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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]磁致电阻器件和磁致电阻磁头-CN97126174.1无效
发明人： 川分康博;榊间博;里见三男 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1997-11-28 - 公布日： 2004-03-17 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：本发明的磁致电阻器件包括：至少两个其间夹有非磁性层而堆叠的磁性层；和形成传导电子的金属反射层，与磁性层的最外两层中至少之一接触。金属反射层与最外磁性层的一个表面接触，该表面与最外磁性层的与非磁性层接触的另一表面相反。在保持电子的自旋方向时金属反射层易于反射传导电子。
致电器件磁头

[发明专利]交换耦合膜,磁电阻效应装置，磁电阻效应磁头及其制作方法-CN98122500.4有效
发明人： 川分康博;榊间博;里见三男;杉田康成 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1998-11-17 - 公布日： 2004-03-10 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：本发明的交换耦合膜包括一衬基和一多层膜。此多层膜包括：一铁磁性层和一邻接此铁磁性层设置的用于抑制此铁磁性层的磁旋的磁旋抑制层；此磁旋抑制层包括一Fe-M-O层(其中M’＝Al，Ti，Co，Mn，Cr，Ni或V)。
交换耦合磁电效应装置磁头及其制作方法

[发明专利]磁电阻效应元件及存储元件-CN96111903.9无效
发明人：间博;上野山雄;川分康博;入江庸介 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1996-08-21 - 公布日： 2003-12-10 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：用小磁场显示大磁电阻变化的磁电阻效应元件及应用该元件的存储元件。在基板(1)上设置半导体膜(2)，在半导体膜(2)上设置半导体膜(3)，在半导体膜(3)上设置非磁性金属膜(4)。非磁性金属膜(4)上设有良好方型磁化曲线的磁性膜(5)。在基板(1)下设置电极(6)，在磁性膜(7)上设置电极。将激光照射到半导体膜(2)上，在半导体膜(3)中激发产生自旋极化的电子，利用了在磁性膜(5)的界面处电子散射依赖于磁性膜(5)的磁化方向和被激发电子的自旋极化状态。
磁电效应元件存储

[发明专利]磁阻效应器件以及使用这种器件的器件-CN95106521.1无效
发明人：榊间博;入江庸介;里见三男;川分康博 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1995-05-02 - 公布日： 2003-10-29 - 主分类号： H01F10/12 文献下载
摘要：本发明的磁阻效应器件包括：基片；以及在基片上形成的多层结构。多层结构包括硬磁膜，软磁膜，以及用来把硬磁膜和软磁膜隔开的非磁金属膜，硬磁膜的磁化曲线具有好的矩形特性，硬磁膜的易磁化轴的方向基本上和要被检测的磁场的方向一致。
磁阻效应器件以及使用这种

[发明专利]磁阻效应器件,磁阻头及制造磁阻效应器件的方法-CN98125636.8无效
发明人： 川分康博;里见三男;杉田康成;榊间博 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1998-09-29 - 公布日： 2003-10-15 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：本发明的磁阻效应器件包括一个多层膜。该多层膜包括反铁磁膜、第一铁磁膜、非磁膜、及第二铁磁膜，它们以此顺序直接地或通过一下层设在非磁衬底上。反铁磁膜包括α-Fe2O3膜。反铁磁膜和第一铁磁膜之间的表面粗糙度约为0.5nm或以下，以促进在反铁磁膜和第一铁磁膜之间界面上的导通电子的镜面反射。
磁阻效应器件制造方法

[发明专利]交换耦联薄膜及制造方法,磁阻效应装置及磁阻效应头-CN99100206.7有效
发明人：榊间博;广田荣一;川分康博;里见三男;杉田康成 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1999-01-18 - 公布日： 2003-06-25 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：本发明涉及一种交换耦联薄膜，其包括铁磁层和锁定层，所述锁定层与铁磁层相接触以锁定铁磁层的磁化方向，该锁定层包括(AB)2Ox层，其中：O代表氧原子；2.8＜x＜3.2；如下定义的t值满足0.8＜t＜0.97∶t＝(Ra+Ro)/(∴·(Rb+Ro))，其中，Ra、Rb和Ro分别代表元素A和B的原子以及O原子的离子半径；以及(AB)2Ox层中的元素B包括Fe原子。本发明还涉及包括该交换耦联薄膜的磁阻效应装置、包括该磁阻效应装置的磁阻效应头以及制造该交换耦联薄膜的方法。
交换薄膜制造方法磁阻效应装置

[发明专利]微粒排列体、其制造方法和使用该排列体的器件-CN02102814.1无效
发明人：美浓规央;川分康博;森田清之;吉井重雄;村上睦明;楠本修 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2002-01-24 - 公布日： 2002-12-04 - 主分类号： H01F41/16 文献下载
摘要：作为把微粒(30)固定到衬底(32)上边的排列体,在上述微粒(30)的表面上,形成与上述微粒的表面进行键合的有机涂敷膜(31),在上述衬底(32)表面上形成与上述衬底表面进行键合的有机涂敷膜(33),在上述微粒表面的有机涂敷膜(31)与上述衬底表面的有机涂敷膜(33)之间形成键(34),使上述微粒固定排列在上述衬底上。由此,可以把纳米规模的微粒(30)排列到规定的位置上。此外,在应用于磁性粒子的情况下,可以得到使高记录密度成为可能的磁记录媒体,可以实现高密度磁记录再生装置。
微粒排列制造方法使用器件

[发明专利]磁电阻效应装置、磁头、磁记录设备和存储装置-CN01109991.7无效
发明人：榊间博;川分康博;杉田康成 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2001-08-03 - 公布日： 2002-07-17 - 主分类号： G11B5/127 文献下载
摘要：一种磁电阻效应装置,包括一自由层,其磁化方向可容易地被一外部磁场旋转;一非磁性层;和一被钉扎层,其磁化方向不能容易地被一外部磁场旋转,该被钉扎层位于与形成自由层的表面相对的非磁性层的表面上,其中该被钉扎层包括一用于交换耦合的第一非磁性膜;和通过该第一非磁性膜彼此反铁磁性交换耦合的第一和第二磁性膜,该第一非磁性膜包含Ru、Ir、Rh和Re的氧化物之一。
磁电效应装置磁头记录设备存储

[发明专利]磁记录媒体和采用该媒体的磁记录装置-CN01124832.7无效
发明人：榊间博;足立秀明;里见三男;川分康博;杉田康成;饭岛贤二 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2001-06-06 - 公布日： 2002-01-16 - 主分类号： G01D15/12 文献下载
摘要：本发明提供热波动受到抑制的新的磁记录媒体,以及采用该磁记录媒体的磁记录装置。通过以磁性离子交换方式使M2Oy为主成份的膜与记录信号的磁性膜结合,由此,使磁性膜的有效V与Ku增加,抑制热波动。在这里,M表示是从Fe,Co,Ni,碱土类元素,Y,镧系元素和Bi中选择出的至少1种元素,而且从Fe,Co和Ni中选择出的至少1种是作为必须的元素,y为满足2.8
记录媒体采用装置

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