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[实用新型]降低沟槽MOSFET器件电容的结构-CN202321136432.6有效
发明人： 滕支刚 -专利权人：江苏临德半导体有限公司
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本实用新型提供一种降低沟槽MOSFET器件电容的结构，包括第一导电类型衬底，在第一导电类型衬底上设有第一导电类型外延层；在第一导电类型外延层中设有第一类沟槽，第一类沟槽位于器件的元胞区；在第一类沟槽的底部设有厚氧化层和栅极氧化层，第一类沟槽的侧壁设有栅极氧化层；第一类沟槽中填充有导电多晶硅；第一类沟槽中的导电多晶硅作为栅极多晶硅；在元胞区，第一导电类型外延层上部形成自下而上分布的第二导电类型阱区和重掺杂的第一导电类型源区；所述栅极多晶硅的顶部低于第一类沟槽的顶部，但高于第一导电类型源区的底部；所述栅极多晶硅的底部低于第二导电类型阱区的底部；本申请能够降低沟槽MOSFET器件的电容。
降低沟槽 mosfet 器件电容结构

[发明专利]降低制造成本的低栅极电荷屏蔽栅半导体器件及制作方法-CN202310397375.5有效
发明人： 滕支刚 -专利权人：江苏临德半导体有限公司
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种降低制造成本的低栅极电荷屏蔽栅半导体器件，包括：第一导电类型硅衬底，在硅衬底上设有第一导电类型外延层；在第一导电类型外延层中设有单胞沟槽和分压沟槽；在单胞沟槽内设有相互分离的源极多晶硅、第一栅极多晶硅和第二栅极多晶硅，在分压沟槽内设有相互分离的第一场板多晶硅、第二场板多晶硅和第三场板多晶硅；第一栅极多晶硅和第二栅极多晶硅分别位于源极多晶硅上方两侧，第二场板多晶硅和第三场板多晶硅分别位于第一场板多晶硅上方两侧；单胞沟槽中的源极多晶硅、第一栅极多晶硅和第二栅极多晶硅通过绝缘介质层相互绝缘；本发明还提供了上述半导体器件的制作方法；能够减少光刻次数，使得其制造工序简化。
降低制造成本栅极电荷屏蔽半导体器件制作方法

[实用新型]高静电防护能力的分离栅MOSFET器件-CN202320816126.0有效
发明人： 滕支刚 -专利权人：江苏临德半导体有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本实用新型提供一种高静电防护能力的分离栅MOSFET器件，包括：重掺杂的第一导电类型硅衬底，在硅衬底上设有第一导电类型外延层；第一导电类型外延层背离硅衬底的表面为第一主面，硅衬底背离第一导电类型外延层的表面为第二主面；在第一导电类型外延层中设有第一类沟槽；在第一类沟槽中的内壁自下而上分别设有厚氧化层和栅极氧化层；厚氧化层的厚度大于栅极氧化层的厚度；在第一类沟槽中设有至少一组背靠背多晶硅二极管结构；本实用新型能够提高器件的抗静电能力。
静电防护能力分离 mosfet 器件

[发明专利]降低栅极电荷的半导体器件及其制作方法-CN202310288362.4在审
发明人： 滕支刚 -专利权人：江苏临德半导体有限公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种降低栅极电荷的半导体器件，包括：第一导电类型硅衬底，在第一导电类型硅衬底上设有第一导电类型外延层；第一导电类型外延层背离硅衬底的表面为第一主面，硅衬底背离第一导电类型外延层的表面为第二主面；在所述第一导电类型外延层中设有单胞沟槽；所述单胞沟槽下部侧壁和底壁设有第一介质层，在单胞沟槽内下部设有源极多晶硅；所述源极多晶硅通过第一介质层与第一导电类型外延层绝缘；所述源极多晶硅包括柱体部分和帽体部分，所述帽体部分位于柱体部分上方且与柱体部分相连，所述帽体部分的宽度大于柱体部分的宽度；在单胞沟槽内上部设有左右分离的左栅极多晶硅和右栅极多晶硅；上述器件的结构能够降低半导体器件的栅极电荷。
降低栅极电荷半导体器件及其制作方法

[发明专利]图像传感器及成像系统-CN201910426505.7有效
发明人： 滕支刚;富田隆治;陈世杰;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H04N5/369 文献下载
摘要：本公开涉及图像传感器和成像系统。该图像传感器包括至少一个像素单元，所述像素单元包括：光电二极管区域，包括光电二极管，所述光电二极管被配置为在第一时间段期间累积在所述光电二极管中生成的与入射光对应的光电荷；存储二极管区域，包括存储二极管，所述存储二极管被配置为存储在所述光电二极管中累积的光电荷；其中，在平面图中，所述存储二极管区域至少围绕所述光电二极管区域的两个侧边。
图像传感器成像系统

[发明专利]背照式图像传感器及其制造方法-CN201810965671.X在审
发明人： 滕支刚;陈世杰 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及背照式图像传感器及其制造方法。本公开提供了背照式CMOS图像传感器，包括：衬底，具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面；第一导电区，填充在从第一表面向内凹陷形成的第一开口中；源极跟随晶体管，设置在第一表面的远离第二表面的一侧上的衬底内；第一绝缘层，形成在第二表面的远离第一表面的一侧上；第二绝缘层，形成在第一绝缘层的远离第一表面的一侧上；第二导电区，位于第二绝缘层的第二开口中；有机光电转化层，形成在第二绝缘层的远离第一表面的一侧上，其中第一导电区与源极跟随晶体管连接，第二导电区与有机光电转化层连接，第一导电区、第一绝缘层和第二导电区形成电容式结构以存储来自有机光电转化层的光生载流子。
第一表面绝缘层导电区光电转化层第二表面背照式图像传感器源极跟随晶体管衬底开口背照式CMOS图像传感器电容式结构光生载流子向内凹陷填充制造存储

[发明专利]背照式图像传感器及其形成方法-CN201810830172.X在审
发明人：黄晓橹;滕支刚;陈世杰;大石周 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种背照式图像传感器及其形成方法。所述背照式图像传感器的形成方法包括：提供半导体衬底；刻蚀所述半导体衬底的正面，在所述半导体衬底内形成深沟槽；向所述深沟槽内填充硼硅玻璃；刻蚀所述半导体衬底的正面和所述硼硅玻璃，在所述半导体衬底内形成浅沟槽；向所述浅沟槽内填充绝缘材料；在所述半导体衬底的正面形成器件结构，在所述深沟槽的表面形成硼扩散层；减薄所述半导体衬底的背面至露出所述硼硅玻璃；去除所述深沟槽内的硼硅玻璃；在所述半导体衬底的背面形成介质层，所述介质层填充所述深沟槽；在所述半导体衬底背面的介质层上形成滤色层和微透镜。本发明可以减小背照式图像传感器的串扰和暗电流。
衬底半导体深沟槽背照式图像传感器硼硅玻璃介质层浅沟槽刻蚀填充背面填充绝缘材料表面形成硼扩散层器件结构暗电流滤色层微透镜串扰减薄减小去除

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