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[发明专利]一种钉扎铁磁层结构及其制造方法、电磁器件-CN202111206784.X在审
发明人：毕冲;娄凯华;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H10N50/80 文献下载
摘要：本发明提供了一种钉扎铁磁层结构及其制造方法、电磁器件，钉扎铁磁层结构包括基片、待钉扎铁磁层、环绕包裹在待钉扎铁磁层周围的反铁磁层，且反铁磁层的磁矩方向与待钉扎铁磁层需要的钉扎磁场的方向平行。通过在待钉扎铁磁层的侧面形成反铁磁层，且还使反铁磁层的磁矩方向与待钉扎铁磁层需要的钉扎磁场的方向平行，以实现对待钉扎铁磁层的钉扎。由于反铁磁层位于待钉扎铁磁层的侧面，在待钉扎铁磁层的上方和下方都无需再设置反铁磁层，从而既能够在待钉扎铁磁层的上方又能够在待钉扎铁磁层的下方设置诸如缓冲层等的其他附加层，而不受反铁磁层的影响，防止出现由于晶格失配和界面处材料混合而削弱反铁磁层的钉扎效果，进而提高钉扎效果。
一种钉扎铁磁层结构及其制造方法电磁器件

[发明专利]全电控自旋电子神经元器件、神经元电路和神经网络-CN202110537062.6在审
发明人：邢国忠;王迪;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本公开提供一种全电控自旋电子神经元器件、神经元电路和神经网络，神经元器件包括：底部反铁磁钉扎层；合成反铁磁层，形成于底部反铁磁钉扎层上；势垒层，形成于铁磁自由层上；其中，铁磁自由层的正对势垒层的区域形成阈值区域；铁磁参考层，形成于势垒层上；其中，势垒层、铁磁参考层和铁磁自由层形成磁性隧道结；第一反铁磁钉扎层和第二反铁磁钉扎层，形成于铁磁自由层的除正对势垒层区域外的裸露区域上，且第一反铁磁钉扎层和第二反铁磁钉扎层位于势垒层的两侧；其中，铁磁自由层的正对第一反铁磁钉扎层和第二反铁磁钉扎层的区域分别形成第一钉扎区域和第二钉扎区域；第一电极，形成于铁磁参考层上。
全电控自旋电子神经元器件神经元电路神经网络

[发明专利]一种反铁磁隧道结及其制备方法-CN202310332044.3在审
发明人：刘知琪;冯泽鑫 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本申请公开了一种反铁磁隧道结及其制备方法，首先在单晶硅晶圆上沉积绝缘氧化物层，然后在绝缘氧化物层上沉积共线反铁磁钉扎层，随后在共线反铁磁钉扎层上依次沉积非共线反铁磁参考层、隧穿层和非共线反铁磁自由层，结合光刻工艺，最终在硅晶圆上实现具有绝缘氧化层‑共线反铁磁钉扎层‑非共线反铁磁参考层‑隧穿层‑非共线反铁磁自由层的全反铁磁隧道结，由于绝缘氧化物层为单晶膜层，因此能够提高共线反铁磁钉扎层的质量，增大非共线反铁磁参考层和共线反铁磁钉扎层之间的交换偏置作用，提高器件可靠性，同时，该反铁磁隧道结可在硅晶圆上大规模制备，易于集成，具有写入速度快、存储密度高的优势。
一种反铁磁隧道及其制备方法

[发明专利]一种铁磁/反铁磁多层膜钉扎体系及其制备方法-CN200410073654.3无效
发明人：代波;蔡建旺;赖武彦 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2004-09-02 - 公布日： 2005-03-02 - 主分类号： H01F1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁磁/反铁磁多层膜钉扎体系及其制备方法，该钉扎体系包括一基片和在基片上设置的一缓冲层、一被钉扎的铁磁层以及一作为钉扎材料的反铁磁层和设于其上的保护层。其制备方法是在基片上依次沉积各层并通过真空退火得到该钉扎体系。由本发明方法制备的钉扎体系采用CrPt作为反铁磁钉扎材料，其对铁磁层有比较大的钉扎作用，更为重要的是它极大地提高了体系的热稳定性和抗腐蚀能力，而且反铁磁层和铁磁层之间的原子扩散也大大地减少。
一种反铁磁多层膜钉扎体系及其制备方法

[发明专利]一种铁磁/锰系反铁磁多层膜钉扎材料及其制备方法-CN02157977.6无效
发明人：代波;蔡建旺;赖武彦 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2002-12-20 - 公布日： 2004-07-07 - 主分类号： H01F10/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种铁磁/锰系反铁磁多层膜钉扎材料及其制备方法，该钉扎材料包括一基片和在基片上设置的一缓冲层、一第二铁磁层及设在其上的一保护层，其中还包括一设于缓冲层上的引导层、一设于引导层上的反铁磁层、一设于反铁磁层上的第一铁磁层、及一纳米氧化层，设于第一铁磁层和第二铁磁层之间；其制备方法是在基片上依次沉积各层并退火得到该钉扎材料；由本发明方法制备的钉扎材料的反铁磁层厚度明显减薄，钉扎场更大，矫顽力更小，磁滞回线矩形度更好，在铁磁层中几乎没有Mn的扩散，而且还实现了Ni－Mn合金对Co－Fe合金的钉扎；制备工艺简单、材料性能稳定。
一种锰系反铁磁多层膜钉扎材料及其制备方法

[发明专利]磁盘记录系统和双磁电阻读传感器-CN00129074.6无效
发明人：哈德亚尔·S·基尔;布鲁斯·A·格内 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 1996-08-20 - 公布日： 2001-08-29 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：一种双磁电阻读传感器,其第一自旋阀结构包括第一铁磁自由层;含有经反铁磁耦合层隔开的两层铁磁材料的第一铁磁钉扎层;第一非磁性导电间隔层,位于上述自由层和钉扎层之间;第一层反铁磁材料,与第一钉扎层中的第二层铁磁材料直接接触;第二自旋阀结构包括第二铁磁自由层;第二铁磁钉扎层;第二非磁性导电间隔层,位于第二自由层和第二钉扎层之间;第二层反铁磁材料,与第二钉扎层直接接触;非磁性绝缘间隔层,位于第一自旋阀结构与第二自旋阀结构之间
磁盘记录系统磁电传感器

[发明专利]一种铁磁/反铁磁多层膜钉扎材料及其制备方法-CN201010177285.8无效
发明人：代波;蒋庆林;邢永燕 -专利权人：西南科技大学
申请日： 2010-05-19 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01F10/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁磁/反铁磁多层膜钉扎材料及其制备方法，该多层膜钉扎材料包括基片和在基片上设置的缓冲层、铁磁层I、反铁磁层、铁磁层II和设于其上的保护层；其制备方法是在基片上采用磁控溅射依次沉积各层得到该多层膜材料采用本发明方法制备的多层膜钉扎材料，不仅成功地实现了铁磁/反铁磁交换偏置，而且利用交换耦合作用，增强了反铁磁材料的钉扎性能，使得铁磁/反铁磁交换偏置体系更加稳定，更适合于磁电子学器件的应用；制备工艺简单
一种反铁磁多层膜钉扎材料及其制备方法

[发明专利]磁阻器件、薄膜磁头和磁盘驱动设备-CN200710199732.8无效
发明人：近藤玲子 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2007-12-12 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种磁阻器件、薄膜磁头和磁盘驱动设备，该磁阻器件包括：反铁磁层；第一被钉扎层，其磁化方向被该反铁磁层固定；参考被钉扎层，与该第一被钉扎层反铁磁耦合，并且反平行于该第一被钉扎层；以及自由层，其磁化方向在施加外部磁场下相对于该参考被钉扎层而改变该第一被钉扎层沿芯部宽度方向的尺寸大于该参考被钉扎层沿芯部宽度方向的尺寸。
磁阻器件薄膜磁头磁盘驱动设备

[发明专利]自旋阀磁致电阻传感器及采用此传感器的磁记录系统-CN95107323.0无效
发明人：凯文·罗伯特·科菲;布鲁斯·奥文·格尼;戴维·尤格尼·黑姆;哈拉兰博斯·莱法科斯;丹尼尔·莫里;维吉尔·西蒙·斯波里奥苏;丹尼斯·理查德·维尔霍伊特 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 1995-05-31 - 公布日： 2001-04-04 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：一种磁记录系统使用了一种改进的自旋阀磁致电阻（ＳＶＭＲ）传感器。该ＳＶＭＲ传感器具有一叠合的自钉扎层作为钉扎铁磁层，代替常规的自层钉扎层。因为该叠合层是“自钉扎”的，则无需硬偏磁或交换偏磁层。该叠合的自钉扎层具有至少两层穿过一反铁磁（ＡＦ）耦合薄膜相互反铁磁耦合的铁磁膜。
自旋致电传感器采用记录系统

[发明专利]磁装置-CN201980001174.0有效
发明人：林相镐;金时年 -专利权人：高丽大学校产学协力团
申请日： 2019-03-18 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01F10/32 文献下载
摘要：本发明提供一种磁装置，包含：钉扎层，具有平面内磁化方向；自由层，具有平面内磁化方向，与钉扎层竖直间隔开以与钉扎层对准；导电间隔物层，安置在钉扎层与自由层之间；反铁磁层，安置以固定钉扎层的磁化方向且与钉扎层竖直间隔开以与钉扎层对准；以及贵金属间隔物层，安置在钉扎层与反铁磁层之间。
装置

[发明专利]磁隧道结存储单元及存储器-CN201911117972.8有效
发明人：林晓阳;尉国栋;范晓飞;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种磁隧道结存储单元及存储器。该磁隧道结存储单元包括：顶端电极、铁磁自由层、隧穿层、铁磁参考层、相变层、铁磁被钉扎层、反铁磁钉扎层和底端电极；相变层位于铁磁参考层和铁磁被钉扎层之间，具有响应于外部温度变化或外部光照变化的相变特征；其中，铁磁被钉扎层具有固定的磁化方向；铁磁参考层位于相变层和隧穿层之间，具有响应于相变特征的变化的磁化方向；反铁磁钉扎层位于铁磁被钉扎层和底端电极之间，具有固定的磁化方向；铁磁自由层位于隧穿层和顶端电极之间，具有固定的磁化方向，可以在无磁环境下完成信息写入，降低了功耗和加工成本。
隧道结存单元存储器

[发明专利]自旋阀磁致电阻传感器以及使用此传感器的磁记录系统-CN96110311.6无效
发明人：小Ｒ·Ｅ·冯塔纳;Ｂ·Ａ·古尔尼;Ｔ·林;Ｖ·Ｓ·施佩里奥苏;Ｃ·Ｈ·曾;Ｄ·Ｒ·韦尔霍特 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 1996-06-08 - 公布日： 2001-12-19 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：自旋阀磁致电阻（ＳＶＭＲ）传感器用与改进的反铁磁性（ＡＦ）交换偏磁层组合的叠层反平行（ＡＰ）钉扎层，其中包括由非磁性耦合膜隔开的两层铁磁膜，其磁化以反平行取向反铁磁地强耦合起来。在旋转ＳＶＭＲ传感器的自由层所需的弱场内此叠层ＡＰ钉扎层是磁刚性的，其中两铁磁层磁矩接近相同时，钉扎层净磁矩较小。交换场较大，因其反比于净磁矩。叠层ＡＰ钉扎层的磁化被ＡＦ材料固定或钉扎，后者耐蚀性强但交换各向异性过小而不能用于传统ＳＶＭＲ传感器。
自旋致电传感器以及使用记录系统

[发明专利]具有钉扎的铁磁/反铁磁多层膜材料及其制备方法-CN200610056824.6无效
发明人：倪经;蔡建旺 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2006-03-07 - 公布日： 2006-10-11 - 主分类号： H01F10/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有钉扎的铁磁/反铁磁多层膜材料及其制备方法，该材料采用真空沉积镀膜法和再退火的工艺，制备出包括在基片上依次设置缓冲层、铁磁层和一反铁磁层，或者在缓冲层设置反铁磁层再设置铁磁层和一保护层。该钉扎体系引入L1₀有序相反铁磁(Cr_1－xMn_x)_0.5+δPt_0.5－δ(0.3≤x≤0.6；|δ|＜0.06)作为钉扎材料。该材料相对于已有的反铁磁材料(比如FeMn、IrMn、NiMn和PtMn等)制成的铁磁/反铁磁体系，具有非常好的热稳定性，大的交换偏置场以及优越的抗腐蚀性，加之成分范围广，是另一种非常理想的反铁磁钉扎材料
具有反铁磁多层材料及其制备方法

[发明专利]一种阵列基板及其制备方法和液晶显示器-CN201210046656.8有效
发明人：张金中 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2012-02-24 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种阵列基板及制备方法和液晶显示器，该阵列基板包括基板，在基板上依次设置有控制电极层、巨磁电阻层、绝缘层、像素电极层和信号电极层，控制电极层、巨磁电阻层和绝缘层共同构成巨磁电阻有源矩阵；信号电极层与巨磁电阻层相连，像素电极层与巨磁电阻层相连；所述巨磁电阻层包括由靠近基板到远离基板的方向依次设置的反铁磁钉扎层、铁磁被钉扎层、非磁隔离层和软磁层，反铁磁钉扎层和铁磁被钉扎层之间是反铁磁耦合，铁磁被钉扎层和软磁层之间是铁磁性耦合。
一种阵列及其制备方法液晶显示器

[实用新型]具有叠层铁磁层的钉扎薄膜-CN02293463.4无效
发明人： -专利权人：
申请日： 2002-12-24 - 公布日： 2003-12-10 - 主分类号： H01F10/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及具有叠层铁磁层的钉扎薄膜，该钉扎薄膜包括一由硅或玻璃做成的基片和在基片上设置的一由Ta或(NiXFe100－X)YCr100－Y，其中77＜X＜83，50＜Y＜70做成的缓冲层、一第二铁磁层及设在其上的一防止第二铁磁层表面氧化的保护层，还包括：一诱导反铁磁层形成(111)织构的引导层，设于缓冲层上，该引导层具有(111)织构；一由Mn原子百分含量为55％至70％的锰合金做成的反铁磁层，设于引导层上，该反铁磁层具有(111)织构；一由Ni、NiXFe100－X、或CoYFe100－Y，其中77＜X＜83，87＜Y＜93做成的第一铁磁层，设于反铁磁层上；及一由该第一铁磁层氧化而成的纳米氧化层，设于第一铁磁层和第二铁磁层之间；本实用新型的钉扎薄膜的反铁磁层厚度明显减薄，钉扎场更大，而且还实现了Ni－Mn对Co－Fe的钉扎。
具有叠层铁磁层薄膜

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