区和过渡区内均设有PAC颗粒，生物接触氧化区和过渡区通过溢流板连接，过渡区底部设有排泥斜板，过渡区一侧设有膜池，膜池内设有中空纤维膜；气泵通过气动碟阀和管道连接膜池顶部一侧的进气口
吸附生物氧化分离技术一体流程污染水处理组合系统

[发明专利]一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法-CN201811290910.2在审
发明人：邵锦文;侯同晓;孙致祥;贾仁需;元磊;张秋洁;刘学松 -专利权人：秦皇岛京河科学技术研究院有限公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅MOSFET器件，由下向上依次层叠设置的漏极、N型SiC衬底层、N型漂移层；JFET区、沟道、P阱，依次位于N型漂移层上，且另一边关于JFET区对称，P阱的厚度小于所述沟道的厚度；P型接触区、N型接触区，均位于P阱上，P型接触区位于P阱上的边缘位置，P型接触区、N型接触区和沟道依次接触；源极，位于p型接触区和部分N型接触区上；第一SiO₂栅氧化层，位于部分N型接触区和沟道上；隔离槽，位于N型接触区上，且位于源极和第一SiO₂栅氧化层之间；第二SiO₂栅氧化层，位于JFET区上；多晶硅，位于第一SiO₂栅氧化层和第二SiO₂栅氧化层上。
栅氧化层沟道碳化硅MOSFET 源极边缘位置依次层叠多晶硅隔离槽漏极制备对称

[实用新型]除水中铁锰的装置-CN201921950142.9有效
发明人：杨燕华;季华;徐小生 -专利权人：苏伊士水务工程有限责任公司
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： C02F9/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种除水中铁锰的装置，包括彼此连接的臭氧接触池和滤池，所述臭氧接触池配置为利用臭氧氧化水中的铁锰并生成沉淀，所述滤池配置为过滤所生成的沉淀。其中，所述臭氧接触池包括：进水管道，原水经由所述进水管道从上方进入所述臭氧接触池中；设置在臭氧接触池上部的预氧化区，配置为利用剩余臭氧对原水进行初步氧化；设置在臭氧接触池下部的接触氧化区，接触氧化区的底部设置有臭氧曝气装置，使得产生的臭氧自下而上运动并与水接触反应；以及在接触氧化区的下游与接触氧化区连通的出水管道，配置为与所述滤池连通，使得来自臭氧接触池的水流入滤池。
水中装置

[发明专利]一种减少掩膜次数的Trench MOSFET的制作工艺-CN202210416134.6有效
发明人：张楠;黄健;孙闫涛;顾昀浦;宋跃桦;刘静;吴平丽 -专利权人：捷捷微电（上海）科技有限公司;江苏捷捷微电子股份有限公司
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种减少掩膜次数的Trench MOSFET的制作工艺，包括：形成薄氧化层；形成体区；形成厚氧化层作为第一掩膜；光刻形成沟槽；形成栅氧化层；形成有源区多晶硅和终端区多晶硅；设置第二掩膜，刻蚀有源区多晶硅，使其顶部低于外延层表面；在有源区沟槽的侧壁倾斜注入并形成源区；淀积形成第三氧化层填满有源区空隙区域；各向同性的向下刻蚀第三氧化层，使有源区表面的外延层外露，且在终端区沟槽内形成了终端区接触孔，终端区接触孔延伸至终端区多晶硅内本发明利用第三氧化层和厚氧化层高度的配合，实现了体接触区的自对准刻蚀，省去了原本体接触区形成时候需要的掩膜。而由于体接触区采用无mask的自对准工艺，因此器件的cell pitch可以做的更小。
一种减少次数 trench mosfet 制作工艺

[发明专利]一种SOI体接触器件及其制作方法-CN201711442683.6有效
发明人：宋雷 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种SOI体接触器件，自下而上依次包括衬底、绝缘埋层和有源区，所述有源区包括位于顶层硅中的源区、漏区、沟道、体接触、沟槽隔离，以及位于顶层硅之上的栅氧化层和栅极；所述沟槽隔离呈环形且位于有源区的外围，源区和漏区分别位于沟道的两侧，源区到漏区的方向为沟道方向；所述体接触位于沟道的另外两侧，且两个体接触的连线垂直于沟道方向；所述沟道上方覆盖栅氧化层Ⅱ，所述沟道和体接触之间的空隙以及靠近该空隙的体接触上覆盖栅氧化层Ⅰ，且栅氧化层Ⅱ的厚度小于栅氧化层Ⅰ的厚度；栅氧化层Ⅰ和栅氧化层Ⅱ上沉积栅极。本发明提供的一种SOI体接触器件及其制作方法，可以抑制栅致浮体效应，并保证器件正常电学特性不受影响。
一种 soi 接触器件及其制作方法

[发明专利]降低高压互连影响的器件结构及制造方法-CN202010354969.4有效
发明人：周锌;师锐鑫;乔明;张波 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种降低高压互连影响的器件结构及制造方法，包括非高压互连区和高压互连区：非高压互连区包括第二型掺杂杂质衬底、埋氧化层、第一型掺杂杂质外延层、第二型掺杂杂质阱区、第一型掺杂杂质接触区、第二型掺杂杂质接触区、第一型掺杂杂质阱区、场氧化层、栅氧化层，高压互连区结构包括第二型掺杂杂质衬底、埋氧化层、第一型掺杂杂质外延层、第二型掺杂杂质阱区、第二型掺杂杂质接触区、第一型掺杂杂质阱区、第一型掺杂杂质接触区、场氧化层、淀积氧化层；本发明通过在常规的制造工艺中额外增加淀积氧化层和光刻工艺，提高了高压互连线到器件表面的氧化层厚度，且不影响非高压互连区的氧化层厚度。
降低高压互连影响器件结构制造方法

[实用新型]一种喷漆生产废水与生活污水协同处理集成式装置-CN202121691324.6有效
发明人：李弯;任伟涛;陈媛 -专利权人：南京晨光集团有限责任公司
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C02F9/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种喷漆生产废水与生活污水协同处理集成式装置，包括依次连通的一级混凝絮凝反应区、1#沉淀区、调酸加药区、氧化反应区、二级混凝絮凝反应区、2#沉淀区、混合调质区、水解酸化区、一级接触氧化区、二级接触氧化区、3#沉淀区、废水排放区；其中一级混凝絮凝反应区用于通入喷漆废水，混合调质区用于通入生活污水；本装置通过混凝沉淀‑高级氧化‑水解酸化‑两级接触氧化组合型工艺技术，能够提高废水可生化性，实现污染物高效氧化去除的目的
一种喷漆生产废水生活污水协同处理集成装置

[实用新型]一种带接触式氧化池的一体化污水处理设备-CN201920747143.7有效
发明人：肖兵;李英豪;罗学连;李静;吴艳梅 -专利权人：四川众信利民环保科技有限公司
申请日： 2019-05-23 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： C02F9/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及污水处理技术领域，公开了一种带接触式氧化池的一体化污水处理设备，包括厌氧区、氧化区、过滤区，氧化区包括接触式氧化池、填料区、曝气装置、进水管、出水口，接触式氧化池内腔的底部纵向设有环形筒，且进水管与环形筒内侧连通，进水管出口两侧的环形筒上均设有贯穿环形筒侧壁的导流口，环形筒外壁与接触式氧化池内壁之间的环形腔对称、纵向设有进气管，进气管的上端贯穿接触式氧化池侧壁与气泵连接。本实用新型的设计解决了现有污水接触氧化反应过程中，污水的内循环流动的趋势相对较弱，造成接触氧化反应污水处理效率低的问题。
一种接触氧化一体化污水处理设备

[发明专利]一种内置异质结二极管的SiC沟槽型MOS器件结构-CN202210178643.X在审
发明人：贾云鹏;卢翔鸾;周新田;胡冬青;吴郁 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种内置多晶硅异质结二极管的SiC沟槽型MOS器件结构涉及功率半导体领域，包括源极金属、漏极金属、衬底、N‑漂移区、P‑shielding区、隔离氧化层、栅氧化层、多晶硅源、多晶硅栅、电流扩展层、P‑base区、N‑source区、P‑plus区。衬底一端与漏极金属接触，另一端与漂移层接触，电流扩展层设置于N‑漂移区上，P‑base区设置于电流扩展层上，N‑source区与P‑plus区并列排列设置于P‑base区上，多个沟槽形成于基区并垂直延伸至漂移层中；沟槽左侧填充多晶硅栅，右侧填充多晶硅源，多晶硅栅的左侧、右侧和底部与栅氧化层接触，多晶硅源左侧与栅氧化层接触，多晶硅源与N‑漂移区接触形成异质结。隔离氧化层分别与源极金属及沟槽和N‑source区接触，沟槽与N‑source区接触。本发明提升了开关速度，改善反向恢复电荷。
一种内置异质结二极管 sic 沟槽 mos 器件结构

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