专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]确定整个图案形成装置或衬底上的标记布局-CN201980076671.7在审
  • P·斯马尔;I·M·索科尔;G·萨尔马 - ASML荷兰有限公司
  • 2019-10-21 - 2021-07-23 - G03F7/20
  • 一种用于确定整个图案形成装置或衬底上的标记位置的布局的方法,该方法包括:a)获取(502)被配置为对与在一个或多个标记位置处的图案形成装置或衬底上执行的测量相关联的数据进行建模的模型;b)获取(504)包括初始标记位置的初始标记布局(506);c)通过去除一个或多个标记位置来减小(508)初始标记布局以获取多个减少的标记布局(510),每个减少的标记布局是通过从初始标记布局中去除不同标记位置而获取的;d)针对上述多个减少的标记布局中的每个减少的标记布局确定(512)与模型的使用相关联的模型不确定性度量;以及e)基于其相关联的模型不确定性度量来选择(514)一个或多个减少的标记布局(516)。
  • 确定整个图案形成装置衬底标记布局
  • [发明专利]掩膜布局的测量方法-CN200710039424.9无效
  • 陆梅君;梁强 - 上海宏力半导体制造有限公司
  • 2007-04-12 - 2008-10-15 - G03F7/20
  • 本发明提供一种掩膜布局的测量方法,其先置将一掩膜置放于检测机台上,并针对此掩膜上多个图案、与图案之间所夹设的间隙区域进行检测,最后根据所获得的图案、间隙区域的测量结果以判定掩膜是否为成品、废品或是需要再次加工的返工品因此,本发明所提供的掩膜布局的测量方法可同时检测经由曝光工艺所形成的图案外,亦同时对于此些图案之间的相对位置进行检测,可确保掩膜中整体布局图案的正确性,以提升掩膜的质量并可提供充足的信息以做为工艺调整参考
  • 布局测量方法
  • [发明专利]多次曝光图案分解系统和方法-CN200910003754.1有效
  • 朱迪·赫卡贝;方伟平;康春辛;周时英 - 凯登斯设计系统有限公司
  • 2009-02-01 - 2009-09-02 - G06F17/50
  • 本发明涉及多次曝光图案分解系统和方法,具体涉及一种用于识别不满足制造限制的设计布局中的图案的错误标记的方法和系统。一些实施例从错误标记区域扩展区域,以提取用于分解分析的图案。一些实施例将已提取的图案与库中存储的已知图案进行比较,库中还为各个已知的图案存储了至少一种预先计算的分解解决方案。对于库中存在的已提取图案,一些实施例从库中检索预先计算的分解解决方案。对于库中不存在的已提取图案,一些实施例使用一种或多种模拟来确定已提取图案的分解解决方案。所得到的分解解决方案取代设计布局中的已提取图案,产生包含此图案的已分解解决方案的初始布局的变形。
  • 多次曝光图案分解系统方法
  • [发明专利]具有改进的输出均匀性的LED照明装置-CN201210592885.X有效
  • 叶伟毓;柯佩雯 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2012-12-31 - 2013-08-14 - F21S2/00
  • 照明装置包括衬底和根据预定布局图案设置在衬底之上的多个LED模块。布局图案包括具有横向上邻近第一水平对准的LED模块和第二水平对准的LED模块定位的垂直对准的LED模块的行。布局图案还包括具有横向上邻近第一垂直对准的LED模块和第二垂直对准的LED模块定位的水平对准的LED模块的列。布局图案进一步包括横向上相互邻近的水平对准的LED模块的行。每个LED模块还包括提供不对称光图案的次级光学组件。多个LED模块在扩散器上提供线性光分布或平面光分布。本发明还提供了一种具有改进的输出均匀性的LED照明装置。
  • 具有改进输出均匀led照明装置
  • [发明专利]用于评估集成电路中的图案的计算系统及方法-CN201710523525.7在审
  • 金宗沅;申在弼;金兑宪;金龙铉;金泰铉;朴琎圭 - 三星电子株式会社
  • 2017-06-30 - 2018-04-17 - G06F17/50
  • 一种用于评估集成电路中的图案的计算系统及方法。可评估集成电路中的图案,且可基于所述评估制作半导体装置。所述评估可包括从基于对集成电路进行检验而产生的输入布局数据提取与为相同形状的各设计图案对应的第一图案,并对各所述第一图案进行叠加;基于所述叠加的第一图案,产生所述第一图案的分布数据;基于评估条件及所述分布数据,确定设计图案的评估轮廓;以及通过以各自具有所述评估轮廓的第二图案取代第一图案,产生输出布局数据。可基于所述输出布局数据检测所述集成电路中的弱点。所述制作可包括基于确定出集成电路包括少于临界数量的及/或临界浓度的弱点,将所述集成电路选择性地纳入半导体装置中。
  • 用于评估集成电路中的图案计算系统方法
  • [发明专利]确定图案的像差灵敏度的方法-CN202080062062.9在审
  • 刘晶晶;徐端孚;彭星月 - ASML荷兰有限公司
  • 2020-08-21 - 2022-04-12 - G03F7/20
  • 本文描述一种用于基于与图案形成设备相关联的像差灵敏度来确定过程窗口限制图案(PWLP)的方法(300)。所述方法包括:P(301)获得(i)与所述图案形成设备的像差波前相关联的第一核集合(301)和第二核集合(302),和(ii)待经由所述图案形成设备而被印制于衬底上的设计布局(303);和经由使用所述设计布局、所述第一核集合、和所述第二核集合的过程模拟,确定P(303)与所述像差波前相关联的像差灵敏度映射,所述像差灵敏度映射指示所述设计布局的一个或更多个部分对于单独像差以及在不同像差之间的交互作用的灵敏程度;以及基于所述像差灵敏度映射,确定P(305)与相较于所述设计布局的其它部分具有相对高灵敏度的所述设计布局相关联的所述PWLP(315)。
  • 确定图案灵敏度方法

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