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- [发明专利]一种栅驱动电路的高压隔离环结构-CN202210978642.3在审
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苗彬彬;金锋;苏庆;蔡莹
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2022-08-16
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2022-12-20
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H01L29/06
- 本发明提供一种栅驱动电路的高压隔离环结构,包括高压场效应管、高耐压隔离环及两者之间的高压过渡区连接形成的闭环结构;闭环结构内部为高端电压区域,外部为低端电压区域;插入在高压场效应管和高端电压区域之间的P型屏蔽隔离环;嵌套在P型屏蔽隔离环上的自屏蔽隔离环;形成于P型屏蔽隔离环间的高压互连寄生电阻区,调节自屏蔽隔离环嵌入在P型屏蔽隔离环的位置以及两根P型屏蔽隔离环的间距可以调整高压互连寄生电阻区的寄生N‑epi电阻。本发明在高压场效应管和高端电压区域之间用P型屏蔽隔离环来实现两者完全隔离,然后在P型屏蔽隔离环上嵌套自屏蔽隔离环,实现部分区域全屏蔽隔离、部分区域自屏蔽隔离的半自屏蔽隔离结构。
- 一种驱动电路高压隔离结构
- [发明专利]一种深沟槽电容器及其制造方法-CN202211032713.7在审
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遇寒;孔蔚然;苗彬彬
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2022-08-26
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2022-10-25
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H01L23/64
- 本发明提供一种深沟槽电容器及其制造方法,提供衬底,在衬底中形成深沟槽;在深沟槽中和衬底表面形成堆叠的氧化层和多晶硅层;依次以衬底和多晶硅层为刻蚀停止层,对堆叠的氧化层和多晶硅层进行刻蚀以形成开口;在开口的两端形成侧墙;沉积形成一金属前介质层,金属前介质层的上表面高于所述侧墙的顶部表面;刻蚀金属前介质层形成接触孔并在接触孔中填充金属;在金属前介质层和接触孔表面形成金属层,金属层通过接触孔与衬底和所述多晶硅层连接。本发明有源区多晶硅的刻蚀采用一步刻蚀,不容易出现由于单步刻蚀导致的漏电,并且实现了高密度电容,而且相比与传统的DTC版图设计,本发明电容器电极各级的引出更加均匀,提高了电容器性能和良率。
- 一种深沟电容器及其制造方法
- [发明专利]电平位移结构及其制造方法-CN201810178441.9有效
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苗彬彬
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2018-03-05
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2021-08-24
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H01L29/78
- 本发明公开了一种电平位移结构,包括:LDMOS、对通隔离区和高边区域;对通隔离区包括具有第二导电类型的第一埋层和具有第二导电类型的第二阱区,第二阱区和底部的第一埋层连接;LDMOS的漂移区由第一外延层组成,在漂移区的表面上形成有漂移区场氧;在漂移区场氧底部漂移区中形成有降低表面电场结构,降低表面电场结构包括两层以上的第二导电类型注入层;最底层第二导电类型注入层的注入深度等于第二阱区和第一埋层的连接位置且在连接位置出叠加有和最底层第二导电类型注入层同时形成的第三注入区。本发明公开了一种电平位移结构的制造方法。本发明能减少对通隔离区的漏电同时加强降低表面电场的效果以及降低导通电阻。
- 电平位移结构及其制造方法
- [实用新型]一种煤矿用履带行走式液压注浆泵-CN201922171098.8有效
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王彦;王坤;李燕燕;苗彬彬
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平顶山市碧源科技有限公司
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2019-12-06
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2020-08-11
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F04B15/02
- 本实用新型所述的一种煤矿用履带行走式液压注浆泵,采用履带结构,方便其在煤矿井下自由行走;冷却箱采用双层冷却结构,预冷腔内通过循环弯折结构的冷却铜管进行初步冷却;再冷腔内采用垂直设置的铜管,再冷腔内充满循环冷却水,液压油在铜管内流过时可进一步释放剩余的热量,使液压油完全冷却,流入冷油汇聚腔后排出;在二位四通阀上设置换向回位机构,在回位簧的作用下能够保证导向杆在拉出后及时回复至原位,带动二位四通阀的阀芯恢复至原位,完成一次完成的换向,且导向杆与连接片之间采用拉簧结构的弹性软连接,能够避免导向杆滑动速度过快而对二位四通阀的阀芯造成伤害,整体结构简单实用,应用在煤矿注浆泵上效果非常好。
- 一种煤矿履带行走液压注浆泵
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