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[发明专利]一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法-CN201811004022.X有效
发明人：田晓丽;谭犇;宋瓘;白云;杨成樾;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法，所述绝缘栅双极晶体管包括：衬底；缓冲层，形成于所述衬底上；外延层，形成于所述缓冲层上；结型场效应结构JFET区，形成于所述外延层内，JFET区的宽度为2.5～12μm；CJI掺杂区，形成于所述JFET区中，且所述掺杂区位于栅介质层的厚度拐点处；第一栅介质层，形成于所述外延层上，所述第一栅介质层的厚度为0.5μm～1.2μm。
一种绝缘双极晶体管及其制作方法

[发明专利]RC-IGBT器件及其制备方法-CN201810714068.4有效
发明人：谭犇;田晓丽;白云;宋瓘;顾航;杨成樾;汤益丹;陈宏;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种RC‑IGBT器件及其制备方法。该RC‑IGBT器件包括具有第一导电类型的第一集电区以及具有第二导电类型的第二集电区，第一集电区具有贯穿场截止区的第一端部，用于将场截止区隔离为第一截止区和第二截止区，第一集电区中除第一端部之外的部分与第一截止区接触设置，第二集电区与第二截止区接触设置。由于上述第一集电区中第一端部对场截止区的隔离作用，电子或空穴需要爬过该第一端部，增长了载流子运动路径，从而增大了RC‑IGBT器件在导通初期第一集电区上方电势差，使得该PN结更容易开启，器件更容易从单极导通转换为双极导通，进而抑制了RC‑IGBT器件在导通初期所产生的Snapback效应。
rc igbt 器件及其制备方法

[发明专利]一种环形温度传感器-CN201811156415.2有效
发明人：顾航;白云;谭犇;陈宏;宋瓘;张有润;汤益丹;田晓丽;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： G01K7/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种环形温度传感器，用于测量晶体管的温度，包括：按由内而外顺序依次设置在所述晶体管的有源区的环形P型重掺杂区、环形N型重掺杂区、环形阳极、环形N阱区以及环形P阱区；以及环形阴极，所述环形阴极设置在所述环形N型重掺杂区；其中，所述环形阴极与所述晶体管的源极短路设置。
一种环形温度传感器

[发明专利]一种碳化硅绝缘栅双极型晶体管及其制作方法-CN201810131088.9有效
发明人：邓小川;徐少东;谭犇;李轩;曹厚华;曾莉尧;张波 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：一种碳化硅绝缘栅双极型晶体管及其制作方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明提供的SiC IGBT器件包括自下而上依次层叠设置的金属集电极、衬底、缓冲层、漂移区、栅极结构、层间介质层和发射极金属，其中，漂移区的两端分别存在凹槽，两个凹槽相互独立并在其间形成一个高于凹槽底部平面的平台，本发明在凹槽底部顶层和平台顶层上集成了平面型和槽栅型IGBT，相比传统平面型IGBT增加了水平沟槽和垂直沟槽的数量，进而增强了正向电导调制效应，提升了器件正向导通能力；并且有利于屏蔽凹槽底部的电场集聚效应，提高了器件制造的可行性。此外，本发明提供的制作工艺与现有半导体制作工艺相兼容，无需增加额外的工艺步骤，节约了器件制造成本。
一种碳化硅绝缘栅双极型晶体管及其制作方法

[发明专利]带有过热保护功能的射频LDMOS晶体管-CN201710004433.8有效
发明人：邓小川;刘冬冬;宋凌云;童星;万殊燕;杨文驰;谭犇;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-01-04 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种带有过热保护功能的射频LDMOS晶体管，包括集成在同一芯片上的SONOS器件、NPN BJT热传感器和射频LDMOS器件；SONOS器件栅极存储有正电荷；SONOS器件栅极通过金属连接至NPN BJT热传感器基极，为NPN BJT热传感器的发射结提供偏置；NPN BJT热传感器的集电极接在LDMOS栅极上，为LDMOS栅极提供电流泄放通道；由于本发明将射频LDMOS器件过热保护电路集成到了射频LDMOS芯片上且不需要独立的供电引脚，大大减小了射频系统的复杂性和从而降低了以射频LDMOS器件为核心的射频系统的制造和维护成本。
带有过热保护功能射频 ldmos 晶体管

[发明专利]一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法-CN201811004937.0在审
发明人：田晓丽;谭犇;宋瓘;白云;杨成樾;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法，包括：衬底；缓冲层形成于衬底上；外延层形成于缓冲层上；埋层基区形成于外延层内；沟槽型栅极形成于外延层内；Dummy区形成于沟槽型栅极之间，并与沟槽型栅极电连接，Dummy区为非导电区；埋层基区位于沟槽型栅极的一侧，埋层基区位于源区的下方，且在纵向分布上，所述埋层Base区的深度大于所述沟槽型栅极的深度；如此，可以降低沟槽型栅极底部拐角处的电场强度，提高栅介质层的可靠性及稳定性；因沟槽型栅极使得晶体管具有纵向沟道，可消除JFET区电阻，降低正向导通电压；Dummy区可提高击穿电压，增大晶体管的元胞节距和优化沟道晶向，进一步降低正向导通电压。
沟槽型栅极埋层外延层基区绝缘栅双极晶体管正向导通电压缓冲层晶体管衬底非导电区击穿电压栅介质层纵向分布纵向沟道电连接拐角处电阻沟道节距晶向元胞源区制作优化

[发明专利]一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法-CN201811004891.2在审
发明人：田晓丽;谭犇;宋瓘;白云;杨成樾;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种绝缘栅双晶体管及其制作方法，绝缘栅双极晶体管包括：衬底；缓冲层形成于衬底上；外延层形成于缓冲层上；埋层基区形成于外延层内；沟槽型栅极形成于外延层内；浮空掺杂区形成沟槽型栅极之间，浮空掺杂区内的电位是浮空的；介质层形成外延层上；埋层基区位于沟槽型栅极的一侧，埋层基区位于源区的下方，且在纵向分布上，埋层基区的深度大于所述沟槽型栅极的深度；如此，埋层基区可降低沟槽型栅极底部拐角处的电场强度，提高栅介质层的可靠性及稳定性；沟槽型栅极可以消除JFET区电阻，降低晶体管的正向导通电压；浮空掺杂区可以降低沟槽型栅极底部另一拐角处的电场强度，增大晶体管的元胞节距和优化沟道晶向，提高击穿电压。
沟槽型栅极基区埋层外延层浮空晶体管绝缘栅双极晶体管掺杂区拐角处缓冲层衬底正向导通电压电位击穿电压绝缘栅双栅介质层纵向分布介质层电阻沟道节距晶向元胞源区制作掺杂优化

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