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[发明专利]减小半导体衬底上扩的方法-CN201510296934.9有效
发明人：马万里;闻正锋;赵文魁 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-06-03 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种减小半导体衬底上扩的方法。该方法包括：在衬底中形成氧化层埋层，所述氧化层埋层的上表面与所述衬底的上表面在同一水平面；在所述衬底和所述氧化层埋层的上表面生长外延层；在所述外延层中注入下沉离子，通过高温驱入使所述下沉离子向下扩散、所述衬底中除所述氧化层埋层下面的离子向上扩散。本发明实施例基于掺杂离子在二氧化硅中的扩散系数远小于在硅中的扩散系数，在衬底中形成氧化层埋层，使得氧化层埋层下方的掺杂离子在高温驱入过程中几乎不上扩，避免漂移区下方的衬底的掺杂离子在高温驱入过程中上扩，不需要增大外延层的厚度，减小了RFLDMOS的导通电阻，提高了RFLDMOS的性能。
减小半导体衬底方法

[发明专利]金属氧化物功率器件的制备方法及功率器件-CN201510238957.4有效
发明人：邱海亮;闻正锋;马万里;赵文魁 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-05-11 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提出了一种金属氧化物功率器件的制备方法及功率器件，其中，所述制备方法包括：在制备有金属氧化物功率单元的衬底的预留区域上形成电容的介电层，用于形成所述电容和所述金属氧化物功率单元的一侧作为所述衬底的正侧；在所述衬底的正侧形成所述金属氧化物功率单元上形成第一金属电极，在所述介电层上形成第二金属电极，以及在所述衬底的背侧形成第三电极，以完成所述金属氧化物功率单元的制备过程。通过本发明的技术方案，通过将电容和金属氧化物功率单元制备在一个功率器件上，从而不仅增大了功率器件的集成度，还降低了功率器件的生产成本。
金属氧化物功率器件制备方法

[发明专利]功率器件的制备方法和功率器件-CN201510237053.X有效
发明人：邱海亮;闻正锋;马万里;赵文魁 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-05-11 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提出了一种功率器件的制备方法和一种功率器件，其中，所述制备方法包括：在制备有二极管和功率单元的氧化层保护层上形成光阻层；去除所述功率单元的有源区的所述氧化层保护层上的所述光阻层，并保留所述二极管的静电防护区的所述氧化层保护层上的所述光阻层，以完成所述功率器件的制备过程。通过本发明的技术方案，通过在二极管的静电防护区的氧化层保护层上形成光阻层，避免了在制备功率器件的过程中静电防护区的氧化层保护层的拐角处被刻蚀，从而避免了在二极管的多晶硅基层结构上形成金属硅化物，进而保证了二极管对功率器件的静电防护的功能，进一步地保证了功率器件的可靠性。
功率器件制备方法

[发明专利]射频横向双扩散金属氧化物半导体的制作方法-CN201510297235.6有效
发明人：马万里;闻正锋;赵文魁 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-06-03 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种射频横向双扩散金属氧化物半导体的制作方法，包括：向衬底中注入第一预设浓度的下沉区离子，并通过高温驱入形成具有第一预设浓度的下沉区；向形成具有第一预设浓度的下沉区的衬底中注入第二预设浓度的体区离子，并通过高温驱入形成具有第二预设浓度的体区；向形成具有第二预设浓度的体区的衬底上注入第三预设浓度的漂移区离子，形成具有第三预设浓度的漂移区、具有第四预设浓度的下沉区和具有第五预设浓度的体区。本发明提供的RF LDMOS制作方法，通过控制向下沉区、体区和漂移区注入的离子浓度，使得在制作漂移区时，无需光刻版定义漂移区，无光阻做掩膜，简化了漂移区的制作过程，从而简化了RF LDMOS的制作过程，节省了成本。
射频横向扩散金属氧化物半导体制作方法

[发明专利]射频横向双扩散金属氧化物半导体及其制造方法-CN201510319622.5有效
发明人：马万里;闻正锋;赵文魁 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-06-11 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种射频横向双扩散金属氧化物半导体及其制造方法，其中方法包括：通过对待生成体区、源区、漂移区和漏区的浓衬底的区域进行刻蚀，形成沟槽区域，在沟槽区域生长轻掺杂外延层，对轻掺杂外延层进行离子注入，生成体区、源区、漏区和漂移区，使得位于浓衬底上部的源区可以直接通过浓衬底引向浓衬底的底部，降低了射频横向双扩散金属氧化物半导体的正背面之间的电阻，从而降低了射频横向双扩散金属氧化物半导体的导通电阻，提高了射频横向双扩散金属氧化物半导体的性能。
射频横向扩散金属氧化物半导体及其制造方法

[发明专利]具有静电释放保护二极管的半导体器件及其制造方法-CN201510299757.X有效
发明人：马万里;闻正锋;赵文魁 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-06-03 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有静电释放保护二极管的半导体器件及其制造方法，该制造方法包括：S1、对半导体器件衬底的外延层的部分区域进行氧化，形成场氧化区域；S2、对场氧化区域进行刻蚀，使外延层在场氧化区域的上表面低于在非场氧化区域的上表面；S3、并在第一氧化层与场氧化层之上沉积多晶硅层；S4、刻蚀多晶硅，形成位于场氧化区域的静电释放多晶硅以及位于非氧化区域的栅极多晶硅，并使静电释放多晶硅的上表面低于栅极多晶硅的上表面；S5、在步骤S4生成的结构上表面沉积第二氧化层；S6、研磨第二氧化层，用于暴露栅极多晶硅的上表面；S7、沉积金属钛，并生成钛硅合金。本发明的方法可以实现保护二极管正常工作的同时降低栅电阻的效果。
具有静电释放保护二极管半导体器件及其制造方法

[发明专利]射频横向双扩散MOS器件的制作方法-CN201510330439.5有效
发明人：马万里;闻正锋;赵文魁 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-06-15 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种射频横向双扩散MOS器件的制作方法，包括：提供衬底，所述衬底的表面内形成有所述器件的源区、漏区、漂移区和体区，所述衬底表面上形成有所述器件的栅极；在整个器件的表面上依次沉积第一氧化层和场板；通过光刻，去除预设区域内的所述场板，以保留位于所述栅极上方的第一水平场板、覆盖所述栅极的一侧壁的竖直场板、以及位于靠近所述侧壁的部分漂移区上方的第二水平场板；在整个器件的表面上沉积第二氧化层；对整个器件的表面进行研磨，直至所述第一水平场板被研磨掉。本发明提供的方案，无需对光刻工艺有过高要求，即可降低场板产生的寄生电容，进一步提升器件性能和成品率。
射频横向扩散 mos 器件制作方法

[发明专利]射频横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法-CN201510320704.1有效
发明人：马万里;闻正锋;赵文魁 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-06-11 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种射频横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法，其中制作方法包括：在衬底中形成沟槽，在所述沟槽内形成外延层，所述外延层的上表面与所述衬底的上表面齐平，在所述外延层中形成源区，在所述衬底与所述源区的表面形成金属连接层，以使所述衬底和所述源区通过所述金属连接层导通。本发明的射频横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法，通过在衬底中形成沟槽，改变了衬底的结构，从而通过衬底本身将源区引向器件的背面，无需进行长时间的高温推进，保证了外延层的厚度，增大了器件的击穿电压。
射频横向扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法

[发明专利]射频RF LDMOS器件的制造方法-CN201510334999.8有效
发明人：马万里;闻正锋;赵文魁 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-06-16 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种射频RF LDMOS器件的制造方法，包括：提供衬底，向器件的漂移区对应的衬底表面进行氧离子注入，形成注入区；在衬底表面上生长外延层，形成所述器件的下沉层，通过进行第二次热驱入，使所述下沉层和除所述注入区下方以外的衬底扩散，直至所述下沉层与所述衬底接触；根据预设的工艺，形成所述器件的栅极、源区和漏区。通过本发明提供的方法，能够避免因衬底扩散导致外延层的有效厚度减小，进而有效提高器件的耐压特性。
射频 rfldmos 器件制造方法

[发明专利]一种高频水平双扩散氧化物半导体器件及其制作方法-CN201510233171.3有效
发明人： 闻正锋;邱海亮;马万里;赵文魁 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-05-08 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种高频水平双扩散氧化物半导体器件及其制造方法，所述方法包括：在外延层上表面生成第一预设厚度的垫氧化层；在所述垫氧化层上的第一预设区域定义下沉区域，并在所述下沉区域的垫氧化层上形成预设深度的凹槽，所述凹槽的底部位于所述氧化层中；在所述凹槽中进行下沉区离子注入，形成下沉区；在所述垫氧化层上表面沉积氮化硅，然后以所述凹槽为对准标记定义有源区并制备有源区。本发明通过在外延层上形成一层较厚的氧化层，在氧化层上通过刻蚀形成凹槽，并将凹槽作为形成下沉层的对准标记，从而避免了传统工艺中的离子注入区形成断层，降低了器件的导通电阻，并且避免了产生晶格缺陷。
一种高频水平扩散氧化物半导体器件及其制作方法

[发明专利]半导体器件的制备方法-CN201510312724.4有效
发明人：马万里;闻正锋;赵文魁 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-06-09 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制备方法，包括：在半导体硅基底的表面上依次形成了栅氧化层、低阻化多晶硅层和氮化硅层之后，对栅氧化层、低阻化多晶硅层和氮化硅层进行光刻和刻蚀，形成半导体器件的栅极；再形成半导体器件的体区、漂移区、源区、漏区以及P+区；形成薄氧化层，去除氮化硅层之后，利用氢氟酸溶液，去除低阻化多晶硅层表面上形成的第一自然氧化层，再在低阻化多晶硅层的表面上形成金属硅化物层。实现了去除了低阻化多晶硅层表面由于暴露在空气中而形成的自然氧化层，防止自然氧化层阻挡金属与多晶硅反应，可以制得合适厚度的金属硅化物层，有效的降低了半导体器件的栅极的电阻。
半导体器件制备方法

[发明专利]射频水平双扩散金属氧化物半导体器件及制作方法-CN201510232641.4有效
发明人： 闻正锋;邱海亮;马万里;赵文魁 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-05-08 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种射频水平双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法，本发明利用垫氧化层刻蚀的方法形成下沉区的对准标记，从而定义有源区，这种方法工艺简单，可操作性较强，同时避免了现有技术中通过硅刻蚀形成的凹槽使注入区存在断面情况，从而使注入区可以更好的与下沉区相连接，有效降低了器件的导通电阻，另外由于没有硅刻蚀，所以也避免了硅刻蚀中容易产生的晶格缺陷。
射频水平扩散金属氧化物半导体器件制作方法

[发明专利]一种高频水平双扩散氧化物半导体器件及其制作方法-CN201510233095.6有效
发明人： 闻正锋;邱海亮;马万里;赵文魁 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-05-08 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种高频水平双扩散氧化物半导体器件及其制造方法，所述方法包括：在外延层上表面依次生成第一垫氧化层和第一氮化硅层；在第一氮化硅层上定义下沉区域，并去除下沉区域的第一氮化硅层的氮化硅；在下沉区域进行离子注入，形成下沉区；在下沉区域的第一垫氧化层表面通过热氧化生成预设厚度的氧化层；分别去除第一氮化硅层、氧化层和第一垫氧化层，在下沉区域的外延层上形成凹槽；依次在外延层上生成第二垫氧化层和第二氮化层，并定义有源区域；根据定义的有源区域制备有源区。本发明通过硅局部氧化技术形成对准凹槽，避免了刻蚀硅形成凹槽过程中的等离子损伤，同时不会造成离子注入区的断面，有效降低了器件的导通电阻。
一种高频水平扩散氧化物半导体器件及其制作方法

[发明专利]嵌入PIP电容的CMOS制作方法-CN201510336725.2有效
发明人：马万里;闻正锋;赵文魁 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-06-17 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供一种嵌入PIP电容的CMOS制作方法，该方法包括：在衬底表面内形成阱区，并定义位于阱区内的有源区，在有源区以外的衬底表面上形成场氧化层；在场氧化层靠近外围的部分区域表面上形成第一多晶硅层，并去除有源区表面上的垫氧化层；在整个器件的表面上形成介电层；注入阈值离子，形成有源区对应的衬底表面内的注入区；对介电层进行刻蚀，保留位于第一多晶硅层上的介电层；在有源区对应的衬底表面上形成栅氧化层，并在介电层和栅氧化层的部分区域表面上形成第二多晶硅层；在衬底表面上形成围绕第一多晶硅层和围绕第二多晶硅层的侧墙，并形成器件的源区、漏区以及轻掺杂漏区LDD。避免了传统工艺对阈值离子分布造成的影响，提高了器件的性能。
嵌入 pip 电容 cmos 制作方法

[发明专利]半导体器件的制备方法-CN201510188543.5有效
发明人： 闻正锋;邱海亮;马万里;赵文魁 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-04-20 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制备方法，该方法包括：在半导体硅基底的表面上依次形成栅氧化层、多晶硅层后，再形成半导体器件的体区；利用各向异性的干法刻蚀对整个器件上表面进行刻蚀，减薄栅氧化层的厚度；对体区进行P型离子驱入，使未被刻蚀掉的多晶硅层的表面上形成二氧化硅层；再形成半导体器件的源区、介质层、正面金属层和背面金属层。从而在减薄栅氧化层的厚度之后，在未被刻蚀掉的多晶硅层的表面上形成二氧化硅层，实现了对多晶硅层的修复，在多晶硅层的表面上形成一层二氧化硅的保护层，从而消除了多晶硅的损伤，制备成的半导体器件的阈值电压不会发生波动，提高了半导体器件的性能的稳定性和可靠性。
半导体器件制备方法

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