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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]降低制造成本的低栅极电荷屏蔽栅半导体器件及制作方法-CN202310397375.5有效
发明人：滕支刚 -专利权人：江苏临德半导体有限公司
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种降低制造成本的低栅极电荷屏蔽栅半导体器件，包括：第一导电类型硅衬底，在硅衬底上设有第一导电类型外延层；在第一导电类型外延层中设有单胞沟槽和分压沟槽；在单胞沟槽内设有相互分离的源极多晶硅、第一栅极多晶硅和第二栅极多晶硅，在分压沟槽内设有相互分离的第一场板多晶硅、第二场板多晶硅和第三场板多晶硅；第一栅极多晶硅和第二栅极多晶硅分别位于源极多晶硅上方两侧，第二场板多晶硅和第三场板多晶硅分别位于第一场板多晶硅上方两侧；单胞沟槽中的源极多晶硅、第一栅极多晶硅和第二栅极多晶硅通过绝缘介质层相互绝缘；本发明还提供了上述半导体器件的制作方法；能够减少光刻次数，使得其制造工序简化。
降低制造成本栅极电荷屏蔽半导体器件制作方法

[发明专利]功率半导体器件终端及制造方法-CN202211122924.X在审
发明人：赵东艳;肖超;陈燕宁;邵瑾;董广智;付振;刘芳;张泉;尹强;田俊 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：超结MOS器件包括：形成在半导体衬底上的有源区和终端区，有源区和终端区内均设置有相互交替的N柱和P柱，终端区表面设置有场氧化层，场氧化层的上方设置有多晶硅场板，多晶硅场板上方设置有金属场板，多晶硅场板包括多段多晶硅微场板，金属场板包括多段金属微场板，多段金属微场板对应设置在多段多晶硅微场板上方，每段金属微场板与对应的一段多晶硅微场板通过接触孔相连，形成多级阶梯场板；N柱与下一级P柱相接面位于任意两段多晶硅微场板之间间隔区域的下方，所述P柱与下一级N柱相接面位于任一多晶硅微场板的下方。
功率半导体器件终端制造方法

[发明专利]横向超结器件、横向绝缘栅双极晶体管及制造方法-CN202211124222.5有效
发明人：赵东艳;肖超;陈燕宁;邵瑾;董广智;付振;刘芳;张泉;尹强;田俊;杨毓龙 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：该横向超结器件包括：P型衬底、P柱、N柱、栅极结构、源极结构和漏极结构；栅极结构包括多晶硅栅，多晶硅栅与漏极结构之间设置有场氧化层；场氧化层上方还设置有多晶硅场板，多晶硅场板上方设置有金属场板；多晶硅场板包括多段多晶硅微场板，金属场板包括多段金属微场板，多段金属微场板对应设置在多段多晶硅微场板上方，首级金属微场板通过接触孔与多晶硅栅相连，后一级金属微场板通过接触孔与前一级多晶硅微场板相连，末级金属微场板通过接触孔与漏极结构相连
横向器件绝缘双极晶体管制造方法

[发明专利]隔离型高耐压场效应管的版图结构-CN201110371064.9有效
发明人：金锋;朱丽霞 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-11-21 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种隔离型高耐压场效应管的版图结构，包括漏区、源区、漏区漂移区、漂移区、源区多晶硅场板及栅极和漏区多晶硅场板；源区多晶硅场板及栅极为通过圆弧场板连接的内外双层U型结构，且U型结构的开口处封闭；封闭的漏区多晶硅场板位于源区多晶硅场板及栅极的内外双层U型结构之间；漏区位于闭合的漏区多晶硅场板内，漏区漂移区位于源区多晶硅场板及栅极和漏区多晶硅场板之间，源区位于源区多晶硅场板及栅极的外层之外及内层和外层之间，所述源区和漏区位于漂移区内，源区与硅基板衬底被漂移区隔离。本发明利用源区整个包围漏区，并在器件尾部增加场板，通过P型掺杂区包围漏区漂移区，防止电场集中，提高器件击穿电压。
隔离耐压场效应版图结构

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202211269528.X在审
发明人：于绍欣 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括基底、场板和多晶硅层。其中，基底内设置有沟槽栅极；场板设置于基底上，场板包括相对于沟槽栅极对称设置的第一子场板和第二子场板；多晶硅层包括第一子多晶硅层和第二子多晶硅层，第一子多晶硅层和第二子多晶硅层分别设置于第一子场板和第二子场板上
半导体器件及其制造方法

[发明专利]多晶硅场板及其制备方法和应用-CN202210747974.0在审
发明人：曲凯;史仁先;鲁艳春 -专利权人：北海惠科半导体科技有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本申请公开了一种多晶硅场板及其制备方法和应用。多晶硅场板包括衬底，在衬底上设有连接区和P+环区；P+环区包括多个隔离岛，每一隔离岛呈框型并结合在衬底表面上，多个隔离岛间隔分布，并依次围合连接区；相邻两隔离岛之间形成框型P+沟道，在P+沟道内填充有复合多晶硅层；复合多晶硅层包括掺杂多晶硅层和与掺杂多晶硅层层叠结合的无掺杂多晶硅层，且掺杂多晶硅层结合在P+沟道的底部，在无掺杂多晶硅层的背离掺杂多晶硅层的表面还含有导电改性层。多晶硅场板电场效应所含的复合多晶硅层导电性能高，具有良好的导通性。含有本申请多晶硅场板的半导体功率器件的可靠性等性能得到了提高。
多晶硅场板及其制备方法应用

[发明专利]半导体器件的终端耐压结构、半导体器件及其制造方法-CN201811259338.3有效
发明人：曾丹;史波;肖婷;何昌 -专利权人：珠海零边界集成电路有限公司;珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的终端耐压结构、半导体器件及其制造方法，包括氧化层和多个多晶硅场板，所述多晶硅场板包括横板、垂直设置于横板端部的直板，所述多晶硅场板横向间隔排列设置于氧化层中，且横板同一平面布置、相邻的两多晶硅场板的直板间形成电容器，运用本发明所述的外围终耐压结构可以有效的降低外围终端耐压结构占用的面积，进而降低整个功率半导体器件的生产成本，增加竞争力，同时，本发明采用特殊形状的多晶硅场板结构，增大了相邻多晶硅场板间的作用面积，有效的增大了板间电容，使得耐压更稳定，且多晶硅场板仅需一次多晶硅沉积步骤即可完成，其生产效率高、成本低。
半导体器件终端耐压结构及其制造方法

[发明专利]形成超高耐压电阻的版图结构-CN201210290714.1有效
发明人：金锋;苗彬彬;董金珠 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-08-15 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：发明公开了一种形成超高耐压电阻的版图结构，包括高耐压场效应管和多晶硅电阻；高耐压场效应管包括漏区、源区、漏区漂移区和漂移区；漏区位于场效应管的中央，漏区漂移区位于漏区和源区之间，源区位于栅极外且被漂移区包围；漏区漂移区中形成场氧，靠近漏区的一侧场氧上形成漏区多晶硅场板，另一侧形成栅极多晶硅，栅极多晶硅和源区多晶硅场板横向相连并与源区相连；多晶硅电阻形成于场氧上且位于漏区多晶硅场板和栅极多晶硅之间，其高压端通过金属线与高耐压场效应管的漏区和漏区多晶硅场板相连本发明利用高耐压场效应管的耐压特性使得多晶硅电阻具有与高耐压场效应管相同的耐压能力。
形成超高耐压电阻版图结构

[发明专利]分段式复合场板的终端结构-CN202011201439.2在审
发明人：刘琦;杨乐;刘雯娇 -专利权人：龙腾半导体股份有限公司
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明提出一种分段式复合场板的终端结构，隶属于功率半导体器件技术领域。本发明包括环注入区、多晶硅、短场板、接触孔、以及截止环金属；环注入区位于栅极引线外侧，多晶硅位于环注入区外侧；环注入区和多晶硅重复排布多组；截止环金属在最后一个多晶硅外侧，是芯片最外面一圈结构；短场板在环注入区和多晶硅上面，通过接触孔实现和环注入区的连接；短场板在多晶硅的上面阵列式排列形成多晶硅和短场板的阵列区。该结构解决了在实现金属场板和场限环的连接时会遇到场限环间距太近、接触孔和金属边缘距离不够、导致金属间距不能满足金属湿法刻蚀工艺要求的问题，在有限的终端面积上实现了更高的耐压，同时还提高了器件抗热应力的能力
段式复合终端结构

[发明专利]多晶硅场限环-CN201310177855.7有效
发明人：苏少爽 -专利权人：江西创成半导体有限责任公司
申请日： 2013-05-10 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：一种多晶硅场限环，在制作高压器件场限环终端时采用半绝缘多晶硅掺杂替代传统的单晶硅掺杂以改善高压器件的耐压特性。该多晶硅场限环特点在于：制作高压器件场限环终端时采用了半绝缘多晶硅掺杂。该多晶硅场限环的实现要点包括：1)采用半绝缘多晶硅制作高压器件场限环的终端结构；2)制作高压器件场限环中半绝缘多晶硅掺杂的元素及其浓度，所述掺杂的元素包括：为使耐压特性改善在多晶硅中掺加氧、氮、磷等；3)制作高压器件场限环终端时采用了半绝缘多晶硅的制作工艺流程，所述半绝缘多晶硅的制作工艺流程包括刻蚀、多晶硅淀积、及后续的保护层。
多晶硅场限环

[发明专利]LDMOS器件及工艺方法-CN202110080613.0在审
发明人：许昭昭 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-01-21 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种LDMOS器件，通过对LDMOS器件靠近沟道一侧的场板介质层STI进行刻蚀并填充可导电的第二掺杂多晶硅层，使得靠近沟道区的场板介质层厚度小于STI的整体介质层厚度，并且填充的多晶硅层与器件的栅极多晶硅层短接，器件的场板介质层由第二多晶硅层进行分割，实现第二多晶硅靠近沟道一侧的侧壁的场板介质层厚度和底部的场板介质层厚度小于STI的整体厚度，使得器件的特性得到进一步改善。
ldmos 器件工艺方法

[发明专利]JFET器件-CN202110746894.9在审
发明人：段文婷 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：在漂移区的顶部形成有漂移区场氧。在漂移区场氧上形成有多晶硅绕阻，多晶硅绕阻由多圈首尾相连的多晶硅线连接而成，多晶硅绕阻包括第一连接端和第二连接端。第一连接端位于最靠近漂移区场氧的第一侧的多晶硅线上且接0V电位，第二连接端位于最靠近漂移区场氧的第二侧的多晶硅线上且接漏极电位。漂移区场氧的第二侧不设置漏端多晶硅场板，使多晶硅绕阻的圈数最大化。本发明能增加漂移区场氧上的多晶硅绕阻的圈数，从而提高器件的击穿电压。
jfet 器件

[发明专利]一种纵向高压半导体器件-CN201510230508.5在审
发明人：梅冬 -专利权人：西安西奈电子科技有限公司
申请日： 2015-05-08 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种纵向高压半导体器件，包括：N型掺杂半导体衬底、N型掺杂外延层、P型掺杂阱区、P型掺杂体区、高浓度N型掺杂区、第一多晶硅场板、第二多晶硅场板、第三多晶硅场板、第四多晶硅场板、漏极金属电极及截止环电极
一种纵向高压半导体器件

[实用新型]一种纵向高压半导体器件-CN201520293261.7有效
发明人：梅冬 -专利权人：西安西奈电子科技有限公司
申请日： 2015-05-08 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种纵向高压半导体器件，包括：N型掺杂半导体衬底、N型掺杂外延层、P型掺杂阱区、P型掺杂体区、高浓度N型掺杂区、第一多晶硅场板、第二多晶硅场板、第三多晶硅场板、第四多晶硅场板、漏极金属电极及截止环电极
一种纵向高压半导体器件

[发明专利]一种用于半导体功率器件的终端-CN201810873584.1在审
发明人：缪志平 -专利权人：盛廷微电子（深圳）有限公司
申请日： 2018-08-02 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明提供一种用于半导体功率器件的终端，该用于半导体功率器件的终端包括：集电极、基区、多个场限环以及多个与所述场限环对应的场板组，所述场板组包括相互电性连接的第一多晶硅场板和金属场板，所述第一多晶硅场板、所述金属场板依次位于所述场限环的上方，所述第一多晶硅场板和所述金属场板均与所述场限环电性连接，所述金属场板覆盖所述第一多晶硅场板。
半导体功率器件多晶硅场板金属场板场限环终端电性连接场板电场尖峰场板边缘击穿电压集电极基区减小覆盖

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