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[发明专利]自旋极化电流发生器及基于反铁磁材料的半金属实现方法-CN202111360453.1在审
发明人：欧阳小芳;王路;李朋 -专利权人：商丘师范学院
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本发明提出了一种自旋极化电流发生器及基于反铁磁材料的半金属实现方法，用以解决现有二维层状材料实现半金属的方法存在宏观铁磁性的影响，严重影响自旋电子器件的性能的技术问题。本发明通过在反铁磁材料上沉积非磁性金属原子，非磁性绝缘衬底上反铁磁材料的部分原子发生自旋反转，破坏反铁磁材料原有的电子自旋简并度，从而使得反铁磁材料转化为铁磁性材料，实现费米面处的100%的自旋极化，使得反铁磁材料实现半金属
自旋极化电流发生器基于反铁磁材料金属实现方法

[发明专利]一种自旋极化电流发生器及其磁性装置-CN201711261286.9有效
发明人：夏钶;闵泰;郝润姿;赵京延;王蕾 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2017-12-04 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种自旋极化电流发生器及其磁性装置，所述发生器包括第一导电层、第二导电层以及位于第一导电层和第二导电层之间的反铁磁层，第一导电层、第二导电层和反铁磁层构成第一导电层‑反铁磁层‑第二导电层层叠结构该发生器利用反铁磁材料和金属材料，形成不对称层叠结构用以产生自旋极化电流，具有低的电阻率，因而能够降低能耗。所述磁性装置包括第一导电层，以及在所述第一导电层上的至少一个由反铁磁层和第二导电层构成的堆叠结构，所述反铁磁层与第一导电层相邻；在相邻所述堆叠结构的第一导电层上设有磁性结，所述磁性结包括自由磁性层。
一种自旋极化电流发生器及其磁性装置

[发明专利]磁阻效应元件、磁头及磁记录装置-CN200510060177.1无效
发明人：长坂惠一;清水丰;田中厚志 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2005-03-31 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：一种磁阻效应元件，包括：晶体材料的电极层(12)；导电非晶材料的基层(14)，形成在该电极层(12)之上；晶体材料的反铁磁层(18)，形成在该基层(14)之上；铁磁层(20)，形成在该反铁磁层(18)之上，并且具有由该反铁磁层(18)所限定的磁化方向；非磁性中间层(22)，形成在该铁磁层(20)之上；铁磁层(24)，形成在该非磁性中间层(22)之上，并具有随外界磁场改变的磁化方向；以及电极层(28)，形成在该铁磁层
磁阻效应元件磁头记录装置

[发明专利]用于垂直磁记录的具有弱反铁磁耦合的层叠磁薄膜-CN200610082797.X无效
发明人：埃里克·E·富勒顿;奥拉夫·赫尔维格;拜伦·H·伦格斯菲尔德第三;戴维·T·马古利斯 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2006-05-19 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：本发明使用上和下磁层的层叠磁层结构，该结构包括导致磁层的弱反铁磁耦合的AF间隔层，该弱反铁磁耦合不足以导致任一层翻转，因此两铁磁层的磁取向保持平行。本发明的优点在于AF耦合倾向于使两层中的噪声反相关。相信根据本发明的弱AF耦合在媒质中的转变边界处起作用从而导致一些噪声畴反平行取向，并且噪声与没有AF耦合的情况相比更少相关，从而实现改善的SNR。
用于垂直记录具有弱反铁磁耦合层叠薄膜

[发明专利]交换偏置场可连续调控的垂直各向异性人工合成反铁磁耦合多层膜-CN202211090517.5在审
发明人：王向谦;何开宙;谢明玲;刘斌;李钰瑛 -专利权人：甘肃省科学院传感技术研究所
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01F10/00 文献下载
摘要：本发明公开了交换偏置场可连续调控的垂直各向异性人工合成反铁磁耦合多层膜，由下而上依次包括：衬底、缓冲层、种子层、人工合成反铁磁层和覆盖层；其中，人工合成反铁磁层由两个具有垂直磁各向异性的复合磁性层中间夹一层非磁性的隔离层构成本发明通过调节中间层隔离厚度以及磁性层参数，就可以改变两铁磁层之间的反铁磁耦合强度，从而实现对p‑SV交换偏置场的连续调控。
交换偏置连续调控垂直各向异性人工合成反铁磁耦合多层

[发明专利]一种具有丰富磁性质的磁性材料及其制备方法-CN201010200268.1有效
发明人：陈永亮;崔雅静;赵勇;程翠华 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2010-06-13 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： H01F1/10 文献下载
摘要：该磁性材料具有丰富的磁性质，0＜x＜0.2时，随着温度的降低，先后发生了铁磁和反铁磁转变，随掺Fe量的增加，铁磁转变温度增加，而反铁磁转变温度下降，而且在反铁磁转变温度以下，在磁化强度随磁场的变化曲线中，发生了变磁性转变；0.2≤x＜0.3时，反铁磁性被完全抑制，成为一种铁磁性材料，而且铁磁转变温度接近室温，有利于实际应用。
一种具有丰富磁性磁性材料及其制备方法

[发明专利]磁传感器及电流传感器-CN201780051693.9有效
发明人：井出洋介 -专利权人：阿尔卑斯阿尔派株式会社
申请日： 2017-05-12 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：作为具有即使在被长时间保存在高温环境下的情况下也难以发生灵敏度下降的现象的磁阻效应元件的磁传感器，本发明提供一种磁传感器(1)，该磁传感器(1)具备磁阻效应元件(GMR11)，该磁阻效应元件(GMR11)在特定方向上具有灵敏度轴，其中，磁阻效应元件(GMR11)在自由磁性层(23)的与非磁性材料层(21b)相向一侧的相反侧具有第一反铁磁性层(24)，自由磁性层(23)具有失配减小层(23b)和铁磁性层(23a)，该失配减小层(23b)以与第一反铁磁性层(24)相接的方式设置来减小自由磁性层23相对于第一反铁磁性层(24)的晶格失配，该铁磁性层(23a)设置在失配减小层(23)的与第一反铁磁性层(24)相向一侧的相反侧并且由强磁性材料构成，铁磁性层(23a)具有NiFeM层(231a)(M由从Ta、Cr、Nb、Rh、Zr、Mo、Al、Au、Pd、Pt及Si中选出的一种或两种以上元素组成)。
传感器电流传感器

[发明专利]具有多个铁磁耦合下层的反铁磁耦合层的磁记录盘-CN200810171074.6无效
发明人：霍亚·V·多;埃里克·E·富勒顿;戴维·马古利斯;安德烈亚斯·莫泽 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2004-12-07 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：一种磁记录盘，其具有一反铁磁耦合(AFC)结构，该结构有一上铁磁层(UL)，和一由两个铁磁耦合下层(LL1、LL2)形成的下铁磁层结构。UL与下层结构跨过一反铁磁耦合层而反铁磁耦合。LL1和LL2跨过一铁磁耦合层而铁磁耦合，因此LL1和LL2的磁化在每个剩磁状态保持平行，但与UL的磁化在每个剩磁状态反向平行。UL的Mrt大于LL1和LL2的Mrt值之和。
具有多个铁磁耦合下层反铁磁记录

[发明专利]具有多个铁磁耦合下层的反铁磁耦合层的磁记录盘-CN200410100047.1无效
发明人：霍亚·V·多;埃里克·E·富勒顿;戴维·马古利斯;安德烈亚斯·莫泽 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2004-12-07 - 公布日： 2005-09-28 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：一种磁记录盘，其具有一反铁磁耦合(AFC)结构，该结构有一上铁磁层(UL)，和一由两个铁磁耦合下层(LL1、LL2)形成的下铁磁层结构。UL与下层结构跨过一反铁磁耦合层而反铁磁耦合。LL1和LL2跨过一铁磁耦合层而铁磁耦合，因此LL1和LL2的磁化在每个剩磁状态保持平行，但与UL的磁化在每个剩磁状态反向平行。UL的Mrt大于LL1和LL2的Mrt值之和。
具有多个铁磁耦合下层反铁磁记录

[发明专利]一种用电流完全翻转人工合成反铁磁结构中磁畴的方法、磁性存储单元及存储器-CN202011361147.5在审
发明人：赵月雷;周艳;杨晟;周钰卿;李晓光;武凯 -专利权人：香港中文大学（深圳）
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明提供一种用电流完全翻转人工合成反铁磁结构中磁畴的方法，所述反铁磁结构包括依次层叠设置的第一磁性层、非磁性金属层和第二磁性层，所述方法包括如下步骤：S1、将所述反铁磁结构接入电路中，对所述反铁磁结构加第一方向电流，所述第一磁性层和所述第二磁性层中的磁畴仅部分翻转；S2、对所述反铁磁结构加第二方向电流，所述第一磁性层和所述第二磁性层中的磁畴完全翻转；其中，所述第一方向与所述第二方向相反。本发明提供的方法可以在不施加外磁场的情况下仅通过正负电流组合的方式即可实现磁畴完全翻转，相对于现有技术减少了施加磁场的装置，大大降低了器件的尺寸，提高了器件的集成度。
一种用电完全翻转人工合成反铁磁结构中磁畴方法磁性存储单元存储器

[发明专利]一种磁性存储单元和数据写入方法-CN202010350316.9在审
发明人：张德明;张凯丽;王佑;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学合肥创新研究院
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明的一种磁性存储单元和数据写入方法，包括在一条反铁磁金属条状薄膜上制造一个磁隧道结；反铁磁金属条状薄膜的两端分别镀有第一底端电极和第二底端电极；磁隧道结从下到上包括第一铁磁金属层，第一氧化物层，第二铁磁金属层，第一合成反铁磁层和顶端电极五层物质构成；所述磁隧道结具有垂直磁各向异性；所述磁隧道结至少具有两种电阻状态。本发明依靠电压调控磁各向异性和自旋轨道矩两种效应，其中，电压调控磁各向异性效应可通过在具有垂直磁各向异性的磁隧道结顶端电极施加一个偏置电压产生；自旋轨道矩效应可通过在反铁磁金属条状薄膜的两端施加电流而产生
一种磁性存储单元数据写入方法

[发明专利]磁阻传感器及其制造方法-CN93108493.8无效
发明人：佩特·Ｍ·鲍姆加特;伯纳德·迪恩;布鲁斯·Ａ·格尼;弗吉尔·Ｓ·斯珀尤萨;丹尼斯·Ｒ·威尔霍伊特 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 1993-07-28 - 公布日： 1999-06-30 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：该读出元件含有由一非磁性金属层隔开的两个铁磁层。在两铁磁层之一上形成一个反铁磁材料层以对该铁磁层提供一个交互偏置磁场，使其磁化方向固定。在该铁磁层与该反铁磁层之间淀积一个软磁性夹层，将铁磁层与反铁磁层隔开，以增强交互耦合。铁磁材料是铁或铁合金。
磁阻传感器及其制造方法

[发明专利]新型二维磁光阱的光机装置-CN201910250390.0在审
发明人：张辉;阮军;白杨;施俊如;王心亮;张首刚 -专利权人：中国科学院国家授时中心;中国科学院大学
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： G04F5/14 文献下载
摘要：新型二维磁光阱光机装置，安装平台上中部设置有二维磁光阱腔，位于二维磁光阱腔的右前侧设有一体化准直镜A，一体化准直镜A8出射的光斑穿过二维磁光阱腔的前后两侧矩形窗口照射在位于二维磁光阱腔后侧的第一45度高反镜组A，位于二维磁光阱腔前侧45度高反镜组A反射光出射方向依次设有四分之一波片A和零度高反镜A；位于二维磁光阱腔的右下方设有一体化准直镜B，一体化准直镜B出射的光斑穿过二维磁光阱腔的上下侧矩形窗口照射在位于二维磁光阱腔上方设的第一45度高反镜组B，位于二维磁光阱腔下方第一45度高反镜组B反射光出射方向依次设有四分之一波片B和零度高反镜B。
磁光阱二维准直镜出射一体化四分之一波片光斑零度光机装置矩形窗口反射光高反镜照射穿过安装平台

[实用新型]新型二维磁光阱的光机装置-CN201920425605.3有效
发明人：张辉;王心亮;施俊如;白杨;张首刚 -专利权人：中国科学院国家授时中心;中国科学院大学
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： G04F5/14 文献下载
摘要：新型二维磁光阱的光机装置，安装平台上中部设置有二维磁光阱腔，位于二维磁光阱腔的右前侧设有一体化准直镜A，一体化准直镜A8出射的光斑穿过二维磁光阱腔的前后两侧矩形窗口照射在位于二维磁光阱腔后侧的第一45度高反镜组A，位于二维磁光阱腔前侧45度高反镜组A反射光出射方向依次设有四分之一波片A和零度高反镜A；位于二维磁光阱腔的右下方设有一体化准直镜B，一体化准直镜B出射的光斑穿过二维磁光阱腔的上下侧矩形窗口照射在位于二维磁光阱腔上方设的第一45度高反镜组B，位于二维磁光阱腔下方第一45度高反镜组B反射光出射方向依次设有四分之一波片B和零度高反镜B。
磁光阱二维准直镜出射一体化四分之一波片光斑零度矩形窗口反射光高反镜照射穿过安装平台光机装置

[发明专利]一种磁性材料及其制备方法-CN201010198467.3无效
发明人：陈永亮;崔雅静;赵勇;程翠华 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2010-06-11 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： H01F1/00 文献下载
摘要：该磁性材料有丰富的磁性质，0＜x＜0.2时，随着温度的降低，先后发生了铁磁和反铁磁转变，随掺Ni量的增加，铁磁转变温度和反铁磁转变温度均下降；x＝0.2时，铁磁性被完全抑制，只发生反铁磁转变；0＜x≤0.2时，在反铁磁转变温度以下，在磁化强度随磁场的变化曲线中，发生了变磁性转变；0.2＜x＜0.3时，为一种反铁磁性材料。
一种磁性材料及其制备方法