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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]制造磁阻磁头的方法-CN200510120333.9无效
发明人： 重松惠嗣 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2005-11-08 - 公布日： 2006-08-02 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：为了控制旋转阀膜中的晶粒尺寸，需要展示高生产率并能够形成大约10nm的构图的光刻技术。将包含聚苯乙烯(PS)和聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的二嵌段共聚物4应用到下间隙层1(图2(a))。当涂敷通过混和PS和PMMA形成的液态附加剂时，获得了包括海状PS组织部分5和岛状PMMA组织部分6的膜结构。通过向膜结构施加臭氧RIE处理，海状PS组织部分5被蚀刻，以形成岛状PMMA组织部分6的构图(图2(b))。通过使用岛状PMMA组织部分作为抗蚀剂蚀刻下间隙层1，然后去除抗蚀剂，能够形成在下间隙层1上有规律地排列的不均匀性构图2(图2(c)、图2(d))。在经受了不均匀性制作的下间隙层1上形成旋转阀膜7。
制造磁阻磁头方法

[发明专利]磁阻磁头及其制造方法-CN200510082332.X无效
发明人： 重松惠嗣;西冈浩一;田岛康成 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2005-06-30 - 公布日： 2006-01-25 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：使得旋转阀设备的反铁磁层和第一铁磁层之间的交换耦合能以及经由Ru反铁磁耦合层耦合的第一铁磁层和第二铁磁层之间的反铁磁耦合能增加，从而增加磁阻比例并减小旋转阀膜的自由层矫顽磁力。在MnPt反铁磁基础型合成铁型旋转阀膜中，底层、包括MnPt的反铁磁层、包括CoFe的第一铁磁层、包括Ru的反铁磁耦合层、包括CoFe的第二铁磁层、包括Cu的中间非磁性层、包括CoFe和NiFe合成膜的自由层以及保护层被堆叠在基底上，并且第一铁磁层的CoFe_X中的Fe组分被设定为20＜X≤50at％。
磁阻磁头及其制造方法

[发明专利]磁电阻效应型磁头及其制造方法-CN200410030906.4无效
发明人：西冈浩一;重松惠嗣 -专利权人：日立环球储存科技日本有限公司
申请日： 2004-03-26 - 公布日： 2004-10-06 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：本发明涉及磁电阻(MR)效应型磁头及其制造方法。本发明提供一种通过在室温施加磁场的处理使固定层的磁矩相对于大的外部磁场稳定、并能控制固定层的磁化方向的结构及施加磁场的处理方法。本发明的磁电阻效应型磁头的特征在于，固定层由相互反铁磁性结合的2个强磁性膜A及强磁性膜B，和分离2个强磁性膜A及B的反铁磁性结合膜组成，使强磁性膜A的单独的矫顽力为200Oe以上，使强磁性膜B的单独的矫顽力为20Oe以下，强磁性膜A和强磁性膜B的组成为，以Co_100－YFe_Y(原子％)来表示时，强磁性膜A为80≥Y≥40；强磁性膜B为20≥Y≥0，与强磁性膜A接触的膜的材料为Ru、Ta、NiFeCr、Cu、NiFe。
磁电效应磁头及其制造方法

[发明专利]磁阻效应磁头及其制造方法-CN200310102384.X无效
发明人：淡河纪宏;小岛修一;冈崎幸司;重松惠嗣;田岛康成 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2003-10-23 - 公布日： 2004-10-06 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：本发明涉及磁阻效应磁头及其制造方法。在现有的磁阻效应磁头中，若不将磁畴控制所必须的偏置磁场控制得较大，就不能进行适当的磁畴控制。通过在磁阻效应多层膜的下部形成磁畴控制底层，使磁畴控制膜与自由层的两侧端接触，可使除磁畴控制膜外所多余的偏置磁场以最小化的状态实现适当的磁畴控制。
磁阻效应磁头及其制造方法

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