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[发明专利]磁阻磁头及其制造方法-CN200510082332.X无效
发明人：重松惠嗣;西冈浩一;田岛康成 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2005-06-30 - 公布日： 2006-01-25 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：使得旋转阀设备的反铁磁层和第一铁磁层之间的交换耦合能以及经由Ru反铁磁耦合层耦合的第一铁磁层和第二铁磁层之间的反铁磁耦合能增加，从而增加磁阻比例并减小旋转阀膜的自由层矫顽磁力。在MnPt反铁磁基础型合成铁型旋转阀膜中，底层、包括MnPt的反铁磁层、包括CoFe的第一铁磁层、包括Ru的反铁磁耦合层、包括CoFe的第二铁磁层、包括Cu的中间非磁性层、包括CoFe和NiFe合成膜的自由层以及保护层被堆叠在基底上，并且第一铁磁层的CoFe_X中的Fe组分被设定为20＜X≤50at％。
磁阻磁头及其制造方法

[实用新型]三相交流平衡、限流保护装置-CN89220701.9无效
发明人：周定杰;黄夏 -专利权人：周定杰
申请日： 1989-12-06 - 公布日： 1990-09-19 - 主分类号： H02H3/34 文献下载
摘要：本装置由磁导材料、磁敏元件、前置放大极、比较放大极及执行机构组成。其结构简单、成本低廉、使用时安全可靠、抗干扰能力强且节能及具有反时限的性能。
三相交流平衡限流保护装置

[发明专利]具有超薄合成反铁磁层的磁性隧道结单元-CN201910960364.7在审
发明人：张云森;郭一民;陈峻;肖荣福 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-10-10 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种具有超薄合成反铁磁层的磁性隧道结单元的磁性随机存储单元，透过直接在磁性隧道结的参考层之下方，制备合成反铁磁层。合成反铁磁层为叠加的多层结构，从下至上分别为超薄铁磁超晶格层和反铁磁耦合层的双层结构；其中该反铁磁耦合层下至上分别为RKKY反铁磁耦合层，晶格转换层和硼碳吸收层的依次向上叠加而成。透过一种含有三亚层的反铁磁耦合层的合成反铁磁层的磁性隧道结单元结构，极大的减小了整个合成反铁磁层和参考层的总厚度，且能够承受在400℃条件下的长时间退火，具有更强的漏磁场(HStray
具有超薄合成反铁磁层磁性隧道单元

[发明专利]一种磁性随机存取器及磁隧道结存储单元-CN201910356071.8在审
发明人：张云森;郭一民;肖荣福;陈峻 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明的目的在于解决现有磁性随机存取器中磁隧道结存储单元所存在的磁稳定性问题。本发明磁隧道结存储单元，包括磁性自由层、绝缘隧道势垒层、磁性参考层和复合反铁磁层，其中复合反铁磁层设置在磁性参考层远离绝缘隧道势垒层的一侧，复合反铁磁层包括：合成反铁磁耦合增强层、第一铁磁超晶格层、第二铁磁超晶格层、第一反铁磁耦合层以及第二反铁磁耦合层；本发明磁性随机存取器包括磁隧道结存储单元。相对于现有技术，本发明不仅有更优的体心立方结构的磁性参考层和铁磁隧道效应及其稳定性，并且具有更强的漏磁场和写电流调控能力。
一种磁性随机存取隧道结存单元

[发明专利]一种高含铝铁矿的选矿工艺-CN201810862815.9有效
发明人：杨海龙;李国洲 -专利权人：中冶北方（大连）工程技术有限公司
申请日： 2018-08-01 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： B03C1/30 文献下载
摘要：其特征在于，将洗矿后的铁品位为37%，Al₂O₃为6%，粒度为1mm～0的原矿矿浆给入旋流器进行分级作业，粒度为‑0.043mm占90%的旋流器溢流给入由中磁机和强磁机构成的磁选作业，获得磁选精矿和强磁尾矿，将强磁精矿给入浓缩池，浓缩池的底流给入由一次粗浮选和连续两次精浮选构成的反浮选作业。
选矿工艺浓缩池铁精矿旋流器铁矿磁选精矿强磁精矿强磁尾矿原矿矿浆粗浮选反浮选精浮选铁品位有效地中磁机磁选分级强磁洗矿溢流

[发明专利]基于人工反铁磁固定层的磁性隧道结器件及随机存储装置-CN201810837874.0有效
发明人：闵泰;周雪;王蕾 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于人工反铁磁固定层的磁性隧道结器件及随机存储装置，装置涉及到一种可以作为固定层的多层膜结构，即人工反铁磁装置。人工反铁磁装置可以通过电场调控，使其反铁磁耦合增强，该人工反铁磁装置可以作为磁性隧道结的固定层，在电场的作用下反铁磁耦合增强，保证固定层靠近势垒层的铁磁层不进行翻转，从而实现数据的稳定写入。所述基于人工反铁磁固定层的磁性隧道结构成磁性随机存储装置，通过电场和电流的共同作用达到稳定写入数据的目的，结构简单，具有密度高、功耗低、速度快、抗辐射、非易失性的优点。
基于人工反铁磁固定磁性隧道器件随机存储装置

[发明专利]一种自旋轨道矩驱动的梯度合成反铁磁及其存储器应用-CN202210502344.7有效
发明人：张昆;陈磊;李博;张悦;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种自旋轨道矩驱动的梯度合成反铁磁及其存储器应用，所述梯度合成反铁磁包括：衬底、第一梯度层、反铁磁耦合层、第二梯度层；所述反铁磁耦合层位于所述第一梯度层与所述第二梯度层之间；通过所述反铁磁耦合层对所述第一梯度层与所述第二梯度层反铁磁耦合自旋轨道矩驱动的梯度合成反铁磁的热稳定性有极大提高，且翻转电流密度相比传统磁隧道结显著降低，能够实现超高密度、超低功耗信息存储。
一种自旋轨道驱动梯度合成反铁磁及其存储器应用

[发明专利]超导体磁动机-CN95116424.4无效
发明人：江衍煌 -专利权人：江衍煌
申请日： 1995-09-22 - 公布日： 1997-03-26 - 主分类号： H02N11/00 文献下载
摘要：一种超导体磁动机，为提供一种增加输出功率、提高效率的电机，提出本发明。它由定子、转子和转轴组成，定子为由低温超导体制成的上、下两个呈矩形框体的超导磁体；转子为凸设复数个呈凸齿状反磁叶片的圆柱形本体，每一反磁叶片由片体和反磁薄板组成，片体为非磁性物，反磁薄板为反磁性物质，反磁薄板以一适当倾角镶嵌在片体上，倾角值能保证定子磁场作用在反磁叶片上磁斥力的切向分分使转子始终朝一个方向转动，转子固定安装在转轴上，并与转轴一起位于定子的上、下矩形框体之间，并与其保持一定间距。
超导体动机

[发明专利]基于反铁磁材料的突触器件及其调控方法-CN202010065473.5在审
发明人：蔡佳林;曾中明;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2020-01-20 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于反铁磁材料的突触器件及其调控方法。突触器件包括：衬底；反铁磁功能层，设置于所述衬底上；突触前电极，设置于所述反铁磁功能层上，用于接入第一脉冲电流，以使反铁磁功能层的磁矩从初始方向翻转至垂直方向，以增大反铁磁功能层的电阻，其中初始方向与所述垂直方向相互垂直；突触后电极，设置于反铁磁功能层上，用于接入第二脉冲电流，以使反铁磁功能层的磁矩从所述垂直方向翻转至所述初始方向，以减小反铁磁功能层的电阻。
基于反铁磁材料突触器件及其调控方法

[发明专利]磁性隧道结单元及其制备方法、磁性隧道结器件和磁性随机存取存储器-CN202210079241.4在审
发明人：张云森;李辉辉 -专利权人：北京超弦存储器研究院
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：一种磁性隧道结单元及其制备方法、磁性隧道结器件和磁性随机存取存储器，所述磁性隧道结器件的磁性隧道结单元包括依次层叠设置的自由层、隧穿势垒层、参考层和合成反铁磁层，所述合成反铁磁层包括至少三层合成反铁磁亚层，相邻两个合成反铁磁亚层的磁化矢量相反，并且相邻两个合成反铁磁亚层通过钌反铁磁耦合层耦合在一起，所述钌反铁磁耦合层的厚度为0.75nm‑0.89nm，对应RKKY第二震荡峰。本申请的磁性隧道结单元或器件不但可以解决磁性随机存取存储器在写过程中的回跳问题，还可以避免参考层和合成反铁磁层产生的漏磁场对自由层的影响。
磁性隧道单元及其制备方法器件随机存取存储器

[发明专利]一种反铁磁结构及基于反铁磁结构的磁随机存储器-CN202011291706.X在审
发明人：贾兴涛;王海伦;王世卓;王蕾;余伟阳;蔡小琳 -专利权人：河南理工大学
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种反铁磁结构及基于反铁磁结构的磁随机存储器，以及使用自旋轨道矩进行数据擦写的自旋轨道矩‑反铁磁磁性随机存储器，其包含磁性固定层，缓冲层，绝缘层，重金属缓冲层，反铁磁自由层和非磁性重金属层，其中反铁磁自由层可以通过在非磁性重金属层和重金属缓冲层中施加两个独立的横向电流来调控其反铁磁序。所述装置的特点是在重金属缓冲层中施加的电流固定不变，仅需改变施加在非磁性重金属层上的电流就可以实现上述磁结构的磁性固定层的磁序和反铁磁自由层的反铁磁序在两个不同夹角之间的相互转变。
一种反铁磁结构基于随机存储器

[发明专利]磁阻效应器件,磁阻头及制造磁阻效应器件的方法-CN98125636.8无效
发明人：川分康博;里见三男;杉田康成;榊间博 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1998-09-29 - 公布日： 2003-10-15 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：该多层膜包括反铁磁膜、第一铁磁膜、非磁膜、及第二铁磁膜，它们以此顺序直接地或通过一下层设在非磁衬底上。反铁磁膜包括α-Fe2O3膜。反铁磁膜和第一铁磁膜之间的表面粗糙度约为0.5nm或以下，以促进在反铁磁膜和第一铁磁膜之间界面上的导通电子的镜面反射。
磁阻效应器件制造方法

[发明专利]一种含碳酸盐贫磁赤混合铁矿石磁浮联合分选方法-CN202011625191.2有效
发明人：李文博;韩跃新;周立波;李艳军;刘杰 -专利权人：东北大学
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： B03B5/62 文献下载
摘要：本发明的一种含碳酸盐贫磁赤混合铁矿石磁浮联合分选方法，属于矿物加工工程领域，该方法将含碳酸盐贫磁赤混合铁矿石采用弱磁选、强磁选和反浮选联合分选方法，在分选流程中将铁矿物嵌布粒度分布不均的矿样进行粗细分级，通过精细分级处理能够显著减少由于磁团聚作用造成的脉石矿物夹杂问题，改善磁选精矿质量，同时在分级后的细粒物料中加入对铁矿物具有选择性团聚作用和抑制作用的特定结构有机药剂，从而提高强磁选作业回收率；同时由于药剂中大量羧基、羟基等亲水性官能团的存在使其对铁矿物具有较好的抑制效果，从而显著降低反浮选作业中微细粒铁矿物的流失，提高反浮选作业分选指标，这为含碳酸盐贫磁赤混合铁矿石的开发利用提供了新的思路。
一种碳酸盐贫磁赤混合铁矿石联合分选方法

[发明专利]具有补偿元件的STRAM-CN200980147066.0有效
发明人： Y·郑;D·季米特洛夫;D·王;田伟;王小斌;X·娄 -专利权人：希捷科技有限公司
申请日： 2009-09-29 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：自旋转移矩存储单元包括合成反铁磁基准元件、合成反铁磁补偿元件、合成反铁磁基准元件和合成反铁磁补偿元件之间的自由磁性层、以及将自由磁性层和合成反铁磁基准元件分隔开的电绝缘且非磁性隧穿阻挡层。
具有补偿元件 stram

[发明专利]一种具有合成反铁磁结构的自旋阀薄膜-CN201910718854.6在审
发明人：康洁;翁凯伦;王志强;窦爱玉;胡先意 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有合成反铁磁结构的自旋阀薄膜，涉及磁电子学技术领域，所述薄膜自底而上分别有衬底、缓冲层、复合自由层、非磁性隔离层、反铁磁钉扎层以及覆盖层，非磁性隔离层以及反铁磁钉扎层两层之间设置有合成反铁磁结构，合成反铁磁结构由CoFe1/Ru/CoFe2三层结构组成，合成反铁磁结构中的CoFe1厚度范围为1～3nm，CoFe2的厚度范围为1～3nm且反铁磁结构中的CoFe1与CoFe2两层厚度比为CoFe1：CoFe2＝1：1，本发明在具有合成反铁磁结构的自旋阀薄膜的基础上，对自旋阀薄膜的各层厚度比例进行进一步优化，得到的新的具有合成反铁磁结构的自旋阀薄膜相较于相同结构但未经优化的自旋阀薄膜磁的磁电阻率提高了
反铁磁结构自旋阀薄膜合成反铁磁钉扎层非磁性隔离层两层复合自由层交换偏置场磁电阻率三层结构层厚度覆盖层厚度比缓冲层电子学衬底薄膜优化