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[发明专利]左右驾光形一体设置的车辆前照灯-CN201910384927.2在审
发明人：祝贺;仇智平;李辉;李志兵;李聪 -专利权人：华域视觉科技（上海）有限公司
申请日： 2019-05-09 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： F21S41/663 文献下载
摘要：本发明涉及汽车照明技术领域的左右驾光形一体设置的车辆前照灯，将近光光形分成截止部和辅助近光区，截止部分为左驾截止区和右驾截止区，且左驾截止区和右驾截止区均由至少一个独立设置的光源形成，左驾截止区和辅助近光区合成左驾时的近光光形，右驾截止区和辅助近光区合成右驾时的近光光形；使得该车辆前照灯具有通用性高、造型灵活性高、光形切换无噪声以及系统构成相对简单的优点。
截止区近光区前照灯光形近光光形一体设置合成独立设置光源形成汽车照明截止部无噪声截止造型

[发明专利]沟槽型MOSFET终端-CN202211107410.7在审
发明人：杨科;苏毅;常虹 -专利权人：华羿微电子股份有限公司
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：包括：源极区金属层，栅极区金属层，截止区金属层，依次设置在第一导电外延层内的接地沟槽，悬空沟槽和截止区沟槽；所述源极区金属层通过第四接触孔与位于所述接地沟槽的第一多晶硅层接触；所述截止区金属层通过第五接触孔与位于所述截止区沟槽的栅氧化层接触；所述悬空沟槽位于所述截止区沟槽与所述接地沟槽之间；所述截止区金属层通过第六接触孔与位于所述截止区沟槽一侧的第一导电类型源区接触。
沟槽 mosfet 终端

[发明专利]一种反向阻断型FS-IGBT-CN201810737634.3有效
发明人：黄铭敏;刘丰豪;李睿 -专利权人：四川大学
申请日： 2018-07-02 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种反向阻断型场截止绝缘栅双极型晶体管（Reverse Blocking Field Stop Insulated Gate Bipolar Transistor，RB FS‑IGBT）器件，其漂移区顶部有载流子存储区和连接栅极的槽型栅极结构，底部有场截止区和连接集电极的槽型栅极结构。在正向阻断态下，连接栅极的槽型栅极结构屏蔽了载流子存储区的高电场，场截止区截止了漂移区底部的电场；在反向阻断态下，连接集电极的槽型栅极结构屏蔽了截止区的高电场，载流子存储区截止了漂移区顶部的电场。
一种反向阻断 fs igbt

[发明专利]一种功率半导体器件及其制造方法-CN201510300081.1有效
发明人：马万里;闻正锋;赵文魁 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-06-03 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种功率半导体器件及其制造方法，该功率半导体器件包括划片道区与多个芯片区，划片道区用于分隔多个芯片区，每个芯片区包括截止环区，截止环区邻接划片道区，截止环区上覆盖有金属层，金属层的一部分设置在划片道区上本发明打破不在划片道内设置金属的传统做法，将靠近划片道区侧的截止环区域的金属层放置到划片道内，节省了截止环区的面积，进而减小了半导体功率器件的面积，降低了成本。
一种功率半导体器件及其制造方法

[发明专利]集成续流二极管的功率半导体器件及其形成方法-CN201310613993.5有效
发明人：顾悦吉;闻永祥;刘琛;刘慧勇 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2013-11-27 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种集成续流二极管的功率半导体器件及其形成方法，该器件包括：具有第一掺杂类型的场截止区，该场截止区包括第一外延层，或者该场截止区包括半导体衬底以及位于该半导体衬底正面的第一外延层；位于场截止区正面上的第二外延层，第二外延层的背面与场截止区的正面贴合，第二外延层具有第一掺杂类型；IGBT器件的基区、发射区、栅介质层和栅极，形成于所述第二外延层的正面，基区具有第二掺杂类型，发射区具有第一掺杂类型；具有第二掺杂类型的集电区，位于场截止区的背面；具有第一掺杂类型的二极管接触区，位于场截止区的背面。本发明的功率半导体器件具有开关安全工作区宽、鲁棒性强以及制造成本低等优点。
集成二极管功率半导体器件及其形成方法

[实用新型]集成续流二极管的功率半导体器件-CN201320766529.5有效
发明人：顾悦吉;闻永祥;刘琛;刘慧勇 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2013-11-27 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种集成续流二极管的功率半导体器件，该器件包括：具有第一掺杂类型的场截止区，该场截止区包括第一外延层，或者该场截止区包括半导体衬底以及位于该半导体衬底正面的第一外延层；位于场截止区正面上的第二外延层，第二外延层的背面与场截止区的正面贴合，第二外延层具有第一掺杂类型；IGBT器件的基区、发射区、栅介质层和栅极，形成于所述第二外延层的正面，基区具有第二掺杂类型，发射区具有第一掺杂类型；具有第二掺杂类型的集电区，位于场截止区的背面；具有第一掺杂类型的二极管接触区，位于场截止区的背面。本实用新型的功率半导体器件具有开关安全工作区宽、鲁棒性强以及制造成本低等优点。
集成二极管功率半导体器件

[发明专利]功率器件的制造方法及功率器件-CN201410043913.1在审
发明人：李理;马万里;赵圣哲 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-01-29 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种功率器件的制造方法及功率器件，其中制造方法包括：在形成有截止环、划片道区、分压区和有源区的半导体芯片上，对所述截止环和划片道区进行刻蚀，以去除所述截止环和划片道区的设定厚度；在所述截止环和划片道区的表面注入离子本发明提供的功率器件的制造方法及功率器件能够解决现有的功率器件的截止环占用面积较大的问题，以提高半导体芯片的利用率。
功率器件制造方法

[发明专利]高压IGBT器件的VLD终端及其制备方法-CN201210563950.6有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：上海矽睿科技有限公司
申请日： 2012-12-21 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明揭示了一种高压IGBT器件的VLD终端及其制备方法，所述终端制作于半导体基板之上，半导体基板上分别设置有源区、过渡区和保护区；有源区设有基区与漂移区构成的IGBT元胞的并联结构；过渡区包括漂移区，同时与有源区及保护区相连，位于有源区之外、保护区之内；保护区包括VLD分压保护区及截止环保护区，VLD分压保护区位于保护区内侧，VLD分压保护区环绕过渡区，VLD分压保护区及基区在第一主平面内通过第一电极相连，截止环保护区位于保护区外侧，并独立于VLD分压保护区，截止环保护区环绕包围VLD分压保护区，截止环保护区包括第一导电类型截止环和第二导电类型截止环。
高压 igbt 器件 vld 终端及其制备方法

[发明专利]半导体装置-CN201580001596.X有效
发明人：鸟居克行 -专利权人：三垦电气株式会社
申请日： 2015-01-14 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：具有：第1导电类型的集电区；第2导电类型的场截止区，其配置在集电区之上；第2导电类型的漂移区，其配置在场截止区之上，且杂质浓度低于场截止区；第1导电类型的基区，其配置在漂移区之上；第2导电类型的发射区，其配置在基区之上，场截止区的膜厚方向的杂质浓度梯度与集电区相邻的区域中大于与漂移区相邻的区域。
导电类型截止区集电区漂移区配置基区杂质浓度梯度半导体装置膜厚方向发射区

[发明专利]一种具沟槽场截止结构的IGBT芯片及其制作方法-CN202310932428.9在审
发明人：腾渊;刘坤;彭贤春 -专利权人：深圳芯能半导体技术有限公司
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种具沟槽场截止结构的IGBT芯片及其制作方法，该IGBT芯片包括：元胞区和终端区，终端区包括场截止结构，场截止结构包括至少一个多晶硅沟槽区和至少一个多晶硅膜层区，至少一个多晶硅沟槽区和至少一个多晶硅膜层区连通，且至少一个多晶硅膜层区沿芯片内侧延伸。本发明在芯片终端区的外侧，采用与元胞区同时形成的沟槽结构作为电场截止环，沟槽中填充的重掺杂N型多晶硅可以起到电场截止层的效果，远远大于传统的N+截止环的结深，同时省略了额外的工艺热过程，这样能够与元胞区的栅极沟槽在同一步工艺中形成，与主流的沟槽栅IGBT工艺流程完全兼容，在不增加芯片制造工艺复杂度的情况下，大大提升终端区场截止结构对于电场的阻断效果。
一种沟槽截止结构 igbt 芯片及其制作方法

[发明专利]环形双向渐深变密度片-CN201210431511.X有效
发明人：张勇喜;金秀;王瑞生;胡雯雯;马敬;赵帅锋 -专利权人：沈阳仪表科学研究院
申请日： 2012-11-01 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：本发明属光学密度片领域，尤其涉及一种环形双向渐深变密度片，它包括玻璃基片(1)及镀制其上的衰减膜(2)；所述衰减膜(2)包括圆形中心截止区(3)、环形内圈渐变区(4)、环形中间高透区(5)、环形外圈渐变区(6)及环形外圈截止区(7)；所述圆形中心截止区(3)、环形内圈渐变区(4)、环形中间高透区(5)、环形外圈渐变区(6)及环形外圈截止区(7)同心且沿直径方向依次相邻。本发明环形双向渐深变密度片在直径方向光密度呈“W”形，中间环带高透过用于观测，中心和外圈深度截止用于消除杂散光。本发明亮区为全透，亮区和暗区之间，光密度线性变化，在进行日食观测时，可有效阻挡周边杂散光，保护眼睛免受伤害。
环形双向渐深变密度

[发明专利]RC-IGBT器件及其制备方法-CN201810714068.4有效
发明人：谭犇;田晓丽;白云;宋瓘;顾航;杨成樾;汤益丹;陈宏;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：该RC‑IGBT器件包括具有第一导电类型的第一集电区以及具有第二导电类型的第二集电区，第一集电区具有贯穿场截止区的第一端部，用于将场截止区隔离为第一截止区和第二截止区，第一集电区中除第一端部之外的部分与第一截止区接触设置，第二集电区与第二截止区接触设置。由于上述第一集电区中第一端部对场截止区的隔离作用，电子或空穴需要爬过该第一端部，增长了载流子运动路径，从而增大了RC‑IGBT器件在导通初期第一集电区上方电势差，使得该PN结更容易开启，器件更容易从单极导通转换为双极导通
rc igbt 器件及其制备方法

[发明专利]一种MOSFET器件终端结构和制作方法-CN202310654448.4在审
发明人：鞠柯;孟军;陈烨;徐励远;许柏松 -专利权人：江苏新顺微电子股份有限公司
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种MOSFET器件终端结构和制作方法，终端结构包括元胞区，以及围绕元胞区的终端区，终端区包括沟槽分压环和掺杂截止环，沟槽分压环和掺杂截止环都位于衬底之上；沟槽分压环，位于终端区靠近元胞区的一端且向远离元胞区的另一端延伸，包括第二掺杂区，所述第二掺杂区上覆盖金属场板；掺杂截止环，位于终端区远离元胞区的一端，包括第四掺杂区，掺杂截止环上面覆盖金属场板；第二掺杂区和第四掺杂区都是通过注入扩散的方式形成；沟槽分压环与掺杂截止环之间为衬底采用本终端结构可以避免耗尽区耗尽到划片道而形成漏电通道的同时，还能减小终端区的宽度。
一种 mosfet 器件终端结构制作方法

[实用新型]提高截止效果的沟槽型功率MOS器件-CN201220000743.5有效
发明人：朱袁正;秦旭光;丁磊 -专利权人：无锡新洁能功率半导体有限公司
申请日： 2012-01-04 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种提高截止效果的沟槽型功率MOS器件，其包括位于半导体基板中心区的元胞区及位于元胞区外圈的终端保护区，终端保护区环绕包围元胞区；元胞区包括若干并联设置的元胞，元胞采用沟槽结构；终端保护区包括位于内圈的至少一个分压保护环及位于外圈的截止环，分压保护环采用沟槽结构；所述截止环对应第二导电类型阱层内的上部设有第一导电类型注入区；在覆盖于截止环的绝缘介质层上刻蚀有第二欧姆接触孔，第二欧姆接触孔内填充有第二金属层，所述第二金属层并覆盖于截止环上对应的绝缘介质层上；第二金属层与截止环内的第一导电类型注入区及第二导电类型阱层欧姆接触。本实用新型结构紧凑，能有效抑制源极漏极间的漏电流，提高截止效果。
提高截止效果沟槽功率 mos 器件

[发明专利]一种盐湖提锂生产系统-CN202211178239.9在审
发明人：张金涛;拉巴江村;次仁;张科;张建飞;赵庆;元西方;张秋爽 -专利权人：西藏矿业发展股份有限公司;倍杰特集团股份有限公司
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： C02F1/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种盐湖提锂生产系统，包括：用于富集锂离子的第一处理区和用于富集碳酸根的第二处理区，第一处理区被配置为形成第一透过流和第一截止流，第二处理区被配置为形成第二透过流和第二截止流，第一截止流经第二处理区处理以第二透过流的形式返回到第一处理区，第二子截止流经过第二处理区处理产生与第二子透过流混合的第三子透过流以及与第一子截止流混合的第三子截止流，第三子截止流和/或第四截止流与第一子截止流混合以连续输出富含碳酸根的碳酸钠回收纳滤浓水第二子截止流经两级透析纳滤单元处理的过程中，两级透析纳滤单元的进水口处增设引入氯化钠溶液以通过第二透析透过流与第二截止流之间的渗透压的方式减少系统运行压力。
一种盐湖生产系统

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