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[发明专利]反铁磁材料在应力作用下磁性变化的表征方法、表征器件及其制备方法-CN201710827591.3在审
发明人：谢亚丽;李润伟;詹清峰;王保敏;盛萍 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2017-09-14 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： G01R33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种反铁磁材料在应力作用下磁性变化的表征方法，具体是：将反铁磁材料表面设置铁磁材料，二者间发生耦合作用；对反铁磁材料提供应力，在应力作用下反铁磁材料的磁性发生变化，由于该耦合作用铁磁材料的磁性也发生变化，通过测量铁磁材料磁性的变化推出反铁磁材料在该应力作用下的磁性变化。利用该表征方法可得到反铁磁材料在应力作用下的磁性变化规律，据此可通过调控应力实现反铁磁材料磁性的调控。本发明还提供了一种表征器件，呈多层膜结构，依次为衬底层、反铁磁材料层、铁磁材料层以及保护层，具有结构简单，方便表征的优点。
反铁磁材料磁性变化应力作用铁磁材料耦合作用反铁磁材料层多层膜结构铁磁材料层表面设置保护层衬底层力作用调控制备测量

[发明专利]二维强磁性体磁场的快速、高精度数值模拟方法-CN201810006227.5在审
发明人：李昆;陈龙伟;陈轻蕊;强建科;戴世坤;张钱江;赵东东 -专利权人：中南大学
申请日： 2018-01-04 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供一种二维强磁性体磁场的快速、高精度数值模拟计算方法，其通过二维强磁性体模型表示、高斯参数设计、离散偏移波数计算、波数域加权系数计算、磁化强度计算、一维离散傅里叶反变换、空间域磁异常计算、迭代收敛判断等步骤，实现了二维强磁性体磁场数值模拟在效率和精度上的统一。本发明解决了目前强磁性体磁场数值模拟方法计算精度低，无法满足大规模强磁测数据精细反演成像的问题，有助于开展大规模强磁测数据二维磁化率精细反演成像、人机交互建模和解释的研究。
强磁性体二维磁场数值模拟磁化强磁数值模拟方法计算精细傅里叶反变换加权系数计算参数设计迭代收敛模型表示偏移波数强度计算人机交互一维离散波数域磁异常空间域高斯建模统一研究

[发明专利]磁性薄膜和磁阻效应元件-CN200710159762.6有效
发明人：高桥研;角田匡清;驹垣幸次郎 -专利权人：富士通株式会社;国立大学法人东北大学
申请日： 2007-12-21 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： H01F10/12 文献下载
摘要：在所述磁性薄膜中，可以可靠地固定诸如固定层的铁磁层的磁化方向。所述磁性薄膜包括：反铁磁层；和铁磁层。反铁磁层由锰系反铁磁材料构成，并且在反铁磁层和铁磁层之间形成有锰层。
磁性薄膜磁阻效应元件

[发明专利]一种钉扎铁磁层结构及其制造方法、电磁器件-CN202111206784.X在审
发明人：毕冲;娄凯华;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H10N50/80 文献下载
摘要：本发明提供了一种钉扎铁磁层结构及其制造方法、电磁器件，钉扎铁磁层结构包括基片、待钉扎铁磁层、环绕包裹在待钉扎铁磁层周围的反铁磁层，且反铁磁层的磁矩方向与待钉扎铁磁层需要的钉扎磁场的方向平行。通过在待钉扎铁磁层的侧面形成反铁磁层，且还使反铁磁层的磁矩方向与待钉扎铁磁层需要的钉扎磁场的方向平行，以实现对待钉扎铁磁层的钉扎。由于反铁磁层位于待钉扎铁磁层的侧面，在待钉扎铁磁层的上方和下方都无需再设置反铁磁层，从而既能够在待钉扎铁磁层的上方又能够在待钉扎铁磁层的下方设置诸如缓冲层等的其他附加层，而不受反铁磁层的影响，防止出现由于晶格失配和界面处材料混合而削弱反铁磁层的钉扎效果
一种钉扎铁磁层结构及其制造方法电磁器件

[发明专利]一种室温反铁磁记忆器件及其制备方法-CN202310281276.0有效
发明人：刘知琪;周晓荣 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种室温反铁磁记忆器件及其制备方法，该室温反铁磁记忆器件包括：基底和位于基底一侧的反铁磁氧化物功能层。本发明提供的这种室温反铁磁记忆器件中的反铁磁氧化物功能层利用了反铁磁氧化物材料自旋动力学特征频率为THz和对外界磁场不敏感等特点，使得该室温反铁磁记忆器件具有响应速度快、抗强磁场干扰的优点；其次本发明利用外加电场代替磁场或电流施加在基底上产生压电应力，反铁磁氧化物功能层基于压电应力改变反铁磁自旋轴的取向，进而影响反铁磁氧化物材料的各向异性磁电阻效应，从而使得反铁磁氧化物功能层中的电阻产生不同的非易失电阻态，基于不同的非易失电阻态可以有效避免焦耳热，
一种室温反铁磁记忆器件及其制备方法

[实用新型]一种电子转相模块-CN201720360682.6有效
发明人：王爱民 -专利权人：南京新联能源技术有限责任公司
申请日： 2017-04-07 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： H02J3/26 文献下载
摘要：本实用新型是电子转相模块，其结构包括A磁保持继电器与A反并联晶闸管并联后的输入端、B磁保持继电器与B反并联晶闸管并联后的输入端、C磁保持继电器与C反并联晶闸管并联后的输入端共同接A相线路；D磁保持继电器与D反并联晶闸管并联后的输入端、E磁保持继电器与E反并联晶闸管并联后的输入端、F磁保持继电器与F反并联晶闸管并联后的输入端共同接B相线路；G磁保持继电器与G反并联晶闸管并联后的输入端、H磁保持继电器与H反并联晶闸管并联后的输入端、I磁保持继电器与I反并联晶闸管并联后的输入端共同接C相线路。
一种电子模块

[发明专利]一种反窃电视频取证及实时警告装置-CN201911013958.3在审
发明人：刘玲;赵海森;豆林林;程建军;潘伟;王亚檬;卢昭睿;周渠 -专利权人：国网山西省电力公司晋中供电公司;西南大学
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： G08B13/196 文献下载
摘要：本发明涉及一种反窃电视频取证及实时警告装置，属于反窃电领域，包括高压侧电流数据采集模块，二次侧电流数据采集模块，强磁干扰与高频干扰侦测模块，数据记录与分析模块，无线通信模块，移动端，摄像装置，语音装置，其中高压侧电流数据采集模块、二次侧电流数据采集模块、强磁干扰与高频干扰侦测模块、摄像装置和多功能电能表分别连接数据记录与分析模块，摄像装置、数据记录与分析模块和语音装置均连接无线通信模块。本发明实现高低压电流信息比较判断窃电行为，同时综合高级量测体系，根据用户侧的电流数据与电流窃电判据对比分析，更加准确地进行窃电判断，同时能够在线调整窃电判据，提高准确性，还能够反窃电视频图像取证、实时警告
数据采集模块分析模块摄像装置窃电无线通信模块二次侧电流高压侧电流高频干扰强磁干扰数据记录语音装置侦测模块判据取证多功能电能表比较判断电流窃电电流数据电流信息对比分析警告装置连接数据量测体系窃电行为在线调整高低压移动端电视图像警告记录

[发明专利]磷灰石矿降杂选磷工艺-CN201910246323.1有效
发明人：李国洲;段云峰;邢伟 -专利权人：中冶北方（大连）工程技术有限公司
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： B03B7/00 文献下载
摘要：本发明属于选矿技术领域，提供了一种磷灰石矿降杂选磷工艺，包括三段破碎工序、第一段球磨与细筛闭路、粗云母脱出浮选、第二段球磨与旋流器闭路、强磁粗选、强磁扫选、脱泥旋流器、细云母脱出浮选、脱硫反浮选和磷浮选本发明工艺通过粗云母脱出浮选和细云母脱出浮选脱出矿物中的含镁云母，以磁选和脱硫反浮选脱出矿物中的硫，降低磷精矿中氧化镁和硫的含量，能够有效的提高磷精矿的品质，磷灰石矿经过本发明的工艺处理后，可获得品质较好的磷精矿
磷灰石矿降杂选磷工艺

[发明专利]基于磁性多层膜结构的反常能斯特效应热电器件-CN202111186841.2在审
发明人：万蔡华;韩秀峰;司文荣;王翼展;梁云;陈川;黄辉 -专利权人：中国科学院物理研究所;国网上海市电力公司;全球能源互联网研究院有限公司
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H10N15/20 文献下载
摘要：根据一实施例，一种热电器件包括磁性多层膜结构和包围磁性多层膜结构的保护层，磁性多层膜结构包括[反铁磁层/铁磁层]a、[反铁磁层/铁磁层/重金属层]b、以及[反铁磁层/铁磁层/重金属层/铁磁层]c中的一种或多种，铁磁层由铁磁导电材料形成，重金属层由重金属材料形成，[反铁磁层/铁磁层]a结构中的反铁磁层由包括重金属元素的反铁磁材料形成，其余结构中的反铁磁层由反铁磁材料形成，铁磁层具有面内磁矩并且被所述反铁磁层偏置在第一方向上，所述磁性多层膜结构响应于其膜层法线方向上的温度梯度
基于磁性多层膜结构反常能斯特效应热电器件

[发明专利]一种磁随机存储单元及其制备方法、使用方法-CN202110759599.7在审
发明人：王开友;刘雄华;邓永城 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本公开提供了一种磁随机存储单元，包括：衬底，缓冲层，形成于所述衬底上，第一拓扑反铁磁Weyl半金属层，形成于所述缓冲层上，用于通过施加电流，从而驱动所述第一拓扑反铁磁Weyl半金属层中拓扑反铁磁态产生180°翻转，隧穿绝缘层，形成于所述第一拓扑反铁磁Weyl半金属层上，第二拓扑反铁磁Weyl半金属层，形成于所述隧穿绝缘层上，保护层，形成于所述第二所述拓扑反铁磁Weyl半金属层上。基于拓扑反铁磁Weyl半金属为材料制成磁随机存储单元，不需要依赖外加磁场，稳定性高。
一种随机存储单元及其制备方法使用方法

[发明专利]微细粒嵌布混合矿粗粒预选、磁—浮分选工艺-CN201510320813.3有效
发明人：张丛香;刘双安;刘雁翎;宋均利;钟刚;孟娜 -专利权人：鞍钢集团矿业有限公司
申请日： 2015-06-12 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： B02C21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种微细粒嵌布混合矿粗粒预选、磁—浮分选工艺，其特征在于采用“半自磨，湿式预选，连续磨矿，弱磁‑强磁，细筛再磨，强磁精反浮选” 作业系统，对微细粒嵌布混合矿进行选别，获得品位为65%～65.5%本发明的优点是湿式预选可使矿石在粗粒级条件下，抛出15%~20%的大颗粒合格尾矿，磁—浮分选，可提前分选出产率15~20%、品位65%以上磁性矿，降低了浮选作业给矿量，减少浮选机台数，减少药剂用量，降低选矿成本
微细粒嵌布混合矿粗粒预选分选工艺

[发明专利]一种磁存储器及其制备方法-CN202111522263.5在审
发明人：卢世阳;殷加亮;商显涛;刘宏喜;曹凯华;王戈飞 -专利权人：致真存储（北京）科技有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁存储器及其制备方法，涉及磁存储器领域，该磁存储器包括：电流写入层以及设置在之上的反铁磁耦合自由层，反铁磁自由层包括：反铁磁耦合层、第一铁磁翻转层以及第二铁磁翻转层，第一铁磁翻转层厚度小于第二铁磁翻转层，第一铁磁翻转层设于反铁磁耦合层与电流写入层之间，第二铁磁翻转层设于反铁磁耦合层之上，第一铁磁翻转层通过所述电流写入层产生的自旋累积实现翻转，翻转过程带动第二铁磁翻转层翻转，由于反铁磁耦合自由层厚度较单自由层高，因此提升了存储器的使用寿命，并且由于反铁磁耦合自由层的第一铁磁翻转层的厚度小于第二铁磁翻转层，可以实现优先翻转，并且带动第二铁磁翻转层翻转，翻转速度大于现阶段的翻转速度。
一种磁存储器及其制备方法

[发明专利]一种反硝化趋磁细菌分离培养装置-CN201710683058.4在审
发明人：胡家玮;杨亚红;蔚阳;李彦娟;张玉蓉;王少峰 -专利权人：兰州理工大学
申请日： 2017-08-11 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： C12M1/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种反硝化趋磁细菌分离培养装置，包括反硝化箱、磁分离装置和细菌培养箱，反硝化箱位于磁分离装置的顶部，细菌培养箱位于磁分离装置底部，其中反硝化箱、磁分离装置和细菌培养箱通过卡槽连接，可拆分使用本发明装置可提高硝态氮和亚硝态氮转化为气态氮的转化率，集成反硝化、反硝化趋磁细菌分离和培养于一体，使用方便，便于实验运用。
一种硝化细菌分离培养装置

[实用新型]一种反硝化趋磁细菌分离培养装置-CN201720999261.8有效
发明人：胡家玮;杨亚红;蔚阳;李彦娟;张玉蓉;王少峰 -专利权人：兰州理工大学
申请日： 2017-08-11 - 公布日： 2018-05-08 - 主分类号： C12M1/42 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种反硝化趋磁细菌分离培养装置，包括反硝化箱、磁分离装置和细菌培养箱，反硝化箱位于磁分离装置的顶部，细菌培养箱位于磁分离装置底部，其中反硝化箱、磁分离装置和细菌培养箱通过卡槽连接，可拆分使用本实用新型装置可提高硝态氮和亚硝态氮转化为气态氮的转化率，集成反硝化、反硝化趋磁细菌分离和培养于一体，使用方便，便于实验运用。
一种硝化细菌分离培养装置

[发明专利]反铁磁/铁磁交换耦合结构垂直磁偏置异常磁电阻传感器-CN200510081415.7无效
发明人：马修·J·凯里;布鲁斯·A·格尼;斯蒂芬·马特;尼尔·史密斯 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2005-06-30 - 公布日： 2006-01-25 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种异常磁电阻(EMR)传感器，其在EMR有源膜上具有反铁磁/铁磁交换耦合双层结构。双层结构中的铁磁层具有垂直磁各向异性并且被反铁磁层交换偏置。反铁磁/铁磁双层结构提供垂直于EMR有源膜平面的磁场来偏置EMR传感器的磁电阻对磁场响应。铁磁层可由任何可用于垂直磁记录的铁磁材料形成，并以其各向异性轴显著地离面的方式来制备。反铁磁层可由任何已知的Mn合金形成，例如PtMn、NiMn、FeMn、IrMn、PdMn、PtPdMn和RhMn，或者由任何绝缘反铁磁材料形成，例如那些基于钴氧化物和镍氧化物的反铁磁材料。
反铁磁交换耦合结构垂直偏置异常磁电传感器