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[发明专利]磁存储器-CN202010057668.5在审
发明人：赵巍胜;熊丹荣;彭守仲 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2020-01-19 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明提供一种磁存储器，包括：第一反铁磁层，用于提供交换偏置场；插入层，设置在反铁磁层上，用于阻挡退火过程中第一反铁磁层的材料的扩散；自由铁磁层结构，设置在插入层上；第一势垒层，设置在自由铁磁层结构上；参考铁磁层结构，设置在第一势垒层上，具有固定的磁化方向；其中，自由铁磁层结构的磁化方向与参考铁磁层结构的磁化方向平行或反平行。
磁存储器

[实用新型]内燃机车控制器辅助发电控制电路-CN201420646236.8有效
发明人：段崇义;孟东;邵学;郭宣召;尹星;刘向宇;陈兴 -专利权人：山东钢铁股份有限公司
申请日： 2014-10-31 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： H02P9/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种内燃机车控制器辅助发电控制电路，包括DLC辅助控制板和励磁保护电路，当发电机起机时，或励磁接触器主触头由于各种原因断开时，所述励磁保护电路能够消耗励磁线圈上感应出的瞬时高电动势，防止励磁线圈的感应电动势由于无法正常释放而产生强的反电势击穿
内燃机车控制器辅助发电控制电路

[发明专利]一种基于合成反铁磁斯格明子的逻辑门及控制方法-CN202210375650.9在审
发明人：赵国平;李林霖 -专利权人：四川师范大学
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H03K19/18 文献下载
摘要：本发明提供一种基于合成反铁磁斯格明子的逻辑门及控制方法，逻辑门赛道的材料为合成反铁磁材料，其赛道从下到上依次布置重金属层、铁磁层、垫片、铁磁层，赛道左侧的两个磁性隧道结为合成反铁磁斯格明子的输入端A和输入端B，赛道右侧的两个磁性隧道结为合成反铁磁斯格明子的检测端C和检测端D。
一种基于合成反铁磁斯格明子逻辑控制方法

[发明专利]一种发电机与变压器反时限过励磁保护方法-CN200910232180.5有效
发明人：陈俊;严伟;沈全荣;王光 -专利权人：南京南瑞继保电气有限公司;南京南瑞继保工程技术有限公司
申请日： 2009-12-02 - 公布日： 2010-05-12 - 主分类号： H02H7/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种发电机变压器反时限过励磁保护方法，通过对给定的反时限过励磁动作特性曲线进行分段处理，给定的反时限过励磁动作特性曲线由输入的多组(一般为8～10组)定值得到，在根据电压和频率计算出过励磁倍数后，采用分段Lagrange多项式插值法求出过激磁保护在该励磁倍数对应的动作时间。从而实现高精度反时限过励磁保护。
一种发电机变压器时限保护方法

[发明专利]一种人工合成反铁磁斯格明子检验的方法-CN202211049322.6在审
发明人：周艳;赵月雷;杨晟;武凯 -专利权人：香港中文大学（深圳）
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G01N27/72 文献下载
摘要：本发明涉及一种人工合成反铁磁斯格明子检验的方法，包括：诱导人工合成反铁磁多层膜内产生磁斯格明子；施加从第一磁场变化到第二磁场，获取所述磁斯格明子与围绕所述磁斯格明子四周区域在显微镜下的成像图像；根据成像图像，确定所述磁斯格明子与围绕所述磁斯格明子四周区域是否存在衬度差，如果是，则所述磁斯格明子是人工合成反铁磁斯格明子，该方法简单易操作，也很容易判定是否为人工合成反铁磁斯格明子。
一种人工合成反铁磁斯格明子检验方法

[发明专利]巨磁致电阻器件、磁子场效应晶体管和磁子隧道结-CN201711415711.5有效
发明人：韩秀峰;唐萍;郭晨阳;万蔡华 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2020-03-20 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及巨磁致电阻器件、磁子场效应晶体管和磁子隧道结。一种巨磁致电阻器件可包括：第一铁磁绝缘层；设置在所述第一铁磁绝缘层上的非磁导电层；以及设置在所述非磁导电层上的第二铁磁绝缘层。一种磁子场效应晶体管可包括：第一铁磁区域、第二铁磁区域和第三铁磁区域，其每个由铁磁材料形成，其中所述第二铁磁区域由铁磁绝缘材料形成；第一反铁磁区域，位于所述第一铁磁区域和所述第二铁磁区域之间，由反铁磁材料形成；第二反铁磁区域，位于所述第二铁磁区域和所述第三铁磁区域之间，由反铁磁材料形成；以及栅极，覆盖所述第二铁磁区域。铁磁和反铁磁材料都可以由金属、合金、半导体和绝缘体构成。
致电器件场效应晶体管隧道

[发明专利]巨磁致电阻器件、磁子场效应晶体管和磁子隧道结-CN202010108087.X有效
发明人：韩秀峰;唐萍;郭晨阳;万蔡华 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明涉及巨磁致电阻器件、磁子场效应晶体管和磁子隧道结。一种巨磁致电阻器件可包括：第一铁磁绝缘层；设置在所述第一铁磁绝缘层上的非磁导电层；以及设置在所述非磁导电层上的第二铁磁绝缘层。一种磁子场效应晶体管可包括：第一铁磁区域、第二铁磁区域和第三铁磁区域，其每个由铁磁材料形成，其中所述第二铁磁区域由铁磁绝缘材料形成；第一反铁磁区域，位于所述第一铁磁区域和所述第二铁磁区域之间，由反铁磁材料形成；第二反铁磁区域，位于所述第二铁磁区域和所述第三铁磁区域之间，由反铁磁材料形成；以及栅极，覆盖所述第二铁磁区域。铁磁和反铁磁材料都可以由金属、合金、半导体和绝缘体构成。
致电器件场效应晶体管隧道

[发明专利]一种交换偏置大小可调的二维范德瓦尔斯同质结构及其制备方法-CN202111276576.7在审
发明人：盛志高;张振宇;刘财兴 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院;中国科学技术大学
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开一种交换偏置大小可调的二维范德瓦尔斯同质结构，涉及磁存储技术领域，本发明包括相互叠加的二维范德瓦尔斯铁磁层和二维范德瓦尔斯反铁磁层，所述铁磁层和反铁磁层的厚度均为2‑200nm，所述铁磁层和反铁磁层的厚度之比为本发明的有益效果在于：现有的交换偏置难以调控偏置大小，在已知能够诱导出交换偏置的情况下，也并不能对交换偏置场的大小进行调控，本发明通过调整铁磁层和反铁磁层厚度的相对比例，从而实现并调控交换偏置大小。反铁磁层占比越高，交换偏置场越大。
一种交换偏置大小可调二维瓦尔同质结构及其制备方法

[发明专利]一种磁性异质结结构及调控实现逻辑与多态存储功能的方法-CN202111327449.5在审
发明人：颜世申;田玉峰;柏利慧;范轶博;韩翔 -专利权人：山东大学
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁性异质结结构及调控实现逻辑与多态存储功能的方法，由下自上依次包括衬底、面内反铁磁层、面内铁磁层、非磁性层、垂直铁磁层、垂直反铁磁层；所述面内铁磁层和所述垂直铁磁层通过中间的所述非磁性层耦合在一起；面内铁磁层与垂直反铁磁层存在面内方向的交换偏置即面内交换偏置，面内反铁磁层与垂直反铁磁层存在面外方向的交换偏置即面外交换偏置。
一种磁性异质结结构调控实现逻辑存储功能方法

[发明专利]用于磁电子器件的合成反铁磁结构-CN200380106461.7无效
发明人：加森·艾伦·加奈斯基;布莱德利·N·英格尔;尼古拉斯·D·里佐;约汉·M·斯劳格特 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2003-10-28 - 公布日： 2006-01-25 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：一种近似平衡的合成反铁磁(SAF)结构，其能够优良地使用于诸如磁电阻存储单元的磁电子器件(5)中，该结构包括两个铁磁层(45，55)和分隔这两个铁磁层的一个反铁磁耦合层(65)。该SAF自由层(15)具有在该反铁磁耦合层中形成的弱耦合区域，其通过诸如退火、层叠反铁磁耦合层或在铁磁层的一个粗造化表面上形成反铁磁耦合层等处理来形成。
用于磁电器件合成反铁磁结构

[发明专利]一种磁性隧道结垂直反铁磁层及随机存储器-CN202010044560.2在审
发明人：张云森;郭一民;陈峻;肖荣福 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及磁性随机存储器技术领域，具体涉及一种磁性隧道结垂直反铁磁层及随机存储器，本发明的垂直反铁磁层设置于磁性随机存储器存储单元，在具有垂直反铁磁层的磁性隧道结结构中，由下至上依次设置垂直各向异性场增强层和垂直反铁磁层双层结构并堆叠在自由层的上方，所述垂直反铁磁层通过垂直各向异性增强乘实现和自由层的磁性耦合，增强自由层的热稳定性，本发明垂直反铁磁层(pAFM)通过垂直各向异性增强层(HK EL)实现和自由层(FL)的磁性耦合，从而增强了自由层(FL)的热稳定性，同时，由于垂直反铁磁层(pAFM)的引入，有利于漏磁场的调控，有利于磁性随机存储器(MRAM)器件，读/写，存储性能的提升，有利器件的缩微化。
一种磁性隧道垂直反铁磁层随机存储器

[发明专利]一种用垂直自旋极化的自旋流来无磁场辅助翻转磁矩的器件及其制备方法-CN202011359539.8在审
发明人：宋成;周效枫;陈贤哲;白桦;潘峰 -专利权人：清华大学
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：它由下至上依次包括基片、强自旋轨道耦合层和磁化层；强自旋轨道耦合层包括如下材料中的至少一种制成：重金属材料、拓扑绝缘体材料、兼具亚晶格中心反演对称性破缺和全局中心反演对称性的反铁磁材料；磁化层包括具有垂直易磁化的材料和它的制备方法，包括如下步骤：在基片上依次沉积强自旋轨道耦合层和磁化层即得。本发明器件常规的平行于自旋极化方向的自旋流使垂直易磁化和沿面内x方向易磁化的器件在无磁场辅助下实现磁矩的180°翻转，并可通过改变强自旋轨道耦合层的反铁磁磁矩的方向来调控垂直自旋极化的自旋流的大小。
一种垂直自旋极化流来无磁场辅助翻转器件及其制备方法

[发明专利]磁、赤混合型粗精矿选矿工艺-CN201110277699.2有效
发明人：王陆新;宋均利;刘双安 -专利权人：鞍钢集团矿业公司
申请日： 2011-09-19 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： B03B7/00 文献下载
摘要：其特征是将磁、赤混合型粗精矿给入一段闭路磨矿系统，其一次分级溢流给入一段弱磁，一段弱磁的精矿给入脱水槽，脱水槽的精矿给入细筛，筛上的粗粒产品返回到一段磨矿，筛下的细粒产品给入二段弱磁，二段弱磁的尾矿与一段弱磁的尾矿、脱水槽尾矿混合在一起为弱磁选尾矿，此弱磁选尾矿经浓缩机浓缩后，给入闭路再磨系统，其再次分级溢流给入强磁，强磁精矿经浓缩机浓缩后，给入一粗一精三扫的阴离子反浮选作业，强磁尾矿与浮选尾矿合在一起为最终尾矿二段弱磁精矿与浮选精矿合在一起为最终精矿。本发明工艺简单高效，选别成本低，效果好，精矿品位和金属回收率高，实现了资源的高效利用。
混合精矿选矿工艺

[发明专利]基于离子门调控的可重构神经元器件及其制备方法-CN202210205501.8在审
发明人：赵雪峰;邢国忠;王迪;王紫崴;刘龙;林淮;张昊 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L43/00 文献下载
摘要：该器件包括：由下至上依次层叠的合成反铁磁层、金属氧化物层、离子液体层和顶电极层，合成反铁磁层的底端相对的两个边缘上设置有磁化方向相反的左边界反铁磁层和右边界反铁磁层，合成反铁磁层的底端中部还设置用于输出尖峰信号的磁性隧道结；其中，金属氧化物层、离子液体层和顶电极层构成离子门，离子液体层包括正离子和负离子，当顶电极层施加输入电压时，金属氧化物层中的氧离子随着离子液体层中的正离子和负离子的分布而移动，以调整合成反铁磁层顶部界面的电荷积累，从而通过RKKY作用调控合成反铁磁层底部的磁畴壁的泄露运动速度。
基于离子调控可重构神经元器件及其制备方法

[发明专利]一种基于PCB板的双反速轴向磁通永磁电机-CN202011193661.2在审
发明人：赵静;付文琪;杨柳;刘向东 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H02K3/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于PCB板的双反速轴向磁通永磁电机。所述一种基于PCB板的双反速轴向磁通永磁电机，采用第一PCB板绕组和第二PCB板绕组两套定子绕组，无需中间换向装置便可实现电机的双反速运行。并且，PCB绕组排布整齐、形式多样，对于结构紧凑型轴向磁通电机，不仅解决了传统散绕方式下线困难的问题，还实现了电机的轻量化设计。另外，本发明中机构的可拓展性强，对电机的设计和调整更为灵活和简便。
一种基于 pcb 双反速轴向永磁电机

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