专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]电流垂直于平面结构的磁电元件-CN02828592.1无效
  • 大岛弘敬;清水丰;田中厚志 - 富士通株式会社
  • 2002-03-20 - 2005-07-13 - G11B5/39
  • 一种电流垂直于平面结构的磁电元件,磁电薄膜(43)从一个磁头滑块的介质相对表面(28)向后延伸。一个上电极层(46)叠置在磁电薄膜的上边界(43b)上。该高阻区的电阻高于低阻区的电阻。该高阻区用于限制最靠近介质相对表面的读出电流的通路。允许该读出电流集中在最靠近磁电薄膜中的介质相对表面的位置。由于靠近介质相对表面的磁化强度趋于充分转动,该电流垂直于平面(CPP)结构的磁电元件保持电阻的充分变化。在该CPP结构的磁电元件中可保持足够的灵敏度。
  • 电流垂直平面结构磁电元件
  • [发明专利]一种碳化硅灭磁电及其制备方法-CN201010170421.0有效
  • 潘银大 - 宜兴市丁山电瓷避雷器材厂
  • 2010-05-13 - 2011-11-16 - H02H7/06
  • 本发明涉及一种灭磁电及其制备方法,灭磁电按重量百分比配比:碳化硅为80~90%、结合剂为12~19%、导电碳黑为0.5~2.5%,本发明通过改变灭磁电材料配方,将碳化硅SiC的半导体颗粒分散在有一定电阻的结合剂内,经过充分混合、磨细、压制成型、并控制烧结环境、烧结温度和烧结时间,制备出成本低、性能优良的碳化硅SiC灭磁电,本发明单片阀片残压比国外的SIC灭磁电低5%,通流能力大6%,而且相同电流流过后温升小10%,阀片残压变化小10%。
  • 一种碳化硅磁电及其制备方法
  • [发明专利]煤矿井下磁电综合探测仪及磁电综合探测方法-CN201210589018.0有效
  • 林晓 - 福州华虹智能科技开发有限公司
  • 2012-12-29 - 2013-04-24 - G01V3/04
  • 煤矿井下磁电综合探测仪及磁电综合探测方法。本发明涉及一种煤矿井下磁电综合探测仪,包括发射机和接收机,其特征在于:发射机包括发射电源、发射控制电路、发射线圈、电极;接收机包括接收线圈、电极、接收信号调理电路、ADC、接收电源和数据处理平台。该煤矿井下磁电综合探测仪特别适合于探测煤矿井下采空区、熔岩发育区、断层、破碎带充水等地质危害;用直流电法的对称四极装置测试的实际电阻,来校正地质体的视电阻,提高瞬变电磁法的精度;用直流电法数据来填补瞬变电磁法的浅层盲区
  • 煤矿井下磁电综合探测仪探测方法

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