[发明专利]一种具有合成反铁磁结构的自旋阀薄膜在审
| 申请号： | 201910718854.6 | 申请日： | 2019-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN110416405A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 康洁;翁凯伦;王志强;窦爱玉;胡先意 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/02;H01L43/10 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 胡剑辉 |
| 地址： | 310018 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种具有合成反铁磁结构的自旋阀薄膜，涉及磁电子学技术领域，所述薄膜自底而上分别有衬底、缓冲层、复合自由层、非磁性隔离层、反铁磁钉扎层以及覆盖层，非磁性隔离层以及反铁磁钉扎层两层之间设置有合成反铁磁结构，合成反铁磁结构由CoFe1/Ru/CoFe2三层结构组成，合成反铁磁结构中的CoFe1厚度范围为1～3nm，CoFe2的厚度范围为1～3nm且反铁磁结构中的CoFe1与CoFe2两层厚度比为CoFe1：CoFe2＝1：1，本发明在具有合成反铁磁结构的自旋阀薄膜的基础上，对自旋阀薄膜的各层厚度比例进行进一步优化，得到的新的具有合成反铁磁结构的自旋阀薄膜相较于相同结构但未经优化的自旋阀薄膜磁的磁电阻率提高了2.2％以上，交换偏置场提高了500Oe以上。 | ||
| 搜索关键词： | 反铁磁结构 自旋阀薄膜 合成 反铁磁钉扎层 非磁性隔离层 两层 复合自由层 交换偏置场 磁电阻率 三层结构 层厚度 覆盖层 厚度比 缓冲层 电子学 衬底 薄膜 优化 | ||
【主权项】：
1.一种具有合成反铁磁结构的自旋阀薄膜，所述的具有合成反铁磁结构的自旋阀薄膜自底而上分别有衬底、缓冲层、复合自由层、非磁性隔离层、反铁磁钉扎层以及覆盖层，其特征在于：非磁性隔离层以及反铁磁钉扎层两层之间设置有合成反铁磁结构，所述合成反铁磁结构由CoFe1/Ru/CoFe2三层结构组成，所述合成反铁磁结构中的CoFe1厚度范围为1～3nm，Ru的厚度为0.5nm，CoFe2的厚度范围为1～3nm，所述合成反铁磁结构中的CoFe1与CoFe2两层厚度比为CoFe1：CoFe2＝1：1。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州电子科技大学，未经杭州电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910718854.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种超快阻变存储器及其阻态控制方法
- 下一篇：磁存储器件
