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[发明专利]一种自聚焦涡旋自旋太赫兹发射器及应用-CN202310850098.9在审
发明人：张晓强;许涌;张帆;张悦;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学合肥创新研究院
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01S1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种自聚焦涡旋自旋太赫兹发射器及应用，包括玻璃衬底、自旋太赫兹薄膜、磁铁对，自旋太赫兹薄膜是由铁磁材料层和重金属非磁材料层A以及重金属非磁材料层B组成，其中铁磁材料层设置在玻璃衬底的上表面，重金属非磁材料层A、重金属非磁材料层B呈螺旋状交替排列分布在铁磁材料层的外表面。本发明结构简单，通过在铁磁材料上制备特殊排布的两种自旋霍尔角大小相等、方向相反的重金属非磁材料层，构建螺旋自旋太赫兹菲涅尔波带片，使得产生的涡旋自旋太赫兹波具有汇聚功能，提升涡旋自旋太赫兹发射器的集成度。
一种自聚焦涡旋自旋赫兹发射器应用

[发明专利]一种STT-MRAM相关电路的磁性工艺设计方法-CN202110295434.9有效
发明人：王佑;侯正义;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学合肥创新研究院（北京航空航天大学合肥研究生院）
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明的一种STT‑MRAM相关电路的磁性工艺设计方法，用于STT‑MRAM相关电路的设计，包括通过计算机工具配置设计系统，所述设计系统包括STT‑MTJ单元库、标准单元库、工艺文件及物理验证规则文件，所述STT‑MTJ单元库包含以下文件：SPICE仿真模型veriloga，符号symbol，版图layout和auCdl；所述标准单元库中包含基于MTJ设计的1T1R基本存储单元、与非门、或非门、读写电路基本单元的电路图、符号和版图，可用于设计过程中直接调用。本发明的磁性工艺设计包囊括了STT‑MRAM相关电路设计所必需的各种文件，可辅助完成STT‑MRAM的全流程设计；本发明的设计规则可根据工艺厂商流片的数据灵活地进行配置，具有高可靠性和实用性；本发明的磁性工艺设计包具有很高的灵活性，可通过简单的修改与不同工艺节点的传统工艺设计包兼容。
一种 stt mram 相关电路磁性工艺设计方法

[发明专利]基于SRAM的双倍数据存储容量的存内计算方法和装置-CN202310980955.7在审
发明人：杨建磊;段岑林;何啸林;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2023-08-04 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G11C11/54 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于SRAM的双倍数据存储容量的存内计算方法和装置，方法包括：基于神经网络数据集训练权重输出模型输出具有按位互补关系的权重信号；将具有按位互补关系的权重信号写入SRAM的交叉耦合反相器Q和QB中；提供一对逻辑计算模块分别耦合至SRAM的BL及BLB位线上；提供输入驱动器连接至一对逻辑计算模块，为其提供一对相同或不同的输入信号；逻辑计算模块将一对输入信号分别和SRAM中一对按位互补的权重信号进行逻辑计算；将逻辑计算模块的输出通过加法树进行加法运算，然后送入移位累加模块做移位累加；将移位累加结果进行后处理后输出。本发明可以提高一倍计算并行度，能够带来存内计算性能的大幅提升。
基于 sram 双倍数据存储容量计算方法装置

[发明专利]一种基于非易失性存储器的存内计算电路-CN202310830067.7在审
发明人：张悦;王进凯;顾正坤;张伯均;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G06F15/78 文献下载
摘要：本申请提供基于非易失性存储器的存内计算电路，包括：非易失性存储器串联阵列中的各存算列根据接收的输入信号，在时域控制器的控制下进行乘法累加运算生成电压升信号；输入信号包括写输入信号与计算输入信号；电压时域转换电路根据接收的电压升信号，在时域控制器的控制下进行电压时域转换生成时域信号；脉冲计数动态选择电路根据接收的输入信号与时域信号，在时域控制器的控制下生成周期性方波信号；计数移位电路根据接收的周期性方波信号，在时域控制器的控制下生成二进制乘法累加计算结果；全加器树将各存算列对应的二进制乘法累加计算结果相加，得到存内计算输出结果。本申请能有效降低存内逻辑运算的功耗与延迟，并提高了电路的面积效率。
一种基于非易失性存储器计算电路

[发明专利]磁性随机存储单元、存储器及存储单元制作方法-CN202310954549.3在审
发明人：史书园;黄信豪;赵雅茹;王馨苒;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本申请提供了一种磁性随机存储单元、存储器及存储单元制作方法，磁性随机存储单元包括自旋轨道耦合层、设于所述自旋轨道耦合层上的磁隧道结；其中，所述磁隧道结包括自上而下依次设置的固定层、势垒层和自由层，所述自由层的底面与所述自旋轨道耦合层的顶面固定设置；所述自旋轨道耦合层为由重金属和轻金属形成的成分梯度合金层。本申请利用成分梯度合金的自旋电流梯度引导面内等效磁场，实现无辅助外加磁场的自由层磁矩的翻转。
磁性随机存储单元存储器制作方法

[发明专利]一种基于磁隧道结的数据处理方法及装置-CN202111098048.7有效
发明人：王昭昊;王旻;王朝;张中魁;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明提供一种基于磁隧道结的数据处理方法及装置，所述方法包括：根据待运算数据以及磁隧道结的数据定义规则，对磁隧道结施加自旋轨道矩电流和自旋转移矩电流，并获取磁隧道结状态；其中，所述磁隧道结的数据定义规则是预设的；根据所述磁隧道结状态以及状态定义规则，获得所述待运算数据的逻辑运算结果并存储；其中，所述状态定义规则是预设的。所述装置用于执行上述方法。本发明实施例提供的基于磁隧道结的数据处理方法，利用磁隧道结实现了逻辑运算。
一种基于隧道数据处理方法装置

[发明专利]一种实现宽幅纳米颗粒束流的团簇束流沉积设备-CN202111003983.0有效
发明人：刘风光;吴鹏;杜寅昌;汪建;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学合肥创新研究院（北京航空航天大学合肥研究生院）
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现宽幅纳米颗粒束流的团簇束流沉积设备，包括中心溅射靶枪和侧溅射靶枪，所述中心溅射靶枪连接有驱动其旋转的驱动机构；所述中心溅射靶枪上固定套设有中心齿轮，所述中心齿轮啮合有行星齿轮，所述行星齿轮啮合有内齿圆；所述行星齿轮的中部套设有套筒，所述套筒采用圆管型结构。本发明通过设置中心齿轮，中心齿轮啮合有行星齿轮，行星齿轮啮合有内齿圆，中心齿轮转动后会带动行星齿轮沿着内齿圆圆周运动，从而实现侧溅射靶枪圆周溅射与中心溅射靶枪的溅射外圈重合。本发明通过设置溅射靶调节机构，通过带动齿条与齿轮的啮合实现套筒内侧溅射靶枪的偏转，但不宜偏转较大，否则容易造成溅射局部不均匀。
一种实现宽幅纳米颗粒团簇束流沉积设备

[发明专利]一种存储单元对、阵列、存储电路、电子设备及方法-CN202210298988.9在审
发明人：王朝;王昭昊;冯家高;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G11C11/4094 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种存储单元对、阵列、存储电路、电子设备及方法，其中存储单元对包括：一对存储子单元以及一公共晶体管；每个存储子单元包括一独立晶体管和一存储元件；所述公共晶体管的控制极与一写字线耦接，其第一极和第二极各自耦接在一存储子单元的独立晶体管和存储元件之间。本发明通过公共晶体管与独立晶体管的串、并联，达到减小驱动电阻的目的，同时引入的公共晶体管合理布局于两个存储子单元之间的间隔处，在不增加面积的情况下，通过减小驱动电阻提升了存储单元的驱动能力。
一种存储单元阵列电路电子设备方法

[发明专利]基于自旋轨道矩的存储单元、阵列、电路、及方法-CN202210299223.7在审
发明人：王朝;王昭昊;冯家高;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种基于自旋轨道矩的存储单元、阵列、电路、及方法，其中存储单元包括：一第一晶体管和一对第二晶体管；以及磁性隧道结，其包括依次层叠的自旋耦合层、自由层、势垒层以及固定层。本发明三个晶体管和一个三端口磁隧道结的自旋轨道矩磁性存储器件组成一个存储单元，与传统的采用两个晶体管和一个三端口磁隧道结的自旋轨道矩磁性存储器件组成一个存储单元的结构相比，提高了写入效率，并且没有增加面积，有利于提高集成度。
基于自旋轨道存储单元阵列电路方法

[发明专利]逻辑器件、方法、磁存储器及计算机设备-CN202110583111.X有效
发明人：张悦;何宇;张昆;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明提供的一种逻辑器件、方法、磁存储器及计算机设备，引入了垂直磁各向异性的铁磁体，和面内磁各向异性的铁磁相比，垂直磁各向异性铁磁的热稳定性更强，利于器件的缩小，增大器件密度；同时铁磁整体和磁电材料相接触，因此可以保证铁磁磁矩的整体一致翻转，减少逻辑错误和降低翻转延迟；进一步的本发明的器件结构更简单，其读取单元仅由垂直磁各向异性的铁磁构成，无需借助高自旋轨道耦合材料，有助于增大器件的密度、降低工艺难度和节省器件的制造成本。
逻辑器件方法磁存储器计算机设备

[发明专利]垂直结构堆叠的磁旋逻辑器件及实现信息存取的方法-CN202110659779.8有效
发明人：张昆;何宇;张悦;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H10N52/85 文献下载
摘要：本发明提供了一种垂直结构堆叠的磁旋逻辑器件及实现信息存取的方法，该磁旋逻辑器件包括：输入电极、输出电极、多铁性材料层、磁性材料层、自旋注入材料层以及强自旋轨道耦合材料层；所述多铁性材料层设置有所述输入电极与所述磁性材料层之间，所述自旋注入材料层设置于所述磁性材料层与所述强自旋轨道耦合材料层之间，所述强自旋轨道耦合材料层与所述输出电极连接。本申请的垂直堆叠结构消除了横向桥连结构所导致的底部中空结构，可以极大的简化微纳加工流程，降低微纳加工成本，提高磁旋逻辑器件的加工成功率。
垂直结构堆叠逻辑器件实现信息存取方法

[发明专利]基于全局噪声抵消的低噪声放大器及其方法-CN201811553622.1有效
发明人：刘洋;王昭昊;杨建磊;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学青岛研究院
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本发明所述基于全局噪声抵消的低噪声放大器及其方法，提供一种新的低噪声放大器电路设计与抵消方法，以期在信号输出节点处通过反相相加而实现全部有源器件的噪声抵消，达到兼顾降低噪声系数与保持较大增益的双重目的。即将低噪声放大器电路设计为双支路结构。所述的低噪声放大器电路，具有结构相同、且完全对称的结构形式；每一支路，均由一个共栅极输入级和带有电阻反馈的共源极放大级电路构成；信号从两个共栅极的源极输入，分别经过两个支路后，在两个共源极的漏极输出；每一支路中的有源器件，其两端的噪声均沿两个支路、不同方向，分别传输至输出节点，利用在输出节点的反相关系而相加实现抵消。
基于全局噪声抵消低噪声放大器及其方法

[发明专利]磁性随机存储单元、读写方法以及存储器-CN202310817783.1在审
发明人：王朝;王昭昊;刘旭;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁性随机存储单元，包括第一存储器、第二存储器、第一开关元件和第二开关元件；其中，所述第一存储器包括第一自旋轨道矩层以及设置在所述第一自旋轨道矩层上的第一磁隧道结；所述第二存储器包括第二自旋轨道矩层以及设置在所述第二自旋轨道矩层上的第二磁隧道结，所述第一自旋轨道矩层的第一输入端通过所述第一开关元件与第一信号线连接，所述第一自旋轨道矩层的第一输出端与所述第二自旋轨道矩层的第二输入端通过所述第二开关元件连接，所述第二自旋轨道矩层的第二输出端与第二信号线连接；本发明可解决现有多位数据存储的磁性随机存储单元的工艺复杂，数据读写性能差的问题。
磁性随机存储单元读写方法以及存储器

[发明专利]一种纳米团簇束流综合沉积在线测试系统-CN202210011693.9有效
发明人：刘风光;张悦;付晨;吴鹏;杜寅昌;汪建;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学合肥创新研究院（北京航空航天大学合肥研究生院）
申请日： 2022-01-06 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G01N15/02 文献下载
摘要：本发明涉及在线测试装置，具体涉及一种纳米团簇束流综合沉积在线测试系统，包括测试腔和第一取样腔，第一取样腔上设有沉积腔接口，第一取样腔内部转动连接有衬底座，第一取样腔上连通有纵向取样座、横向取样座，纵向取样座上设有第二取样腔，测试腔内部设有测试机构，纵向取样座、横向取样座内部均设有传样机构，测试机构包括固定于测试腔内部的第一安装座、第二安装座、第三安装座和反射镜，固定于第一安装座上的激光发射器、第一透镜组，固定于第二安装座上的第二透镜组，以及固定于第三安装座上的CCD传感器；本发明提供的技术方案能够有效克服无法有效将样品送入处于真空状态测试腔中的缺陷。
一种纳米团簇束流综合沉积在线测试系统

[发明专利]一种基于激光自混合干涉技术的交变梯度磁性测量系统-CN202310642046.2在审
发明人：尉国栋;白力刚;牛天亮;张学莹;林晓阳;赵巍胜;苏衍峰;曹志强 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G01R33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于激光自混合干涉技术的交变梯度磁性测量系统，应用于半导体技术领域，包括：谐振装置：用于使待测样品在交变梯度磁场中与样品杆发生共振；信号采集装置：用于在发生共振时，基于激光自混合干涉技术，测得待测样品的光功率信号；信号处理装置：用于将光功率信号调制转换为数字信号；计算机：用于将数字信号转换为待测样品的实时位移信息，并结合样品杆的振幅与受力的关系，确定待测样品的磁矩。本发明通过激光自混合干涉技术来代替压电双晶片测量待测样品的微小振动，并结合样品杆的振幅与受力的关系，确定待测样品的磁矩，实现了远距离、无接触、高精度地对弱磁性物品的磁性进行测量，克服了现有磁强计技术的诸多显著弊端。
一种基于激光混合干涉技术梯度磁性测量系统

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