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[发明专利]用于磁阻随机存取存储器的复合自由层-CN201880061542.6有效
发明人： Y-S·崔 -专利权人：闪迪技术有限公司
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：用于存储数据的磁隧道结(350)包括固定层(412)、势垒层(410)和复合自由层(400)。势垒层(410)为设置在固定层(412)和复合自由层(400)之间的OS。复合自由层(400)包括铁磁性非晶形层(406)和平面内各向异性自由层(408)。自旋霍尔效应(SHE)层(402)可耦接到磁隧道结(350)的复合自由层(400)。SHE层(402)可被配置为使得SHE层(402)内的平面内电流在复合自由层(400)中产生自旋电流。
用于磁阻随机存取存储器复合自由

[发明专利]一种复合自由层STT-RAM存储单元-CN201110076492.9无效
发明人：邓宁;张树超;焦斌;陈培毅 -专利权人：清华大学
申请日： 2011-03-29 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明公开了数据存储技术领域中的一种复合自由层STT-RAM存储单元。该单元包括上电极、盖帽层、复合自由层、绝缘氧化层、固定层、铂锰种子层、缓冲层、下电极；其中，复合自由层采用复合材料CoFeSiO，绝缘氧化层为Mgo，固定层包括钴铁硼CoFeB层、钌Ru层、钴铁CoFe层。本发明的复合自由层可以降低磁化翻转的临界电流密度、提高自由层的热稳定性，并且降低了制造难度。
一种复合自由 stt ram 存储单元

[发明专利]一种自旋轨道矩磁存储器及其制备方法-CN202210700317.0在审
发明人：卢世阳;商显涛;孙慧岩;刘宏喜;曹凯华;王戈飞 -专利权人：致真存储（北京）科技有限公司
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种自旋轨道矩磁存储器及其制备方法，涉及电子领域，该自旋轨道矩磁存储器包括：重金属层以及设置在所述重金属层之上的复合式磁隧道结，其中，复合式磁隧道结包括：复合式自由层，非磁性势垒层，固定层，复合式自由层以及固定层分别设置在所述非磁性势垒层两侧，复合式自由层包括自由层以及诱导层，诱导层设置在自由层以及隧穿电阻层之间，响应于第一信号，诱导层以及自由层发生翻转，并且两者翻转动作一致，以实现复合式自由层翻转，诱导层用于减小自由层退磁能以降低临界电流。可见，通过在磁隧道结中设置诱导层，使之产生垂直各向异性能，以减小自由层有效退磁能，进而降低翻转电流大小，从而降低器件运行过程中的损耗。
一种自旋轨道磁存储器及其制备方法

[发明专利]一种复合材料部件与金属部件的连接方法-CN202110612021.9在审
发明人：侯海量;赵著杰;李永清;李典 -专利权人：中国人民解放军海军工程大学
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： B29C70/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种复合材料部件与金属部件的连接方法，通过复合材料自由纤维层连接复合材料部件实现复合材料部件与金属部件的连接：将复合材料自由纤维层的一端与复合材料部件连接，另一端穿过金属部件的槽口后与复合材料部件连接；复合材料自由纤维层与复合材料部件的连接形式根据复合材料部件与金属部件的形状和尺寸选择。本发明采用复合材料自由纤维层作为连接部分实现与金属部件一体化，结合强度高，没有漏水潜在隐患；复合材料部件和复合材料自由纤维层的纤维未被打断；复合材料自由纤维层耐老化性能、受酸碱、潮湿介质影响的性能优良；金属部件与复合材料自由纤维层接触面积较小，在高温下由于金属与复合材料的膨胀系数差别导致的变形小。
一种复合材料部件金属连接方法

[发明专利]具有电压相关的面内磁各向异性的MRAM-CN201811193964.7在审
发明人： G·米哈拉维克;J·卡提恩 -专利权人：闪迪技术有限公司
申请日： 2018-10-15 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：用于存储数据的磁隧道结包括固定层、阻挡层和复合自由层。阻挡层可以设置在固定层和复合自由层之间。复合自由层可包括一个或多个铁磁层。复合自由层可包括一个或多个各向异性诱导层，该一个或多个各向异性诱导层响应于垂直偏置电压而诱导针对所述复合自由层的面内磁各向异性。
复合自由层面内磁各向异性固定层诱导层阻挡层磁阻随机存取存储器磁隧道结存储数据偏置电压铁磁层诱导垂直响应

[发明专利]磁阻式随机存取存储器的复合自由层-CN201810233746.5有效
发明人： Y-S.崔 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2018-03-21 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：用于储存数据的磁隧道结包含固定层、势垒层和复合自由层。势垒层设置于固定层和复合自由层之间。复合自由层包含平面内各向异性自由层、垂直磁各向异性(PMA)诱导层和铁磁性非晶态层。可以布置PMA诱导层，使得平面内各向异性自由层位于势垒层和PMA诱导层之间。铁磁性非晶态层可以设置在平面内各向异性自由层和PMA诱导层之间。
磁阻随机存取存储器复合自由

[发明专利]一种磁隧道结单元及自旋电子器件-CN201310214094.8有效
发明人：缪向水;倪含;程晓敏 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2013-05-31 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种隧道结单元及磁随机存储器，包括依次连接的第一电极、第一自由层、非磁性绝缘层、钉扎层和第二电极，还包括连接在第一电极与第一自由层之间的第二自由层，第二自由层的横截面积小于自由层的横截面积；第二自由层和第一自由层一起形成了复合自由层结构；第二自由层用于聚集电流，使得第二自由层处的电流密度大于第一自由层处的电流密度，从而使得第二自由层的磁矩先于第一自由层发生翻转；由于第二自由层和第一自由层之间的交换耦合作用使得第二自由层磁矩的翻转带动了第一自由层磁矩的翻转；提高了磁隧道结单元中复合自由层的磁化翻转程度，降低了复合自由层的翻转电流密度，并在相同电流密度激励条件下提高了磁隧道结单元的TMR值。
一种隧道单元自旋电子器件

[发明专利]闭合形状的磁性隧道结-CN201410228817.4在审
发明人：陶丙山;李大来;刘厚方;韩秀峰 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2014-05-27 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：包括磁性固定层、磁性自由层以及设置在磁性固定层和磁性自由层之间的阻挡层；磁性自由层包括至少一组复合子层；复合子层由第一磁性层/非磁性层/第二磁性层组成。通过在磁性隧道结中设置具有至少一组复合子层的磁性自由层，由于该磁性自由层与参考层的磁矩成闭合状且磁性自由层包括至少一组复合子层，可消除层间和相邻单元的杂散磁场、避免层间和相邻单元间的磁性耦合干扰，增强了铁磁耦合自由层的形状各向异性
闭合形状磁性隧道

[实用新型]闭合形状的磁性隧道结-CN201420275983.5有效
发明人：陶丙山;李大来;刘厚方;韩秀峰 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2014-05-27 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：包括磁性固定层、磁性自由层以及设置在磁性固定层和磁性自由层之间的阻挡层；磁性自由层包括至少一组复合子层；复合子层由第一磁性层/非磁性层/第二磁性层组成。通过在磁性隧道结中设置具有至少一组复合子层的磁性自由层，由于该磁性自由层与参考层的磁矩成闭合状且磁性自由层包括至少一组复合子层，可消除层间和相邻单元的杂散磁场、避免层间和相邻单元间的磁性耦合干扰，增强了铁磁耦合自由层的形状各向异性
闭合形状磁性隧道

[发明专利]磁性隧道结及其形成方法-CN202011023265.5在审
发明人：杨成成 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本申请提供一种磁性隧道结及其形成方法，所述磁性隧道结包括：自由层、固定层以及位于所述自由层和固定层之间的复合隧道层；所述复合隧道层包括绝缘层和辅助绝缘层，所述绝缘层和辅助绝缘层形成超晶格结构。所述磁性隧道结的形成方法包括：提供固定层或自由层；在所述固定层或自由层上形成复合隧道层，所述复合隧道层包括绝缘层和辅助绝缘层，所述绝缘层和辅助绝缘层形成超晶格结构。本申请技术方案的复合隧道结无需进行后续的退火热处理，即可形成特定的晶格取向，因而具有较大的TMR，形成的器件可靠性较高，且能够满足MRAM器件的微型化和高速读写的需求。
磁性隧道及其形成方法

[发明专利]层状复合材料界面结合强度测试方法和测试装置-CN201810068173.5有效
发明人：闫五柱;岳珠峰;赵万嘉 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2018-01-24 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G01N3/08 文献下载
摘要：本公开涉及层状复合材料技术领域，提出一种层状复合材料界面结合强度测试方法，该方法包括：将层状复合材料的一端固定为固定端，另一端自由为自由端；从自由端起将层状复合材料的待测试界面一侧材料去除设定部分，使层状复合材料形成短层和长层；在长层的自由端施加载荷以使长层与短层分离，记录长层的自由端的变形位移值以及对应的载荷值，测量长层与短层分离的分离面积；撤去载荷，记录长层的自由端的恢复位移值以及对应的恢复张力值；将变形位移值、载荷值、恢复位移值及恢复张力值绘制成力‑位移曲线，计算力‑位移曲线围成的耗散能面积，据分离面积以及耗散能面积算层状复合材料界面结合强度。
层状复合材料界面结合强度测试方法装置

[发明专利]一种复合热熔滤袋及其制备工艺-CN202110953058.8有效
发明人：马皓凉 -专利权人：江苏鼎盛滤袋有限公司
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： B01D46/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合热熔滤袋及其制备工艺，包括织造材料层以及复合在织造材料层前表面的非织造材料层，所述非织造材料层的一端设为自由端，所述织造材料层靠近自由端的一端设有长度凸出于非织造材料层的热熔部，所述自由端与热熔部之间设有不连接部本发明将非织造材料层的一端与织造材料层形成不连接部，进而非织造材料层的一端与热熔部二者能像向着不同的位置行走，即自由端与固定端的内表面复合，热熔部与复合端的外表面复合，这样一方面自由端不产生破防部位，避免了漏灰的情况，另一方面自由端不必位于复合端的外表面，也就不会占用热熔部的长度，进而避免了增大热熔部的占比，也就避免了影响滤袋尺寸的情况。
一种复合热熔滤袋及其制备工艺

[发明专利]一种以复合铁磁层为铁磁电极的磁隧道结元件-CN200410030893.0无效
发明人：朱涛;彭子龙;詹文山 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2004-04-09 - 公布日： 2005-01-12 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种以复合铁磁层为铁磁电极的磁隧道结元件，该磁隧道结元件包括一基片和在基片上设置的一缓冲层、一引导层、一由两不同铁磁材料形成的复合铁磁层作为自由层、一绝缘层、一由两不同铁磁材料形成的复合铁磁层作为钉扎层、一反铁磁层、一保护层。通过调节复合铁磁层中的薄铁磁层的厚度可以连续可调复合铁磁层的自旋极化率，从而可以调控该元件的隧道磁电阻值；通过调节作为自由层的复合铁磁层中薄铁磁层的厚度可以连续可调该自由层的矫顽力，从而可以调节该元件的开关场大小
一种复合铁磁层磁电隧道元件

[发明专利]基于自旋轨道矩的具有复合自由层的磁性随机存储器-CN202310210928.1在审
发明人：肖鹏;周铁军;李海;于长秋 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H10N52/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于自旋轨道矩的具有复合自由层的磁性随机存储器。所述的磁性存储器由多个存储单元SOT‑MTJ构成，每个存储单元SOT‑MTJ为多层膜结构，自上到下分别是衬底层、缓冲层、重金属导电层、复合自由层、绝缘层、参考层；所述复合自由层薄膜结构自下到上分别依次是颗粒膜层、隔离层、连续膜层；本发明基于SOT，利用一种颗粒膜和连续膜交换耦合的特殊复合自由层结构，当所述重金属层将通入的电荷流转换为自旋流，通过强自旋轨道耦合将自旋流注入到自由层中，从而对其施加转矩，持续加大脉冲电流并记录器件电阻值
基于自旋轨道具有复合自由磁性随机存储器

[发明专利]底部自由层磁隧道结和制造其的方法-CN202010511468.2在审
发明人：郑洪植;唐学体 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-06-08 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：提供了底部自由层磁隧道结(BMTJ)和制造其的方法。该BMTJ包括复合金属氧化物籽晶层和在复合金属氧化物籽晶层上的包含硼(B)的自由层。复合金属氧化物籽晶层包括第一金属层、在第一金属层上的金属氧化物层以及在金属氧化物层上的第二金属层。第二金属层已被氧处理。
底部自由隧道制造方法

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