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[实用新型]一种钢筋保护层垫块的锚固结构-CN202320825732.9有效
发明人：沈海涛;姚磊;周新田;田丰收;吴崇乾;林海彬;冯顺平;蒋雪磊;仇韵 -专利权人：浙江恒山建设有限公司
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： E04C5/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及建筑相关技术领域，且公开了一种钢筋保护层垫块的锚固结构，环形垫块的一侧一体成型有弧形凸起块，环形垫块的一侧设有锚固组件，环形垫块的外侧设有锁紧组件，锚固组件包括铁线组，铁线组的外侧固定套接有橡胶管，本实用新型在钢筋外侧安装保护层垫块时，将铁线组套在钢筋外侧，露出的铁线贯穿环形垫块之后，将弧形套筒套在环形垫块的外侧，推动弧形套筒相对环形垫块移动，通过紧固机构固定于环形垫块的外侧，在此过程中，弧形部对弧形凸起块挤压，使得铁线分散，下部嵌入于第一防滑槽内，上部嵌入于第二防滑槽内，起到锁紧目的，实现快速锚固，反转弧形套筒，使得弧形套筒脱离环形垫块，即可将铁线组脱离钢筋。
一种钢筋保护层垫块锚固结构

[发明专利]一种辐照加固的SiC超结MOS结构-CN202111167188.5有效
发明人： 周新田;张仕达;贾云鹏;胡冬青;吴郁 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2021-10-03 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种辐照加固的SiC超结MOS结构，从下至上依次为N+漏区，P柱和N柱交替排列，位于N+漏区的上表面；左侧P‑base区、右侧P‑base区、左侧N‑source区、右侧N‑source区位于所述P‑base5的上表面；左中右三个P柱在芯片内部连为一体，并与左侧P‑plus区、右侧P‑plus相连；栅氧位于所述左侧N‑source区部分区域、右侧N‑source区部分区域、左侧P‑base区的预设区部分区域、右侧P‑base区的预设区部分区域、部分N柱的上表面；多晶硅栅，位于栅氧与隔离氧之间，栅氧位于最上端。本发明具有较强的抗辐照能力，同时具有栅漏电容低、开关损耗低、短路能力强的特点。
一种辐照加固 sic mos 结构

[发明专利]一种基于LDMOS器件内栅电荷补偿的抗总剂量方法-CN202111250922.4有效
发明人：王正江;胡冬青;贾云鹏;蒋佳烨;周新田;吴郁;李新宇 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种基于MOS器件内栅电荷补偿的抗总剂量效应的方法属于抗辐照半导体技术领域。本发明至少包括两种新型MOS器件结构和一种新型电路结构，能够大幅度增强LDMOS器件的抗辐照性能。本发明针对星载LDMOS在总剂量效应作用下产生的阈值漂移甚至是器件失效，提出在LDMOS栅极添加辅助栅极以共同构成复合栅极，再通过旁置的浮栅MOS来引入外部负压源。当总剂量效应使得LDMOS栅氧化层中积累一定量的正电荷后，通过浮栅MOS检测LDMOS阈值漂移程度，且其自身与外部负压源共同向LDMOS辅助栅极引入负电荷来抑制LDMOS的阈值漂移，并在LDMOS阈值回归正常范围后停止该过程，总体上达到将LDMOS阈值控制在合理范围内的效果。本发明可提高集成电路的抗辐照能力。
一种基于 ldmos 器件电荷补偿剂量方法

[发明专利]一种混凝土浇铸模具的开口密封装置及使用方法-CN202310411473.X在审
发明人：沈明虎;高海明;沈海涛;周新田;李华峰;吴崇乾;鲍佳军;房剑平;钱涛 -专利权人：浙江恒山建设有限公司
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： B28B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及混凝土构件预制技术领域，且公开了一种混凝土浇铸模具的开口密封装置及使用方法，密封组件包括封座机构和压紧机构，封座机构包括开口封座，压紧机构包括螺纹压座和滑移夹座，开口封座的底部设置有封堵头，开口封座通过封堵头连接于模具的开口处，封堵头的内侧开设有倒锥形槽孔，滑移夹座活动连接于倒锥形槽孔的内侧，预置钢筋通过滑移夹座固定于模具的开口内侧，本装置区别于原装置，采用组合式的安装结构，并配合接触挤压的方式完对装置自身与预置钢筋的安装固定，操作时仅需对封座机构进行拧动，安装更加方便快捷，并且本装置不需要特定的安装孔位进行配合，可与各类不同的模具搭配使用，具有极高的使用通用性。
一种混凝土浇铸模具开口密封装置使用方法

[发明专利]地下室防水结构及施工工艺-CN202310345711.1在审
发明人：沈明虎;马国强;鲍佳军;胡志洪;李华峰;黄新宇;周新田;姚磊;钱涛 -专利权人：浙江恒山建设有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： E02D31/02 文献下载
摘要：本发明涉及建筑施工技术领域，且公开了地下室防水结构及施工工艺，包括从下向上依次叠铺的垫土层、地下室底板、防渗膜、钢筋混凝土层和表面防护层，地下室底板的表面均匀开设有导水槽，防渗膜铺设于地下室底板的表面，防渗膜的顶部铺设有第一防水层，地下室底板的两侧均开设有集水沟，集水沟与导水槽相连通，本地下室防水结构在地下室底板的顶部铺设防渗膜配合第一防水层构成双重防渗结构，相比于传统单一式结构的防水层具有更好的防渗效果，而且利用在地下室底板顶部设置的导水槽与集水沟构成导流排水结构，可对下层渗出的渗水进行导流收集并排出到外部的排水结构内，相比于传统的隔绝式防水结构，具有更好的防渗效果和使用寿命。
地下室防水结构施工工艺

[发明专利]一种深基坑支护施工工艺-CN202310525211.6在审
发明人：马国强;姚磊;李华峰;高海明;胡志洪;吴崇乾;黄新宇;周新田 -专利权人：浙江恒山建设有限公司
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： E02D17/04 文献下载
摘要：本发明涉及工程施工技术领域，且公开了一种深基坑支护施工工艺，包括以下步骤：S1、深基坑底部开槽；S2、在槽内浇筑混凝土；S3、将围护体放置按照放置槽排列；S4、将相邻的围护体连接面贴合，使得提示组件处于开始工作状态；S5、调节连接组件，使得支撑柱抵触在第一限位槽内侧；S6、完成深基坑支护，通过固定架内部的电机输出轴带动丝杠转动，使得滑块和支撑柱伸出，从而使得支撑柱一端抵触在第一限位槽的内侧，使得支撑柱和固定架与两个围护体内侧壁组成三角形，并且可以根据围护体的高度设置多组连接组件，提高了围护体在对深基坑进行支护时的侧壁的垂直度，保证了围护体对深基坑的支撑效果。
一种基坑支护施工工艺

[发明专利]一种集成肖特基超势垒二极管的沟槽型SiC MOSFET结构-CN202310263723.X在审
发明人： 周新田;李明伟;贾云鹏;胡冬青;吴郁 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2023-03-12 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种集成肖特基超势垒二极管的沟槽型SiC MOSFET结构，从下至上依次为漏极金属、N+衬底区、N‑漂移区、电流扩展层、P‑base区；P‑plus区，N‑source区均位于所述P‑base区预设区域的上表面，并相互并排，N‑source区位于左侧；栅极沟槽贯穿N‑source区、P‑base区，与电流扩展层接触，栅氧位于栅极沟槽内部；肖特基超势垒二极管沟槽贯穿P‑base区，与电流扩展层接触，肖特基超势垒二极管氧化层位于肖特基超势垒二极管沟槽内部。本发明有效抑制双极退化效应，使器件的功耗大大降低,还具有优秀的栅电荷特性、电容特性、反向恢复特性，以及较高的雪崩能力及短路能力的特点。
一种集成肖特基超势垒二极管沟槽 sic mosfet 结构

[发明专利]一种具有半超结结构的快恢复二极管-CN202211106567.8在审
发明人： 周新田;吴岳峰;张蕾;贾云鹏;吴郁;胡冬青;刘峰;刘洋 -专利权人：北京工业大学;阜新嘉隆电子有限公司
申请日： 2022-09-12 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：一种具有半超结结构的快恢复二极管涉及功率半导体技术领域。本发明采用掺杂不同的三层外延层，从上至下分为第一外延层，第二外延层和第三外延层，所述第一外延层采用低掺杂，位于P型区域之下，所述第二外延层采用高掺杂，位于第一外延层及第三外延层之间，所述第三外延层采用低掺杂，位于衬底层之上。本发明所述的结构可以有效降低反向击穿电压对对P型注入区掺杂浓度的敏感性，从而扩大了P型注入区的工艺窗口，同时增大了器件的反向击穿电压。
一种具有半超结结构恢复二极管

[发明专利]一种具有内嵌沟道二极管的SiC MOSFET结构-CN201911040815.1有效
发明人： 周新田;庞浩洋;贾云鹏;胡冬青;吴郁 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种具有内嵌沟道二极管的SiC MOSFET结构，从下至上依次为漏极金属，衬底层，N‑漂移层，JFET区；P‑base区位于JFET区两侧，P‑base预设区域上表面为N+源区及P‑plus区；左侧N+源区、P‑base区以及部分JFET区上表面为MOSFET栅氧，右侧为厚度较薄的沟道二极管栅氧；MOSFET多晶硅栅位于MOSFET栅氧的上表面；沟道二极管多晶硅栅位于沟道二极管栅氧的上表面；隔离氧位于MOSFET多晶硅栅、沟道二极管多晶硅栅以及裸露的MOSFET栅氧和沟道二极管栅氧的上表面；源极金属位于N+源区、P‑plus区及隔离氧的上表面，且与沟道二极管多晶硅栅相连。
一种具有沟道二极管 sic mosfet 结构

[发明专利]一种内嵌沟道二极管的SiC MOSFET制备方法-CN201911040817.0有效
发明人： 周新田;宫皓;贾云鹏;胡冬青;吴郁 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种内嵌沟道二极管的SiC MOSFET制备方法，具体包括在衬底层上表面依次生长N‑漂移层、JFET区；在JFET区两侧形成P‑base区；在P‑base区形成N+源区和P‑plus区；在JFET区、N+源区、P‑plus上表面形成MOSFET栅氧以及厚度较薄的沟道二极管栅氧；在MOSFET栅氧及沟道二极管栅氧的上表面形成MOSFET多晶硅栅和沟道二极管多晶硅栅；在MOSFET多晶硅栅及沟道二极管多晶硅栅上表面淀积SiO2以形成隔离氧；在器件正面溅射源极金属，在器件背面溅射漏极金属。
一种沟道二极管 sic mosfet 制备方法

[发明专利]一种具有内嵌沟道二极管的双沟槽SiC MOSFET结构及其制备方法-CN201911361615.6有效
发明人：贾云鹏;夏天;周新田;赵元富;胡冬青;吴郁 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种具有内嵌沟道二极管的双沟槽SiC MOSFET结构及其制备方法，结构包括：N‑漂移层；衬底层；漏极金属；JFET区；P‑base区；N+源区；P‑region区；P‑plus区；MOSFET栅氧；沟道二极管栅氧，厚度要小于MOSFET栅氧；MOSFET多晶硅栅；沟道二极管多晶硅栅；隔离氧；源极金属。一方面，在电路中充当续流二极管的作用时，完全消除传统SiC MOSFET结构因少数载流子复合发生的双极退化效应，并且具备更低的开启电压，减小了功率损耗；另一方面，器件的输入电容、转移电容及栅电荷特性得到了极大改善。此外，相比传统器件的制造方法，只增加了一步刻蚀栅氧工艺，控制了制作成本。
一种具有沟道二极管沟槽 sic mosfet 结构及其制备方法

[发明专利]一种建筑外立面安装结构及其安装方法-CN202111229603.5有效
发明人：沈明虎;高海明;马国强;鲍佳军;李华峰;周新田;沈海涛;蔡杰;吕武星 -专利权人：浙江恒山建设有限公司
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： E04F13/076 文献下载
摘要：本申请涉及一种建筑外立面安装结构，属于建筑工程领域，其包括用于固定在建筑物主体上的安装组件和设置在安装组件上的外立面板材，所述安装组件包括安装座，所述安装座通过螺栓组件固定安装在建筑物主体上，所述安装座的一端延伸至建筑物主体的外部，所述安装座位于建筑物主体外的一端设置有限位卡条，所述限位卡条位于安装座远离地面的一面，所述外立面板材朝向地面的一端开设有供限位卡条卡设的限位卡槽，所述限位卡条上设置有定位件，所述限位卡槽的侧壁上开设有供定位件插设的定位槽。本申请能够较为方便地对外立面板材进行安装和拆卸。
一种建筑外立面安装结构及其方法

[发明专利]一种深基坑降水施工装置及施工方法-CN202111237305.0有效
发明人：沈明虎;马国强;高海明;姚磊;周新田;胡志洪;沈海涛;蔡杰;黄新宇 -专利权人：浙江恒山建设有限公司
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： E02D19/10 文献下载
摘要：本申请涉及一种深基坑降水施工装置，属于建筑施工装置领域，其包括推车，所述推车上设置有用于抽出基坑内的浆水的抽水机构，所述抽水机构包括泥浆泵，所述泥浆泵的吸入端设置有吸水管，所述吸水管远离泥浆泵的一端设置有扩口吸盘，所述吸水管的外部设置有用于防止扩口吸盘沉入基坑底部的浮动组件，所述浮动组件位于扩口吸盘的上方，所述扩口吸盘的外部设置有防护框，所述防护框位于浮动组件的正下方并通过连接螺栓与浮动组件可拆卸连接。本申请能够在一定程度上避免吸水管沉入基坑的底壁而影响对浆水的抽吸效果。
一种基坑降水施工装置方法

[实用新型]一种用于单粒子试验的电应力偏置装置-CN202220247832.3有效
发明人：贾云鹏;奥诗漫;李新宇;周新田;胡冬青;吴郁 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2022-01-31 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：一种用于单粒子试验的电应力偏置装置属于半导体器件技术领域。本实用新型提出的装置主要通过固定内侧负责测试电路功能的同心圆PCB，与外侧可通过步进电机控制转动的同心圆PCB接触，实现了一次单粒子试验装置放置后可进行多组试验的目的，结合双工位系统，减小了用于更换器件的无效时间，大大提升了测试效率，有效解决了传统测试装备耗时耗力耗财的问题。
一种用于粒子试验应力偏置装置

[发明专利]一种具有超结结构的碳化硅肖特基二极管-CN202210432449.X在审
发明人： 周新田;卢翔鸾;贾云鹏;胡冬青;吴郁;刘峰;宗雷 -专利权人：北京工业大学;阜新嘉隆电子有限公司
申请日： 2022-04-23 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种具有超结结构的碳化硅肖特基二极管涉及功率半导体技术领域，包括衬底层，外延层，P型注入区，氧化层，金属电极层，金属电极层包括阳极金属层与阴极金属层，所述衬底层设置于外延层层之上，所述外延层从上至下分为第一外延层，第二外延层与第三外延层，所述第三外延层设置于衬底层之上，所述第一外延层上端与阳极金属层接触，所述第二外延层位于第一外延层及第三外延层之间，所述外延层上开设矩形沟槽，氧化层设置于沟槽内部，氧化层与外延层之间设置P型注入区，所述P型注入区包裹氧化层，将氧化层与外延层分隔开。P型注入区侧面与第一外延层及第二外延层接触，P型注入区底部与第二外延层接触，顶部与阳极金属层接触。
一种具有结构碳化硅肖特基二极管

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